技术总结
本发明揭示用于形成存储器单元的串的方法、一种具有存储器单元的串的设备及一种系统。一种用于形成存储器单元的所述串的方法包括在衬底上方形成金属硅化物源极材料。对所述金属硅化物源极材料进行掺杂。存储器单元的垂直串形成在所述金属硅化物源极材料上方。半导体材料垂直形成且邻近于存储器单元的所述垂直串并耦合到所述金属硅化物源极材料。
技术研发人员：陆振宇;罗杰·W·林赛;安德鲁·比克斯勒;永军·杰夫·胡;刘海涛;
受保护的技术使用者：美光科技公司;
文档号码：201480063209
技术研发日：2014.10.31
技术公布日：2016.07.06