技术总结
晶体管包括在基底上的聚合物材料柱。覆盖柱的无机材料盖延伸超出柱的边以限定凹形轮廓。保形传导材料栅极层在凹形轮廓内的柱的边上方。保形绝缘材料层在凹形轮廓内的栅极层上。保形半导体材料层在凹形轮廓内的绝缘材料层上。第一电极与在盖上方的半导体层的第一部分接触。第二电极与在基底上方且不在柱上方的半导体层的第二部分接触，并且与在凹形轮廓内的柱的边相邻，以使得当与基底表面正交测量时，第一电极和第二电极之间的距离大于零。
技术研发人员：C.R.埃林格尔;S.F.纳尔逊;
受保护的技术使用者：伊斯曼柯达公司;
文档号码：201480076902
技术研发日：2014.12.15
技术公布日：2016.11.02