1.一种装置，包括：
管芯，所述管芯包括从所述管芯的器件侧延伸至所述管芯的背侧的多个穿硅过孔(TSV)；以及
去耦电容器，所述去耦电容器耦合到所述TSV。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述去耦电容器包括金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述TSV界定所述管芯的所述背侧上的接触点，并且所述MIM电容器包括直接耦合到所述接触点的金属-电介质-金属层。
4.根据权利要求2所述的装置，还包括次级管芯，其中，所述MIM电容器形成在所述次级管芯上。
5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述TSV界定所述管芯的所述背侧上的接触点，并且所述MIM电容器的金属层耦合到所述接触点。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述MIM电容器的第一层通过焊料连接部耦合到所述接触点。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述TSV界定所述管芯的所述背侧上的接触点，并且所述去耦电容器包括耦合到所述接触点的陶瓷阵列电容器。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述陶瓷阵列电容器通过焊料连接部耦合到所述接触点。
9.根据权利要求1所述的装置，还包括位于所述管芯的器件侧的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。
10.一种方法，包括：
提供管芯，所述管芯包括从所述管芯的器件侧延伸至所述管芯的背侧的多个穿硅过孔(TSV)；以及
将去耦电容器耦合到所述管芯的所述背侧。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述去耦电容器包括金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述TSV界定所述管芯的所述背侧上的接触点，并且耦合所述MIM电容器包括：将所述MIM的金属层直接耦合到所述接触点。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，将去耦电容器耦合到所述管芯的所述背侧包括：将次级管芯耦合到所述管芯的所述背侧，并且所述MIM电容器形成在所述次级管芯上。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述TSV界定所述管芯的所述背侧上的接触点，并且所述MIM电容器的金属层耦合到所述接触点。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述MIM电容器的所述金属层通过焊料连接部耦合到所述接触点。
16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述TSV界定所述管芯的所述背侧上的接触点，并且所述去耦电容器包括陶瓷阵列电容器，并且耦合到所述管芯的所述背侧包括：将所述陶瓷阵列电容器耦合到所述接触点。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述陶瓷阵列电容器通过焊料连接部耦合到所述接触点。
18.根据权利要求10所述的方法，还包括将金属-绝缘体-金属(MIM)电容器耦合到所述管芯的器件侧。
19.一种装置，包括：
计算设备，所述计算设备包括封装体，所述封装体包括：
微处理器，所述微处理器包括器件侧和背侧，其中穿硅过孔(TSV)从所述器件侧延伸至所述背侧，以及
去耦电容器，所述去耦电容器耦合到所述管芯的所述背侧；以及
印刷电路板，其中，所述封装体耦合到所述印刷电路板。
20.根据权利要求19所述的装置，其中，所述去耦电容器包括金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。
21.根据权利要求20所述的装置，其中，所述TSV界定所述管芯的所述背侧上的接触点，并且所述MIM电容器包括直接耦合到所述接触点的金属层。
22.根据权利要求20所述的装置，还包括次级管芯，其中，所述MIM电容器形成在所述次级管芯上。
23.根据权利要求22所述的装置，其中，所述TSV界定所述管芯的所述背侧上的接触点，并且所述MIM电容器的金属层耦合到所述接触点。
24.根据权利要求23所述的装置，其中，所述MIM电容器的第一层通过焊料连接部耦合到所述接触点。
25.根据权利要求29所述的装置，其中，所述TSV界定所述管芯的所述背侧上的接触点，并且所述去耦电容器包括耦合到所述接触点的陶瓷阵列电容器。
26.根据权利要求24所述的装置，其中，所述陶瓷阵列电容器通过焊料连接部耦合到所述接触点。
27.根据权利要求19所述的装置，还包括耦合到所述微处理器的所述器件侧的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。