发光装置及其制造方法与流程

本发明涉及一种搭载于紫外光照射装置等的发光装置与其制造方法，特别涉及一种使用LED(Light Emitting Diode)等的发光元件的发光装置及其制造方法。

背景技术：

以往，采用紫外光照射装置，作为使得FPD(Flat Panel Display)周边的粘着剂使用的紫外线硬化树脂和作为单张纸胶印印刷的油墨使用的紫外线硬化型油墨硬化。

作为紫外光照射装置，以往，众所周知的是将高压水银灯和水银氙气灯等作为光源的灯管型照射装置。近年来，由于降低消耗电力、长寿命化、装置尺寸的小型化等要求，为了代替以往的放电灯管，开发了一种将LED(Light Emitting Diode)作为光源来利用的紫外光照射装置(例如，专利文献1)。

专利文献1所述的紫外光照射装置具备线状排列的多个LED模块。各LED模块由在紫外区域具有峰波长的LED芯片(一般来说，也有称为“模”和“LED”的情况)、副安装基板、框体等构成，LED芯片通过模粘合剂粘着固定于副安装基板。

模粘合剂为一种为了将LED芯片固着于基板等而使用的接合材料，一般来说，使用有机硅系的模粘合剂、环氧系的模粘合剂、金属粘着剂、银(Ag)膏等(例如，专利文献2)，但因为考虑到价格低廉，耐热性和耐湿性高，比焊料的弹性率低等因素，更多的是采用Ag环氧系、Ag聚酰亚胺系的Ag膏。然而，有人指出若通过Ag膏来固着LED等的光半导体元件，则因所谓的Ag离子迁移，可靠性会降低(例如，非专利文献1)。

如非专利文献1所述，Ag离子迁移为金属的电气化学的移动现象中的一种，为一种由于电气分解作用Ag以斑点状或者树枝状移动生长的现象。这样，若Ag离子化并生长，则最终与LED芯片的电极和接合导线接触，最坏的情况是使LED芯片的电极间(即，阳极与阴极间)短路。并且，若LED芯片的电极间短路，则LED芯片不亮，损坏。

如此，Ag离子迁移是因Ag的离子化引起的，然而特别是在发出光的LED芯片等的光半导体元件中，存在通过表面等离子激元使Ag被离子化的忧虑(例如，专利文献3)。如专利文献3所述，若对金属粒子照射光，则产生表面等离子激元，该部分的电场强度会局部性地增加，金属粒子会离子化。即，若以通过Ag膏来固着LED芯片等光半导体元件的方式构成的话，则会产生如下问题：通过来自LED芯片的光射入Ag膏，会产生表面等离子激元，Ag膏中含有的Ag会离子化。若通过Ag的离子化，而Ag以斑点状或者树枝状生长的话，最终会使LED芯片的电极间短路，LED芯片不亮，损坏。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-146646号公报

专利文献2：日本特开2013-243316号公报

专利文献3：日本特开2008-070187号公报

非专利文献

非专利文献1:《可靠性手册》，株式会社瑞萨科技，Rev.1.01，2008年11月28日，P.(4-25)-(4-27)

技术实现要素：

发明所要解决的课题

为解决这种Ag离子迁移的问题，预先将起因于Ag离子迁移的Ag发生时的Ag的移动距离较长地设定，降低图案间的电场强度是有效的，因此，一般来说，采取在Ag膏和与其邻接的LED芯片的各电极以及接合导线之间确保足够的绝缘距离这种对策。然而，如专利文献1中所述的构造，若为高密度地排列LED芯片(即，LED模块)这种构造，由于配置方面的制约，难以确保足够的绝缘距离。

此外，Ag膏中含有的Ag通过来自LED芯片的光进行离子化来诱发Ag离子迁移，因此，为了使来自LED芯片的光不射入Ag膏(即，为抑制表面等离子激元的产生)，虽然还考虑到在Ag膏上实施遮挡来自LED芯片的光的涂布等，但将LED芯片粘着固定于基板后再实施涂布等是极其困难的。

本发明借鉴了以上情况，其目的在于提供一种不需要在Ag膏上实施涂布等，而以简单的构造，在抑制Ag离子迁移的同时可高密度地安装的发光装置及其制造方法。

用于解决课题的方法

为达成上述目的，本发明的发光装置具备基板；图案部,形成于基板的表面且具有导电性；及LED(Light Emitting Diode)芯片,载置于图案部的表面，且从出射面射出来自发光层的光；其中，在图案部的表面，形成有第1凹部，其具有比LED芯片的出射面略大的第1开口部，且LED芯片收纳于第1凹部内，且介由至少含有银成分的模粘合剂接合于第1凹部的底面。

根据这种构造，即使由LED芯片射出的紫外光的一部分作为反馈光返回，LED芯片的周围以及模粘合剂的周围通过仅隔着缝隙设置的第1凹部的壁面包围，因此，基乎没有到达模粘合剂的反馈光，抑制了Ag离子迁移的产生。从而，为解除Ag离子迁移的问题，不需要采取在Ag膏和与其邻接的LED芯片的各电极以及接合导线之间确保足够的绝缘距离这种对策，便可高密度地安装LED芯片。

此外，优选LED芯片的出射面以及第1开口部为矩形，以第1开口部的各边比LED芯片的出射面的各边大5～20％的方式构造。

此外，优选将第1凹部的深度设为d，将从发光层到第1凹部的底面的距离设为t1，将模粘合剂的膜厚设为t2时，满足t2<d<t1。

此外，能够以如下方式构造：在基板的表面形成有具有比第1开口部略大的第2开口部的第2凹部，且第1凹部形成于第2凹部内部。

此外，优选在第1凹部与LED芯片之间的缝隙中至少在从LED芯片射出的光的波长区域中设有透过率低的遮光部件。

此外，能够以如下方式构造：还具备形成为从第1开口部的边缘部朝向LED芯片突出，至少在光的波长区域中遮光的遮光部件。此外，在这种情况下，遮光部件可构造成与图案部一体形成。

此外，能够以如下方式构造：在第1凹部的底面形成有具有比LED芯片的出射面略小的第3开口部的第3凹部，模粘合剂收纳于第3凹部。根据这种构造，能够确实地防止反馈光到达模粘合剂，因此，能够确实地抑制Ag离子迁移的产生。

此外，能够以如下方式构造：LED芯片在出射面侧具有阴极端子以及阳极端子，基板为具有导电性的金属基板，图案部与金属基板一体形成。

此外，能够以如下方式构造：LED芯片在出射面侧具有阴极端子以及阳极端子，基板具有绝缘性。

此外，能够以如下方式构造：LED芯片在出射面侧具有阴极端子或者阳极端子中的任意一个，在第1凹部的底面侧具有任意另外一个，基板具有绝缘性。

此外，能够以如下方式构造：LED芯片在出射面侧具有阴极端子或者阳极端子中的任意一个，在第1凹部的底面侧具有任意另外一个，基板为具有导电性的金属基板，金属基板具有绝缘层，与图案部间电性绝缘

此外，优选由LED芯片射出的光包含紫外线波长区域的光。

此外，从其他的观点出发，本发明的发光装置

具备：基板；图案部，形成于基板的表面且具有导电性；LED(Light Emitting Diode)芯片，载置于图案部的表面，且从出射面射出来自发光层的光；其中，在图案部的表面形成有第1凹部,其具有比LED芯片的出射面略小的开口部；LED芯片介由填充于第1凹部内，且至少含有银成分的模粘合剂接合于图案部。

根据这种构造，即使从LED出射的紫外光的一部分作为反馈光返回，也不会到达模粘合剂，能够确实地抑制Ag离子迁移的产生。

此外，进而从其他观点出发，本发明的发光装置的制造方法为一种具备基板、载置于该基板，且从出射面射出来自发光层的光的LED芯片的发光装置的制造方法，其包括以下工序：在基板上生成导电性的图案部的工序；在图案部的表面形成具有比LED芯片的出射面略大的开口部的凹部的工序；在凹部的底面涂布至少含有银成分的模粘合剂的工序；将LED芯片收纳于凹部内，通过模粘合剂粘合LED芯片与凹部的底面的工序。此外，在这种情况下，LED芯片在出射面侧至少具备一个电极，进而能够包括在电极上接合导线的工序。

发明的效果

如上所述，根据本发明，能够实现在Ag膏上不实施涂布等，而以简单的构造，在抑制Ag离子迁移的同时，可高密度地安装的发光装置及其制造方法。

附图说明

图1为涉及本发明的实施方式的发光装置的平面图。

图2为图1的A部的放大剖面图。

图3为说明涉及本发明的实施方式的发光装置的LED芯片与凹部的关系图。

图4为说明涉及本发明的第1实施方式的发光装置的制造工序的流程图。

图5为涉及本发明的第2实施方式的发光装置的剖面图。

图6为涉及本发明的第3实施方式的发光装置的剖面图。

图7为涉及本发明的第4实施方式的发光装置的剖面图。

图8为涉及本发明的第5实施方式的发光装置的剖面图。

图9为涉及本发明的第6实施方式的发光装置的剖面图。

图10为涉及本发明的第7实施方式的发光装置的剖面图。

图11为涉及本发明的第8实施方式的发光装置的剖面图。

图12为涉及本发明的第9实施方式的发光装置的剖面图。

图13为涉及本发明的第10实施方式的发光装置的剖面图。

图14为涉及本发明的第11实施方式的发光装置的剖面图。

图15为涉及本发明的第12实施方式的发光装置的剖面图。

图16为涉及本发明的第13实施方式的发光装置的剖面图。

图中：

100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300 发光装置

101、201、401、901、1001 基板

102 正极端子

103 负极端子

110、910 LED芯片

110a、910a 出射面

110b、910b 阴极端子

110c、910c 阳极端子

110d 发光层

112、412、1112、1212、1312 图案部

112a、412a、112aM、1112a、1212a、1301a 开口部(第1开口部)

112b、412b、112bM、1112b、1212b、1301b 开口部(第1凹部)

112c、412c、112cM、1212c 平坦部

114 接合导线

116 模粘合剂

201a 绝缘层

401a 开口部(第2开口部)

401b 凹部(第2凹部)

513、613 遮光材料

715 遮光部件

1112c 开口部(第3开口部)

1112d 凹部(第3凹部)

1305 导体部。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式加以详细说明。再者，对图中相同或者相当的部分标记相同的符号，不再反复进行说明。

第1实施方式

图1为涉及本发明的第1实施方式的发光装置100的平面图。此外，图2为图1的A部的放大剖面图。本实施方式的发光装置100为搭载于紫外光照射装置并发出紫外光的装置，如图1所示，在基板101上具备多个(图1中为10个)LED芯片110等。

基板101为由具有绝缘性的基材构成的所谓的配线基板。具有绝缘性的基材是指，例如，陶瓷(氮化铝、氧化铝、氮化硅、碳化硅等)。如图1所示，在基板101的表面形成有由具有导电性的金属材料(例如，铜、铝)构成的10个矩形的图案部112、1个正极端子102和1个负极端子103。此外，如图2所示，在本实施方式的图案部112的表面中央部，形成有具有比LED芯片110的出射面110a略大的矩形开口部112a(第1开口部)的凹部112b(第1凹部)，在凹部112b的周围(即，图案部112表面的外周边缘部侧)形成有用于焊入接合导线114的平坦部112c。

LED芯片110呈四棱柱形，在上面(即，出射面110a)具备阴极端子110b，在下面具备阳极端子110c。并且，若在阳极端子110c与阴极端子110b之间施加电流，则在发光层110d中产生紫外光(例如，波长为385nm的光)，并从出射面110a射出。在本实施方式中，LED芯片110收纳于凹部112b，介由模粘合剂116接合凹部112b的底面与LED芯片110的下面(即，阳极端子110c)。

模粘合剂116为用于机械性以及电性接合LED芯片110与图案部112的部件，在本实施方式中，使用具有导电性的银(Ag)膏。

各LED芯片110的阴极端子110b介由接合导线114来连接邻接于LED芯片110的一侧(图1以及图2中的右侧)的接合了LED芯片110的图案部112的平坦部112c，邻接的LED芯片110分别串联链接。此外，图1中，位于最左侧的接合了LED芯片110的图案部112介由接合导线114来连接形成于基板101的正极端子102，位于最右侧的LED芯片110的阴极端子110b介由接合导线114来连接形成于基板101的负极端子103。正极端子102以及负极端子103连接于没有图示的电源装置，通过电源装置在正极端子102与负极端子103之间施加电流，由此，串联连接于正极端子102与负极端子103之间的多个LED芯片110中通有电流，从各LED芯片110射出紫外光。并且，从各LED芯片110射出的紫外光通过配置于LED芯片110的上方(即，光路中)的没有图示的盖玻璃，向照射对象物(没有图示)照射。

如上所述，从本实施方式的各LED芯片110射出的紫外光通过盖玻璃，到达照射对象物，但存在紫外光通过盖玻璃时，其中一部分通过盖玻璃的入射面以及出射面反射，从而返回LED芯片110侧的问题。此外，还存在从各LED芯片110射出的紫外光通过照射对象物反射，而返回LED芯片110侧的问题。如上所述，若从各LED芯片110射出的紫外光返回LED芯片110侧(以下，将返回LED芯片110侧的光称为“反馈光”)，则反馈光射入模粘合剂116，模粘合剂116中含有的Ag离子化，诱发Ag离子迁移。因此，在本实施方式中，为抑制反馈光射入模粘合剂，以包围LED芯片110周围的方式形成凹部112b。

图3为图2的部分放大图，为说明LED芯片110与凹部112b的关系的图。如图3所示，本实施方式的LED芯片110的上面以及下面呈一边的长度为a1(例如，约1，000μm)的正方形，凹部112b的开口部112a呈一边的长度为a2的正方形。并且，开口部112a的一边的长度a2比LED芯片110的一边的长度a1略大，在本实施方式中，考虑LED芯片110的尺寸的公差，以相对于LED芯片110的一边的长度a1大5～20％的方式设定。再者，穿过LED芯片110与凹部112b之间的缝隙而朝向模粘合剂116的反馈光因为LED芯片110与凹部112b之间的缝隙越来越窄而减少，因此优选开口部112a的一边的长度a2以相对于LED芯片110的一边的长度a1大5～10％的方式设定。

此外，在本实施方式中，来自发光层110d的紫外光从LED芯片110的侧面射出的时候(在具有所谓的“侧面发光”的情况下)，为了抑制该紫外光进入LED芯片110与凹部112b之间的缝隙，而射入模粘合剂16，因此，平坦部112c以位于比模粘合剂116高，且比发光层110d低的位置的方式构造。即，以如下方式构造：将凹部112b的深度设为d，将LED芯片110的发光层110d到凹部112b的底面的距离设为t1，将模粘合剂116的厚度设为t2的时候，满足以下公式(1)。

t2<d<t1…(1)

如上所述，在满足公式(1)的情况下，由于发光层110d配置于凹部112b的外侧(即，平坦部112c的上侧)，通过发光层110d发光的紫外光的大概全部朝向配置于LED芯片110的上方的照射对象物(没有图示)并射出。并且，从LED芯片110射出的紫外光的一部分如上所述，通过照射对象物等发射并返回，但LED芯片110的周围以及模粘合剂116的周围通过仅隔着缝隙设置的凹部112b包围，因此基本不存在穿过LED芯片110与凹部112b之间的缝隙朝向模粘合剂116的反馈光，能够抑制Ag离子迁移的产生。如上所述，本实施方式的凹部112b作为遮挡朝向模粘合剂的反馈光的一种遮光部件发挥作用，因此抑制Ag离子迁移。从而，根据本实施方式的构造，如以往所述，为消除Ag离子迁移，无需采取在模粘合剂116与与其邻接的LED芯片的各电极(即，阴极端子110b以及阳极端子110c)和接合导线114之间确保足够的绝缘距离这种对策，便能够在基板101上高密度地安装LED芯片110。

发光装置100的制造方法

接着，对本实施方式的发光装置100的制造方法加以说明。图4为说明本实施方式的发光装置100的制造工序的流程图。

图案部形成工序

首先，准备剪切为规定尺寸的基板101，在其表面通过众所周知的镀金法、厚膜法、薄膜法、DBC(Direct Bonded Copper)、AMC(Active Brazed Copper)形成图案部112。形成图案部112。

凹部形成工序

接着，通过众所周知的蚀刻、喷砂、机械加工等对图案部112的表面中央进行切割，形成凹部112b。再者，作为其他的实施方式，也能够通过众所周知的掩模电镀、蒸镀、溅射、丝网印刷等使图案部112的凹部112b的周围(即，平坦部112c)生长，在图案部112的中央部形成凹部112b。

模粘合剂涂布工序

接着，在凹部112b的底面的大概中心部，使用分配器和转印针，涂布规定量的模粘合剂116。

接合工序

接着，使用芯片接合和安装座等，在凹部112b的大概中心部安装LED芯片110，通过模粘合剂接合LED芯片110的下面和凹部112b的底面。

导线粘合工序

进而，最后，使用导线焊接等，通过接合导线114连接各LED芯片110的阴极端子110b、和邻接的LED芯片110所接合的图案部112的平坦部112c，图1中，通过接合导线114连接位于最左侧的LED芯片110所接合的图案部112，和形成于基板101的正极端子102，通过接合导线114连接位于最右侧的LED芯片110的阴极端子110b，和形成于基板101的负极端子103，进而完成本实施方式的发光装置100。

以上虽为本发明的实施方式的说明，但本发明并不限定于上述实施方式的构造，在其技术构想范围内可有多种变形。

例如，在本实施方式中，LED芯片110的上面以及下面为正方形，此外，凹部112b的开口部112a也为正方形，但凹部112b的开口部112a的形状最好为与LED芯片110的上面以及下面相似的形状，在这种情况下，优选以相对于LED芯片110的上面以及下面(即，外形)大5～20％，最好大5～10％的方式设定凹部112b的开口部112b。

此外，在本实施方式中，LED芯片110虽作为发出波长为385nm的光的部件加以说明，但也可以为发出其他紫外光区域波长的光的部件，也可为发出可视区域或者红外区域的波长的光的部件。

第2实施方式

图5为涉及本发明的第2实施方式的发光装置200的剖面图。本实施方式的发光装置200的基板201通过具有导电性的基材(例如铜和铝等的金属基板)构造，在基板201的表面(即，在基板201与图案部112之间)形成有具有绝缘性的绝缘层201a，这点与第1实施方式的发光装置100不同。

作为本实施方式的基板201可适用例如铜和铝等的金属基板，作为绝缘层201a，可使用例如SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、ZnO2、Nb2O5、MgO、TaO2、HfO、Y2O3等的氧化物和SiN、AlN、AlON等的氮化物、MgF2等氟化物为主要成分的薄膜，和陶瓷、玻璃环氧、聚酰亚胺、PEEK(polyetheretherketone)、尤尼莱特等树脂。本实施方式的绝缘层201a在图案部形成工序之前，通过溅射、蒸镀法等进行成膜(形成)工序。

如上所述，若在基板201与图案部112之间形成具有绝缘性的绝缘层201a，则使具有导电性的基板201适用于本发明成为可能。再者，从将由LED芯片110产生的热量有效地传导至基板201的观点出发，优选用热传导率高的材料构造绝缘层201a，较薄地构造等，可降低绝缘层201a的热阻力。

第3实施方式

图6为涉及本发明的第3实施方式的发光装置300的剖面图。本实施方式的发光装置300的绝缘层201a部分形成于基板201的表面(即，只在图案部112的正下方)，这点与第2实施方式的发光装置200不同。

如上所述，即使将绝缘层仅形成于图案部112的正下方，与第2实施方式相同，使具有导电性的基板201适用于本发明成为可能。

第4实施方式

图7为涉及本发明的第4实施方式的发光装置400的剖面图。本实施方式的发光装置400在基板401的表面形成有矩形的凹部401b(第2凹部)，且以覆盖凹部401b的方式形成图案部412，这点与第1实施方式的发光装置100不同。

如图7所示，本实施方式的图案部412由凹部412b(第1凹部)中的厚度与平坦部412c中的厚度大概相同的薄膜形成，基板401的凹部401b具有比形成于图案部412的凹部412b的开口部412a(第1开口部)略大的开口部401a(第2开口部)，凹部412b形成于凹部401b的内部。再者，本实施方式的凹部401b在图案部形成工序之前通过喷砂、激光加工等形成。此外，作为其他的实施方式，如第2以及第3实施方式所示，也能够通过具有导电性的基材(例如，铜和铝等金属基板)构造基板401，在基板401与图案部412之间形成绝缘层的构造。

如上所述，即使为使基板401的表面与图案部412的表面两者凹陷的构造，只要满足上述公式(1)，则与第1实施方式相同，能够抑制Ag离子迁移的产生。

第5实施方式

图8为涉及本发明的第5实施方式的发光装置500的剖面图。本实施方式的发光装置500在LED芯片110与凹部112b之间的缝隙填充紫外光的透过率低的遮光材料513(遮光部件)，这点与第1实施方式的发光装置100不同。

作为遮光材料513，适用具有流动性的材料，例如，可使用氟树脂、有机硅树脂、UV硬化树脂、焊料、铝等。此外，也可适用含有吸收紫外光的添加物的材料，或含有反射紫外光的添加物的材料的氟树脂、有机硅树脂、UV硬化树脂。再者，本实施方式的遮光材料513在接合工序之后填充于LED芯片110与凹部112b之间的缝隙。

如上所述，若在LED芯片110与凹部112b之间的缝隙填充遮光材料，则反馈光通过遮光材料513被吸收，因此基本没有到达模粘合剂的反馈光，进而能够抑制Ag离子迁移的产生。

第6实施方式

图9为涉及本发明的第6实施方式的发光装置600的剖面图。本实施方式的发光装置600在LED芯片110与凹部412b之间的缝隙填充紫外光的透过率低的遮光材料613(遮光部件)，这点与第4实施方式的发光装置100不同。

如上所述，在第4实施方式的发光装置400中，与第5实施方式相同，通过在LED芯片110与凹部412b之间的缝隙填充紫外光的透过率低的遮光材料613，进而能够抑制Ag离子迁移的产生。

第7的实施方式

图10为涉及本发明的第7实施方式的发光装置700的剖面图。本实施方式的发光装置700设置有从图案部112的平坦部112c向LED芯片110延伸的板状遮光部件715(遮光部件)，这点与第1实施方式的发光装置100不同。

作为遮光部件715，适用具有耐UV性的材料，例如，能够使用特氟龙(注册商标)树脂、聚酰亚胺、PEEK、紫外线去除玻璃、ND滤光器等的彩色玻璃、板状金属(例如，铝、铜、不锈钢)等。再者，本实施方式的遮光部件715在接合工序之后，以填于LED芯片110与凹部112b(即，开口部112a)之间的缝隙的方式配置，并通过焊料和耐热性粘着剂等固着于平坦部112c上。

如上所述，若以填于LED芯片110与凹部112b(即，开口部112a)之间的缝隙的方式配置遮光部件715，则与第5以及第6实施方式相同，通过遮光部件715遮挡反馈光，因此基本没有到达模粘合剂116的反馈光，进而能够抑制Ag离子迁移的产生。

第8实施方式

图11为涉及本发明的第8实施方式的发光装置800。本实施方式的发光装置800以图案部112的平坦部112cM朝LED芯片110突出的方式(即，开口部112aM变窄的方式)形成凹部112bM，这点与第1实施方式的发光装置100不同。

如上所述，若以图案部112的平坦部112cM朝LED芯片110突出的方式构造，平坦部112cM作为一种遮光部件发挥作用，因此，与第7实施方式相同，基本没有到达模粘合剂116的反馈光，进而能够抑制Ag离子迁移的产生。

第9实施方式

图12为涉及本发明的第9实施方式的发光装置900的剖面图。本实施方式的发光装置900的基板901由具有导电性的基材(例如，铜和铝等金属基板)构成，具有导电性的图案部112与基板901一体形成，这点与第1实施方式的发光装置100不同。此外，LED芯片901在上面(即，出射面910a)上具备阴极端子901b以及阳极端子901c，这点与第1实施方式的发光装置不同。

本实施方式的LED芯片910为在透过紫外光的绝缘性基板(例如，蓝宝石基板)的表面结晶生长GaN等的外延层形成的LED芯片，在LED芯片910的上面形成有阴极端子910b以及阳极端子910c。此外，在LED芯片910的下面为具有绝缘性的蓝宝石基板。各LED芯片910的阴极端子910b介由接合导线114与邻接于LED芯片910的一侧(图12中的右侧)的LED芯片910的阳极端子910c连接，邻接的LED芯片910分别串联连接。

如上所述，使用具有导电性的基板901，也可将在上面(即，出射面910a)具备有阴极端子910b以及阳极端子910c的LED芯片910适用于本发明。再者，在本实施方式中，接合导线114不连接于图案部112，因此，虽然图案部112电气浮动，但图案部112与基板901一体形成，作为将由LED芯片910产生的热量有效地传导至基板901的热传导部件发挥作用。

第10实施方式

图13为涉及本发明的第10实施方式的发光装置1000的剖面图。本实施方式的发光装置1000的基板由具有导电性的基材(例如，铜和铝等金属基板)构成，且基板1001以兼具图案部412的方式构成(即，基板1001与图案部412一体形成)，这点与第4实施方式的发光装置400不同。此外，与第9实施方式相同，LED芯片910在上面(即，出射面910a)具备阴极端子910b以及阳极端子910c，这点与第4实施方式的发光装置400不同。

如上所述，通过使用以兼具图案部412的方式构成的基板1001，也可将在上面(即，出射面910a)具备有阴极端子910b以及阳极端子910c的LED芯片910适用于本发明。再者，在本实施方式中，与第9实施方式相同，接合导线114不连接于图案部412(即，基板1001)，因此，虽然图案部412电性漂浮，但图案部412与基板1001一体形成，因此能够有效地将LED芯片产生的热量传导至基板1001。

第11实施方式

图14为涉及本发明的第11实施方式的发光装置1100的剖面图。本实施方式的发光装置1100在图案部1112的凹部1112b(第1凹部)的底面形成有具有比LED芯片110的出射面110a略小的矩形的开口部1112c(第3开口部)的凹部1112d(第3凹部)，模粘合剂116收纳于凹部1112d，这点与第1实施方式的发光装置100不同。

根据如上所述的构造，假设即使反馈光通过LED芯片110与凹部1112b之间的缝隙，也不能到达模粘合剂116，能够确实地抑制Ag离子迁移。再者，凹部1112d能够在模粘合剂涂布工序之前，通过进行众所周知的蚀刻、喷砂、机械加工等来形成。

第12实施方式

图15为涉及本发明的第12实施方式的发光装置1200的剖面图。本实施方式的发光装置1200的图案部1212的矩形开口部1212a(第1开口部)形成为比LED芯片110的出射面小，这点与第1实施方式的发光装置100不同。

如图15所示，在本实施方式中，图案部1212的矩形开口部1212a(第1开口部)比LED芯片110的出射面110a小，凹部1212b(第1凹部)只收纳模粘合剂116，LED芯片110的下面以抵接于平坦部1212c的状态固着。

根据如上所述的构造，与第11实施方式相同，能够确实地防止反馈光射入模粘合剂116，因此能够确实地抑制Ag离子迁移的产生。

第13实施方式

图16为涉及本发明的第13实施方式的发光装置1300的剖面图。本实施方式的发光装置1300在基板1301的表面形成有具有比LED芯片110略大的矩形开口部1301a的凹部1301b，图案部1312只形成于凹部1301b的底面，这点与第1实施方式的发光装置100不同。此外，在基板1301上，形成有在基板1301的内部从基板1301的表面到图案部1312以L字形延伸的导体部1305，这点与第1实施方式的发光装置100不同。

本实施方式的基板1301与第1实施方式相同，为具有绝缘性的配线基板，导体部1305穿过从基板1301的表面到凹部1301b的壁面以L字形延伸的孔，在该孔中通过流通有焊料等导电性材料来形成。并且，图案部1312以与导体部1305电性连接的方式通过掩模电镀等形成于凹部1301b的底面。再者，作为其他的实施方式，导体部1305最好通过将通路插入基板1301内来形成。此外，若通过多层层叠基板构造基板1301，则导体部1305能够通过多层层叠基板的配线图案和通路的组合来形成。

在本实施方式中，LED芯片110收纳于凹部1301b，且图案部1312与LED芯片110的下面(即，阳极端子110c)介由模粘合剂接合。并且，各LED芯片110的阴极端子110b介由接合导线114与邻接于LED芯片110的一侧(图16的右侧)的LED芯片110电性连接的导体部1305连接，与第1实施方式相同，邻接的LED芯片分别串联连接。

如上所述，本实施方式的LED芯片的周围以及模粘合剂116的周围通过设置于基板1301的凹部1301b的壁面包围。由此，与第1实施方式相同，基本没有穿过LED芯片110与凹部1301b之间的缝隙朝向模粘合剂116的反馈光，能够抑制Ag离子迁移的产生。

再者，此次公开的实施方式为所有方面的示例，应该认为并不局限于此。本发明的范围并不限于上述说明，还包括根据权利要求所示，可以想到的包含与权利要求等效以及范围内的全部变更和替换。