物理法工频击穿点可控压敏电阻器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种物理法工频击穿点可控压敏电阻器，包括压敏电阻本体，所述的压敏电阻本体表面设置有向压敏电阻本体内凹的凹坑；所述的凹坑的深度为压敏电阻本体厚度的1％～1.5％；所述的凹坑处连接热脱离器。本实用新型保证了压敏电阻器因暂时过电压时，或压敏电阻器性能劣化时工频电流流向指定区域范围内，以便压敏电阻器在失效前利用其热量能将热脱离器迅速断开。
【专利说明】物理法工频击穿点可控压敏电阻器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种压敏电阻原件，尤其是一种应用在电涌保护器或TPMOV中的工频击穿点可控压敏电阻器。
【背景技术】
[0002]在各种电气设备和电源配电系统中，压敏电阻器是一种使用最广泛的过电压保护元件。当电源系统出现暂时过电压时，或压敏电阻器性能劣化时，其特点是:工频电流向压敏电阻器薄弱点集中，从而造成该点击穿而导致压敏电阻器失效(绝大多数表现为“低阻化”)，从而造成电源短路事故。为了防止这样的事故发生，通常在压敏电阻上加装热脱离器，如电涌保护器、TPMOV等。其原理都是因为工频过电压使得压敏电阻器在击穿失效前，其产生的热量将热脱离器或TPMOV中的热保护开关熔断，但在实际应用过程中这种效果不太理想。其原因是:无论哪种电涌保护器或TPMOV，产品结构定型后，安装热脱离器的位置在压敏电阻器上就确定了。而常规的压敏电阻器的工频击穿点是随机的(这主要取决于各制造企业的生产工艺，特别与搅拌、成型、高温烧成有非常大的关系)。如工频击穿点不在热脱离所在区域，只有靠压敏电阻器本体热传导。但因为压敏电阻器是陶瓷材料，本身导热性很差，(经查:压敏陶瓷体的导热率为0.057ff/cm2K,仅为铜的导热率的1.5%左右)。这样就会错失快速脱离的良机，甚至酿成严重的安全事故。
实用新型内容
[0003]本实用新型要解决的技术问题是:提供一种物理法工频击穿点可控压敏电阻器，通过人为在压敏电阻器上制造薄弱点，根据热脱离器的位置或区域，使该击穿点与热脱离器位置一致或重叠。
[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种物理法工频击穿点可控压敏电阻器，包括压敏电阻本体，所述的压敏电阻本体表面设置有向压敏电阻本体内凹的凹坑；所述的凹坑的深度为压敏电阻本体厚度的1%?1.5% ;所述的凹坑处连接热脱离器。
[0005]进一步的说，本实用新型所述的压敏电阻本体为圆形或方形。
[0006]再进一步的说，本实用新型所述的凹坑为圆形或方形。
[0007]本实用新型所述的凹坑为热击穿点，该热击穿点的压敏电压小于压敏电阻本体其他部位的电压的1%?2% ;其该热击穿点的电流密度最大。
[0008]本实用新型的有益效果是，解决了【背景技术】中存在的缺陷，保证了压敏电阻器因暂时过电压时，或压敏电阻器性能劣化时工频电流流向指定区域范围内，以便压敏电阻器在失效前利用其热量能将热脱离器迅速断开。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0010]图1是本实用新型的优选实施例的结构示意图；
[0011]图中:1、压敏电阻本体；2、凹坑。
【具体实施方式】
[0012]现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
[0013]如图1所示的一种物理法工频击穿点可控压敏电阻器，包括压敏电阻本体1，所述的压敏电阻本体表面设置有向压敏电阻本体内凹的凹坑2 ;所述的凹坑的深度为压敏电阻本体厚度的1%?1.5% ;所述的凹坑处连接热脱离器。
[0014]进一步的说，本实用新型所述的压敏电阻本体为圆形或方形，也可以是任意形状。
[0015]再进一步的说，本实用新型所述的凹坑为圆形或方形；凹坑可以设置在压敏电阻本体任何一个位置，直径和深度可以调整。
[0016]图1所示的凹坑为圆形，凹坑为热击穿点，凹坑的外径为5mm ;深度为压敏电阻本体总厚度的1% ;该热击穿点的压敏电压小于压敏电阻本体其他部位的电压的1%?2% ；其该热击穿点的电流密度最大。
[0017]制作方法是:根据客户要求或热脱离器的位置，在压敏电阻器成型时，通过在模具上增加凸点，使得在所要求的压敏电阻器坯片上形成凹坑。
[0018]以上说明书中描述的只是本实用新型的【具体实施方式】，各种举例说明不对本实用新型的实质内容构成限制，所属【技术领域】的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的【具体实施方式】做修改或变形，而不背离实用新型的实质和范围。
【权利要求】
1.一种物理法工频击穿点可控压敏电阻器，包括压敏电阻本体(I)，其特征在于:所述的压敏电阻本体(I)表面设置有向压敏电阻本体内凹的凹坑(2);所述的凹坑(2)的深度为压敏电阻本体(I)厚度的1%?1.5% ;所述的凹坑(2)处连接热脱离器。
2.如权利要求1所述的物理法工频击穿点可控压敏电阻器，其特征在于:所述的压敏电阻本体(I)为圆形或方形。
3.如权利要求1所述的物理法工频击穿点可控压敏电阻器，其特征在于:所述的凹坑(2)为圆形或方形。
4.如权利要求1所述的物理法工频击穿点可控压敏电阻器，其特征在于:所述的凹坑(2)为热击穿点，该热击穿点的压敏电压小于压敏电阻本体(I)其他部位的电压的1%?2% ;其该热击穿点的电流密度最大。
【文档编号】H01C7/12GK204204538SQ201420741386
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年11月30日 优先权日:2014年11月30日
【发明者】束静 申请人:常州市创捷防雷电子有限公司