一种芯片保护结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种芯片保护结构，所述芯片保护结构呈十字交叉结构形成于芯片之间的十字交叉区域，并与各芯片的拐角紧密相接。本实用新型通过在芯片之间的十字交叉区域形成与各芯片的拐角紧密相接的芯片保护结构，可以大大加强芯片拐角处的抗应力破裂强度，从而提高芯片的性能和良率。本实用新型结构简单，效果显著，适用于半导体工业制造。
【专利说明】一种芯片保护结构
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体领域，特别是涉及一种芯片保护结构。
【背景技术】
[0002]随着电子工业的飞速发展，半导体芯片的应用范围越来越大，芯片的加工越来越受到关注和重视。芯片切割、封装和组装是半导体加工的重要工序，它直接影响到芯片的成本、质量以及各种性能。
[0003]现有的一种半导体芯片的制造流程如图1所示，其包括以下步骤:
[0004]第一步S11，半导体晶圆制程，于半导体晶圆上制造各种器件结构；
[0005]第二步S12，晶圆的研磨，将晶圆减薄至一定的厚度，以方便切割裂片；
[0006]第三步S13，晶圆的切割，依据芯片的形状尺寸等信息对晶圆进行切割裂片，获得独立的半导体芯片；
[0007]第四步S14，贴片，采用金属熔接等技术将半导体芯片贴于基板上；
[0008]第五步S15，半导体键合金线，用高纯金线把芯片的接口和基板的接口键合；
[0009]第六步S16，封装成型，采用如硅胶等聚合物对半导体芯片进行封装，把封装好的半导体芯片固化成所需形状；
[0010]第七步S17，测试组装，对半导体芯片进行测试，并对通过测试的半导体芯片进行组装，以完成半导体芯片的制造。
[0011]在测试过程中发现，通过在上述制造过程制成的部分半导体芯片10，其拐角处出现了裂纹101，如图2所示，严重影响了半导体芯片的性能和良率，而且，通过测试可以看出，这个裂纹缺陷往往位于各芯片的相同位置，并且具有相类似的形状。
[0012]出现上述缺陷的原因可能在于晶圆的切割、封装或组装过程导致缺陷的产生，但是，究其根本原因是由于半导体芯片拐角处对应力的承受能力太薄弱所致。
[0013]鉴于以上现有技术的缺陷，本实用新型提供一种芯片保护结构，以加强半导体芯片拐角处对应力的承受:能力，从而提闻芯片的性能和良率。
实用新型内容
[0014]鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种芯片保护结构，用于解决现有技术中半导体芯片加工过程中由于应力承受能力薄弱而出现拐角裂纹等问题。
[0015]为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种芯片保护结构，所述芯片保护结构呈十字交叉结构形成于芯片之间的十字交叉区域，并与各芯片的拐角紧密相接。
[0016]作为本实用新型的芯片保护结构的一种优选方案，所述芯片外围还形成有芯片密封环，且所述芯片保护结构与所述芯片密封环紧密相接。
[0017]作为本实用新型的芯片保护结构的一种优选方案，所述芯片保护结构部分延伸至各芯片之间的通道。
[0018]作为本实用新型的芯片保护结构的一种优选方案，所述芯片的形状包括拐角处为直角的四边形或拐角处为斜面的八边形。
[0019]作为本实用新型的芯片保护结构的一种优选方案，所述芯片保护结构的材料为金属材料。
[0020]进一步地,所述金属材料包括铜。
[0021]作为本实用新型的芯片保护结构的一种优选方案，相邻的两芯片之间的距离为80um ?150um。
[0022]如上所述，本实用新型提供一种芯片保护结构，所述芯片保护结构呈十字交叉结构形成于芯片之间的十字交叉区域，并与各芯片的拐角紧密相接。本实用新型具有以下有益效果:本实用新型通过在芯片之间的十字交叉区域形成与各芯片的拐角紧密相接的芯片保护结构，可以大大加强芯片拐角处的抗应力破裂强度，从而提高芯片的性能和良率。本实用新型结构简单，效果显著，适用于半导体工业制造。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1显示为现有技术中的一种半导体芯片的制造流程示意图。
[0024]图2显示为现有技术中的半导体芯片结构示意图。
[0025]图3显示为本实用新型的一种芯片保护结构的结构示意图，其中，图中的芯片形状为拐角为直角的四边形。
[0026]图4显示为本实用新型的另一种芯片保护结构的结构示意图，其中，图中的芯片形状为拐角处为斜面的八边形。
[0027]元件标号说明
[0028]10 芯片
[0029]20芯片密封环
[0030]30芯片保护结构
【具体实施方式】
[0031]以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
[0032]请参阅图3?4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0033]实施例1
[0034]如图3所示，本实施例提供一种芯片保护结构30，所述芯片保护结构30呈十字交叉结构形成于芯片10之间的十字交叉区域，并与各芯片10的拐角紧密相接。
[0035]如图3所示，作为示例，所述芯片10的形状为拐角处为直角的四边形，这种形状的芯片10拐角处的两个侧壁往往比较脆弱，需要进行加固。
[0036]作为示例，所述芯片10外围还形成有芯片密封环20，且所述芯片保护结构30与所述芯片密封环20紧密相接。所述芯片密封环20制作于芯片10的外围，用于防止芯片10在切割等过程中产生的应力扩散至芯片10内部而对芯片10造成破坏。一般来说，所述芯片密封环20包括两个相间设置的金属层，以及两个金属层之间填充的介质层组成，所述金属层的材料可以为铜等，所述介质层可以为二氧化硅等。在本实施例中，所述芯片保护结构30的高度与所述芯片密封环20的高度相等。
[0037]所述十字交叉区域由4个矩形芯片10形成，相邻的两个芯片10之间具有通道，用于将各芯片10隔离开来，另外，相邻的两芯片10之间的距离为SOum?150um，芯片10之间的距离可以在此范围内波动，芯片10之间的距离可以相同，也可以不同。
[0038]在本实施例中，所述芯片保护结构30部分延伸至各芯片10之间的通道，以加强对芯片10的保护。
[0039]具体地，所述芯片保护结构30与各芯片10拐角处的两个侧壁紧密接触。作为示例，所述芯片保护结构30的材料为金属材料。在本实施例中，所述金属材料为铜，当然，如T1、Al等其它的金属材料也可能适用于本实用新型，并不限定于此。
[0040]本实用新型通过在芯片之间的十字交叉区域形成与各芯片的拐角紧密相接的芯片保护结构30，可以大大加强芯片拐角处的抗应力破裂强度，从而提高芯片的性能和良率。
[0041]实施例2
[0042]如图4所示，本实施例提供一种芯片保护结构30，所述芯片保护结构30呈十字交叉结构形成于芯片10之间的十字交叉区域，并与各芯片10的拐角紧密相接。
[0043]如图4所示，作为示例，所述芯片10的形状为拐角处为斜面的八边形，这种形状的芯片10拐角处(实际上包括两个拐角和一个斜面)同样比较脆弱，需要进行加固。
[0044]作为示例，所述芯片10外围还形成有芯片密封环20，且所述芯片保护结构30与所述芯片密封环20紧密相接。所述芯片密封环20制作于芯片10的外围，用于防止芯片10在切割等过程中产生的应力扩散至芯片10内部而对芯片10造成破坏。一般来说，所述芯片密封环20包括两个相间设置的金属层，以及两个金属层之间填充的介质层组成，所述金属层的材料可以为铜等，所述介质层可以为二氧化硅等。在本实施例中，所述芯片保护结构30的高度与所述芯片密封环20的高度相等。
[0045]所述十字交叉区域由4个八边形芯片10形成，相邻的两个芯片10之间具有通道，用于将各芯片10隔离开来，另外，相邻的两芯片10之间的距离为SOum?150um，芯片10之间的距离可以在此范围内波动，芯片10之间的距离可以相同，也可以不同。
[0046]在本实施例中，所述芯片保护结构30部分延伸至各芯片10之间的通道，以加强对芯片10的保护。
[0047]具体地，所述芯片保护结构30与各芯片拐角处的斜面以及与该斜面相邻的两个侧壁紧密接触。作为示例，所述芯片保护结构30的材料为金属材料。在本实施例中，所述金属材料为铜，当然，如T1、Al等其它的金属材料也可能适用于本实用新型，并不限定于此。
[0048]本实用新型通过在芯片之间的十字交叉区域形成与各芯片的拐角紧密相接的芯片保护结构30，可以大大加强芯片拐角处的抗应力破裂强度，从而提高芯片的性能和良率。
[0049]如上所述，本实用新型提供一种芯片保护结构30，所述芯片保护结构30呈十字交叉结构形成于芯片10之间的十字交叉区域，并与各芯片10的拐角紧密相接。本实用新型具有以下有益效果:本实用新型通过在芯片之间的十字交叉区域形成与各芯片的拐角紧密相接的芯片保护结构30，可以大大加强芯片拐角处的抗应力破裂强度，从而提高芯片的性能和良率。本实用新型结构简单，效果显著，适用于半导体工业制造。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0050] 上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属【技术领域】中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
【权利要求】
1.一种芯片保护结构，其特征在于，所述芯片保护结构呈十字交叉结构形成于芯片之间的十字交叉区域，并与各芯片的拐角紧密相接。
2.根据权利要求1所述的芯片保护结构，其特征在于:所述芯片外围还形成有芯片密封环，且所述芯片保护结构与所述芯片密封环紧密相接。
3.根据权利要求1所述的芯片保护结构，其特征在于:所述芯片保护结构部分延伸至各芯片之间的通道。
4.根据权利要求1所述的芯片保护结构，其特征在于:所述芯片的形状包括拐角处为直角的四边形或拐角处为斜面的八边形。
5.根据权利要求1所述的芯片保护结构，其特征在于:所述芯片保护结构的材料为金属材料。
6.根据权利要求5所述的芯片保护结构，其特征在于:所述金属材料包括铜。
7.根据权利要求1所述的芯片保护结构，其特征在于:相邻的两芯片之间的距离为80um ?150um。
【文档编号】H01L23/544GK204067349SQ201420434868
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2014年8月4日 优先权日:2014年8月4日
【发明者】张贺丰 申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司