技术特征：
1.一种方法，其包括：形成包含金属的源极材料；及在所述源极材料上方形成存储器单元的串，存储器单元的所述串包含与所述源极材料接触的沟道材料。2.根据权利要求1所述的方法，且其进一步包括：在所述源极材料上方形成覆盖材料；对所述源极材料进行掺杂；及在所述覆盖材料上方形成选择栅极材料。3.根据权利要求2所述的方法，其中形成存储器单元的所述串包括：在所述选择栅极材料上方形成交替控制栅极材料及绝缘体材料；形成穿过所述交替控制栅极材料及绝缘体材料、所述选择栅极材料及所述覆盖材料的沟槽，所述沟槽包括形成在所述控制栅极材料中的所述沟槽的侧壁上的凹口；在所述交替控制栅极材料及绝缘体材料的所述沟槽的所述凹口以及所述侧壁上方形成电介质材料；在所述凹口中形成浮动栅极材料；在所述浮动栅极材料及所述选择栅极材料的所述沟槽的所述侧壁上方形成隧道电介质材料；及在所述沟槽中形成所述沟道材料使得所述沟道材料接触所述源极材料。4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述源极材料包括在衬底上方形成所述源极材料。5.根据权利要求4所述的方法，且其进一步包括在所述衬底与所述源极材料之间形成氧化物。6.根据权利要求4所述的方法，且其进一步包括在所述衬底与所述源极材料之间形成多晶硅材料。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述源极材料是金属硅化物。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述金属硅化物是以下一者：硅化钨WSiX、硅化钽TaSiX或硅化钼MoSiX。9.根据权利要求1所述的方法，且其进一步包括在所述交替控制栅极材料及绝缘体材料上方形成氮化物硬掩模。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质材料包括氧化物-氮化物-氧化物ONO材料。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述隧道电介质材料及所述绝缘体材料包括氧化物材料。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述覆盖材料包括氧化物或多晶硅材料中的一者。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择栅极材料、所述控制栅极材料、所述浮动栅极材料及所述沟道材料包括多晶硅。14.根据权利要求1所述的方法，且其进一步包括在所述选择栅极材料与所述交替控制栅极材料及绝缘体材料之间形成蚀刻停止材料。15.一种方法，其包括：在衬底上方形成金属硅化物源极材料；在所述金属硅化物源极材料上方形成覆盖材料；对所述金属硅化物源极材料进行掺杂；在所述覆盖材料上方形成多晶硅选择栅极材料；及在所述多晶硅选择栅极材料上方形成存储器单元的串，存储器单元的所述串包含延伸穿过所述多晶硅选择栅极材料及所述覆盖材料以接触所述源极材料的沟道材料。16.根据权利要求15所述的方法，其中对所述金属硅化物源极材料进行掺杂包括利用砷、硼、磷或镓中的一者对所述金属硅化物源极材料进行掺杂。17.根据权利要求15所述的方法，其中对所述金属硅化物源极材料进行掺杂包括以下一者：利用砷或磷将所述金属硅化物材料掺杂为n型导电材料或利用硼或镓将所述金属硅化物材料掺杂而产生p型导电材料。18.根据权利要求15所述的方法，其中所述沟槽是第二沟槽且其进一步包括在形成穿过所述蚀刻停止材料、所述选择栅极材料及所述覆盖材料的所述第二沟槽之前：形成穿过所述交替控制栅极材料及所述氧化物材料以及所述蚀刻停止材料的第一沟槽；在所述凹口中且沿所述第一沟槽的所述侧壁在ONO材料上方形成多晶硅；以及去除沿所述第一沟槽的所述侧壁的所述多晶硅。19.根据权利要求18所述的方法，其中在形成所述第二沟槽时执行去除沿所述第一沟槽的所述侧壁的所述多晶硅。20.一种设备，其包括：存储器单元的垂直串，其包括控制栅极材料及绝缘体材料的多个交替层级；半导体材料，其延伸穿过控制栅极材料及绝缘体材料的所述多个交替层级；以及掺杂金属硅化物源极，其耦合到所述半导体材料。21.根据权利要求20所述的设备，其中存储器单元的所述垂直串的存储器单元包括：所述控制栅极材料中的凹口；电介质材料，其给所述凹口以及控制栅极材料及绝缘体材料的所述多个交替层级加衬里；浮动栅极材料，其在所述凹口中；以及隧道电介质材料，其邻近于所述浮动栅极材料。22.根据权利要求21所述的设备，其中所述电介质材料包括氧化物-氮化物-氧化物。23.根据权利要求20所述的设备，其中所述掺杂金属硅化物源极包括N+掺杂金属硅化物。24.根据权利要求20所述的设备，且其进一步包括选择栅极材料及绝缘体材料，其邻近于所述半导体材料且介于控制栅极材料的最低层级与所述掺杂金属硅化物源极之间。25.一种方法，其包括：形成金属源极材料；在所述金属源极材料上方形成覆盖材料；对所述金属源极材料进行掺杂；在所述覆盖材料上方形成选择栅极材料；在所述选择栅极材料上方、在控制栅极材料及绝缘体材料的多个交替层中形成存储器单元的垂直串；以及形成耦合到所述金属源极材料且邻近于存储器单元的所述垂直串及所述选择栅极材料的垂直半导体材料，其中存储器单元的所述垂直串及所述选择栅极材料通过隧道电介质材料与垂直半导体材料绝缘。26.根据权利要求25所述的方法，其中形成存储器单元的所述垂直串包括：在每一控制栅极材料中形成凹口；利用电介质材料给所述凹口加衬里；以及利用浮动栅极材料填充所述经加衬里凹口。27.根据权利要求26所述的方法，其中所述电介质材料耦合存储器单元的所述垂直串中的所述存储器单元中的每一者。28.根据权利要求25所述的方法，其中所述绝缘体材料及所述隧道电介质材料包括氧化物材料。29.根据权利要求25所述的方法，其中形成耦合到所述金属源极材料的所述垂直半导体材料包括在所述垂直半导体材料与所述金属源极材料之间形成欧姆接触。