一种片式双芯片肖特基二极管的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种片式双芯片肖特基二极管，属于半导体器件【技术领域】。其由肖特基芯片、金丝和引线支架构成，所述肖特基芯片为两个结构完全相同的芯片晶粒，所述芯片晶粒与引线支架通过金丝焊接连接。本实用新型把两个肖特基二极管晶粒并联封装在一个管壳内，起到两个肖特基二极管在电路中的作用，结构简单，缩小了器件体积，大幅度降低成本，提高了效率。
【专利说明】一种片式双芯片肖特基二极管
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体器件【技术领域】，特别是涉及一种二极管。
【背景技术】
[0002]肖特基二极管是利用金属和半导体之间接触势垒进行工作的一种多子型器件，是高频和快速开关的理想器件，被广泛应用于微波混频、检波及高速开关电路等领域。传统的分离的两个硅肖特基二极管器件在电路中占的体积较大，使其应用场合受到了极大限制。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、可以使片式器件小型化的双芯片肖特基二极管。
[0004]本实用新型一种片式双芯片肖特基二极管，包括肖特基芯片、金丝和引线支架，所述肖特基芯片为两个结构完全相同的芯片晶粒，所述金丝直径为20 μ m、纯度为99.99%，所述引线支架为镀银支架，所述芯片晶粒与引线支架通过金丝焊接连接。
[0005]所述晶粒包括:其衬底及硅外延层构成的外延片、欧姆接触电极、周边围有P +环的势垒金属硅化物、势垒金属硅化物上的金属电极以及顶部钝化层，所述欧姆接触电极为镀覆在衬底底面的金层，所述硅外延层厚度为1-10 μ m。
[0006]所述金丝与镀银支架焊功能区焊接连接，焊接温度为220-280°C，金丝与支架焊接点呈完整鱼尾状，焊点切断处光滑无碎裂，焊线拉力大于3g。
[0007]所述二极管的封装方式为环氧树脂封装。所述环氧树脂塑封后具有高介电性能、耐表面漏电、耐高温、耐冷热冲击性能好，在高温焊接时产生的热应力较小。
[0008]本实用新型的优点:把两个肖特基二极管晶粒并联封装在一个管壳内，起到两个肖特基二极管在电路中的作用，结构简单，缩小了器件体积，大幅度降低成本，提高了效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型片式双芯片肖特基二极管的内部结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图对本实用新型作详细说明:
[0011]如图所不，图中:1、芯片晶粒；2、金丝；3、引线支架。
[0012]其2个肖特基二极管芯片晶粒通过直径为20 μπι的金丝焊接在银层厚度大于
2.5 μ m的引线支架上，再用环氧树脂塑封。
[0013]以上所述的实施例，只是本实用新型较优选的【具体实施方式】之一，本领域的技术人员在本实用新型技术方案范围内进行的通常变化和替换都应该包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种片式双芯片肖特基二极管，包括肖特基芯片、金丝和引线支架，其特征在于:所述肖特基芯片为两个结构完全相同的芯片晶粒，所述金丝直径为20 μ m、纯度为99.99%，所述引线支架为镀银支架，所述芯片晶粒与引线支架通过金丝焊接连接。
2.根据权利要求1所述片式双芯片肖特基二极管，其特征在于:所述晶粒包括:其衬底及硅外延层构成的外延片、欧姆接触电极、周边围有P +环的势垒金属硅化物、势垒金属硅化物上的金属电极以及顶部钝化层，所述欧姆接触电极为镀覆在衬底底面的金层，所述硅外延层厚度为1-10 μ m。
3.根据权利要求1所述片式双芯片肖特基二极管，其特征在于:所述金丝与镀银支架焊功能区焊接连接，焊接温度为220-280°C，金丝与支架焊接点呈完整鱼尾状，焊线拉力大于3g。
4.根据权利要求1、2或3所述片式双芯片肖特基二极管，其特征在于:所述二极管的封装方式为环氧树脂封装。
【文档编号】H01L25/07GK204102894SQ201420510116
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年9月4日 优先权日:2014年9月4日
【发明者】栾景花, 马新勇, 刘立娟, 马丽梅, 王兴超, 路尚伟, 杨玉杰, 高洋 申请人:山东沂光电子股份有限公司