技术总结
一种装置，包括：管芯，管芯包括从管芯的器件侧延伸至管芯的背侧的多个穿硅过孔(TSV)；以及去耦电容器，去耦电容器耦合到TSV。一种方法，包括：提供管芯，管芯包括从管芯的器件侧延伸至管芯的背侧的多个穿硅过孔(TSV)；将去耦电容器耦合到管芯的背侧。一种装置，包括：计算设备，计算设备包括封装体，封装体包括包含有器件侧和背侧的微处理器，其中穿硅过孔(TSV)从器件侧延伸至背侧，以及去耦电容器，去耦电容器耦合到管芯的背侧；以及印刷电路板，其中，封装体耦合到印刷电路板。
技术研发人员：W·J·兰贝特;R·L·赞克曼;T·N·奥斯本;C·A·加勒尔
受保护的技术使用者：英特尔公司
文档号码：201480076464
技术研发日：2014.03.28
技术公布日：2017.02.22