一种光电转换器件、显示面板及其制作方法与流程

文档序号:16438843发布日期:2018-12-28 20:44阅读:305来源:国知局
一种光电转换器件、显示面板及其制作方法与流程

本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种光电转换器件、显示面板及其制作方法。

背景技术

光电转换器件主要是利用光电效应将光信号转换成电信号。自光电效应发现至今,光电转换器件获得了突飞猛进的发展,目前各种光电转换器件已广泛地应用在各行各业。



技术实现要素:

本发明提供一种光电转换器件、显示面板及其制作方法,以提供一种新型的光电转换器件的结构。

本发明实施例提供一种光电转换器件,包括:压电传感构件、位于所述压电传感构件之上与至少部分所述压电传感构件接触的光致形变构件,其中,

所述光致形变构件用于在受光照射时产生形变,并引起所述压电传感构件产生形变以形成电信号。

在一种可能的实施方式中,所述压电传感构件包括依次层叠设置的第一电极、压电膜层和第二电极。

在一种可能的实施方式中,所述光致形变构件包括光致形变膜层,所述光致形变膜层的材质为交联液晶高分子。

本发明实施例还提供一种显示面板,包括:设置在衬底基板之上的发光器件和多个本发明实施例提供的所述光电转换器件,多个所述光电转换器件用于接受手指反射的光线,对手指指纹进行识别。

在一种可能的实施方式中,所述衬底基板与所述压电传感构件之间还设置有第一膜层,所述第一膜层在与所述压电传感构件对应的位置处设置有镂空区域;

所述光致形变构件之上还设置有第二膜层,所述第二膜层朝向所述光致形变构件的一面在与所述压电传感构件对应的区域设置有凹槽;

所述第一膜层的所述镂空区域与所述第二膜层的所述凹槽构成空腔结构,所述压电传感构件的设置有所述光致形变构件的部分与所述光致形变构件位于所述空腔结构内。

在一种可能的实施方式中,所述第二膜层在所述凹槽的位置处还设置有通孔,所述通孔由所述凹槽的内底面延伸至所述第二膜层背离所述第一膜层的上表面;

所述第二膜层之上还设置有第三膜层,所述第三膜层具有填充所述通孔的填充部。

在一种可能的实施方式中,所述衬底基板与所述第一膜层之间设置有第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的源极与所述压电传感构件的所述第一电极连接;

与所述第一薄膜晶体管的所述源极的同层还设置有第二电极引线,所述第二电极引线与所述压电传感构件的所述第二电极连接。

在一种可能的实施方式中,所述显示面板还设置有驱动各个所述发光器件发光的第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的各个膜层与所述第二薄膜晶体管的各个对应膜层同层设置,所述发光器件位于所述第三膜层之上。

在一种可能的实施方式中,还包括位于所述第三膜层远离所述衬底基板一侧的阳极像素界定层,所述像素界定层位于相邻两个所述阳极之间的部分在所述衬底基板上的正投影与所述光致形变构件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

本发明实施例还提供一种制作如本发明实施例提供的所述显示面板的制作方法,所述制作方法包括:

在衬底基板之上形成压电传感构件;

在部分所述压电传感构件之上形成光致形变构件。

在一种可能的实施方式中,在衬底基板之上形成第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第二电极引线;

形成第一膜层,并在所述第一膜层上形成镂空区域,形成暴露所述第一薄膜晶体管源极的第一过孔,以及形成暴露所述第二薄膜晶体管源极的第二过孔,以及形成暴露所述第二电极引线的第三过孔;

在所述镂空区域内形成第一牺牲层。

在一种可能的实施方式中,所述在衬底基板之上形成压电传感构件,具体包括:

形成第一电极,其中,所述第一电极通过所述第一过孔与所述第一薄膜晶体管的所述源极连接,所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一牺牲层在所述衬底基板上的正投影仅部分重叠;

在所述第一电极之上形成压电膜层;

在所述压电膜层之上形成第二电极,其中,所述第二电极通过所述第三过孔与所述第二电极引线连接。

在一种可能的实施方式中,所述在部分所述压电传感构件之上形成光致形变构件,具体包括:

在所述第二电极之上形成光致形变膜层,其中,所述光致形变膜层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一牺牲层的所述第一部的在所述衬底基板上的正投影内。

在一种可能的实施方式中,在所述第二电极之上形成光致形变膜层之后,所述制作方法还包括:

在所述光致形变膜层之上形成第二牺牲层,所述第二牺牲层在衬底基板上的正投影与所述第一牺牲层在所述衬底基板上的正投影重叠,且所述第二牺牲层与所述第一牺牲层接触;

在所述第二牺牲层之上形成第二膜层,并在所述第二膜层形成暴露所述第二牺牲层的通孔,以及形成暴露所述第二薄膜晶体管的源极的第四过孔;

去除所述第二牺牲层和所述第一牺牲层,进而形成空腔结构。

在一种可能的实施方式中,在去除所述第二牺牲层和所述第一牺牲层之后,所述制作方法还包括:

在所述第二膜层之上形成具有预设粘度的第三膜层,其中,所述第三膜层密封所述第二膜层的所述通孔。

本发明实施例有益效果如下:本发明实施例提供的光电转换器件,包括压电传感构件、位于压电传感构件之上且与至少部分压电传感构件接触的光致形变构件,进而在有光照射到光致形变构件时,光致形变构件产生形变,由于压电传感构件与光致形变构件接触,进而光致形变发生形变时,会引起与其接触的压电传感构件发生形变,而压电传感构件在发生形变时,可以形成电信号,进而可以实现将光信号转换为电信号。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种光电转换器件的结构示意图;

图2为本发明实施例提供的一种具体的光电转换器件的结构示意图;

图3为本发明实施例提供的另一种具体的光电转换器件的结构示意图;

图4为本发明实施例提供的一种设置有光电转换器件的有机发光显示器件的结构示意图;

图5为本发明实施例提供的一种设置有第一薄膜晶体管的有机发光显示器件的结构示意图;

图6为本发明实施例提供的一种设置有第二薄膜晶体管的有机发光显示器件的结构示意图;

图7为本发明实施例提供的一种显示面板的制作流程示意图;

图8为本发明实施例提供的一种在形成压电传感部件之前还形成第一牺牲层的显示面板的制作流程示意图;

图9为本发明实施例提供的一种形成压电传感构件的具体制作流程示意图;

图10为本发明实施例提供的一种在形成压电传感部件之后还形成空腔结构的显示面板的制作流程示意图;

图11为本发明实施例提供的一种在形成空腔结构之后还形成第三膜层的显示面板的制作流程示意图;

图12为本发明实施例提供的一种形成薄膜晶体管后的显示面板的结构示意图;

图13为本发明实施例提供的一种形成第一膜层后的显示面板的结构示意图;

图14为本发明实施例提供的一种形成第一牺牲层后的显示面板的结构示意图;

图15为本发明实施例提供的一种形成第一电极后的显示面板的结构示意图;

图16为本发明实施例提供的一种形成压电膜层后的显示面板的结构示意图;

图17为本发明实施例提供的一种形成第二电极后的显示面板的结构示意图;

图18为本发明实施例提供的一种形成光致形变膜层后的显示面板的结构示意图;

图19为本发明实施例提供的一种形成第二牺牲层后的显示面板的结构示意图;

图20为本发明实施例提供的一种形成第二膜层后的显示面板的结构示意图;

图21为本发明实施例提供的一种去除第一牺牲层和第二牺牲层后的显示面板的结构示意图;

图22为本发明实施例提供的一种形成第三膜层后的显示面板的结构示意图;

图23为本发明实施例提供的一种形成像素单元的阳极后的显示面板的结构示意图。

具体实施方式

为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。

除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明,本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。

参见图1,本发明实施例提供一种光电转换器件,包括:压电传感构件2、位于压电传感构件2之上与至少部分压电传感构件接触的光致形变构件3,其中,光致形变构件3用于受光照射时产生形变,并引起压电传感构件2产生形变以形成电信号。

本发明实施例提供的光电转换器件,包括压电传感构件、位于压电传感构件之上且与至少部分压电传感构件接触的光致形变构件,进而在有光照射到光致形变构件时,光致形变构件产生形变,由于压电传感构件与光致形变构件接触,进而光致形变发生形变时,会引起与其接触的压电传感构件发生形变,而压电传感构件在发生形变时,可以形成电信号,进而可以实现将光信号转换为电信号。

在具体实施时,对于本发明实施例中的压电传感构件2,参见图2所示,压电传感构件2具体可以包括第一电极21、位于第一电极21之上的压电膜层22、以及位于压电膜层22之上的第二电极23,压电膜层22受压发生形变时产生电信号,第一电极21和第二电极23将形成的电信号传导至外电路。

在具体实施时,对于本发明实施例中的光致形变构件3,参见图3所示,光致形变构件3包括光致形变膜层30,光致形变膜层30受光照射时产生形变。可选地,光致形变膜层30的材质为交联液晶高分子。液晶是介于固态和液态之间的一种物态,根据分子量的大小,液晶分子可分为小分子液晶和液晶高分子。与小分子液晶相比,液晶高分子一般具有高强度高模量,且机械强度和热稳定性较好,而与其它高分子相比,又具有液晶的有序分子结构液晶高分子可以通过彼此适度的交联形成液晶高分子网络,称之为交联液晶高分子,其中交联度相对较低的交联液晶高分子也称为液晶弹性体。交联液晶高分子结合了液晶的各向异性以及高分子网络的橡胶弹性,因此其具有优异的分子协同作用,且能够在外场(热、光、电、磁、溶剂等)的刺激作用下,通过改变液晶基元的有序排列而产生各向异性的形状变化。

基于同一发明构思,本发明实施例还提供一种显示面板,包括:设置在衬底基板之上的发光器件和多个如本发明实施例提供的光电转换器件,多个光电转换器件用于接受手指反射的光线,对手指指纹进行识别。

本发明实施例提供的显示面板,具有多个衬底基板之上的光电转换器件,每一光电转换器件包括压电传感构件、位于部分压电传感构件之上的光致形变构件,进而在需要进行指纹识别时,手指具有指纹的一侧朝向显示面板时,显示面板的光经过手指反射,反射的光线照射到光致形变构件时,光致形变构件产生形变,进而带动压电传感构件产生形变,压电传感构件产生形变时形成电信号,进而对手指的指纹进行识别。

多个光电转换器件可以设置在显示面板的显示区,也可以设置在显示面板的非显示区。多个光电转换器件设置在显示面板的显示区时,具体可以在显示面板显示区的各个位置均设置光电转换器件,以使显示面板的任一区域均可以实现指纹识别;而为了简化显示面板的制作过程以及简化显示面板内部元件或走线的复杂度,也可以是只在显示面板显示区的预设识别区域设置多个光电转换器件,而该预设识别区域为指定的用于进行指纹识别的区域。对于手指反射的光线的来源,具体可以是显示面板自身,即,显示面板发出的光线经手指反射后照射到光致形变构件,而本发明实施例的显示面板具体可以为有机发光显示面板。

在具体实施时,对于本发明实施例提供的显示面板,参见图4所示,衬底基板1与光电转换器件之间还设置有第一膜层51,第一膜层51在与压电传感构件2对应的位置处设置有镂空区域513;光致形变构件3之上还设置有第二膜层52,第二膜层52朝向光致形变构件3的一面在与压电传感构件2对应的区域设置有凹槽520;第一膜层51的镂空区域513与第二膜层52的凹槽520构成空腔结构,压电传感构件2的设置有光致形变构件3的部分与光致形变构件3位于空腔结构内。

在具体实施时,第二膜层52在凹槽520的位置处还设置有通孔521,通孔521由凹槽520的内底面延伸至第二膜层52背离第一膜层51的上表面;第二膜层52之上还设置有第三膜层53,第三膜层53具有填充通孔521的填充部530,发光器件具体可以位于第三膜层53之上。

本发明实施例中,第二膜层52在凹槽520处还设置有通孔521,可以在具体空腔结构的制作过程中,可以先在空腔结构的空隙处先形成牺牲层,再通过通孔向空腔结构内浸入易刻蚀牺牲层的刻蚀液,进而可以去除牺牲层,形成空腔结构。

需要说明的是,图4仅是以显示面板设置的一个光电转换器件进行示意说明,本发明并不以此为限。在具体实施时,对于本发明实施例的多个光电转换器件,具体可以呈阵列分布,通过多个光电转换器件检测到的光信号的组合进而实现对手指指纹的识别。

对于本发明实施例中的空腔结构,由于本发明实施例中的光致形变构件在受光照射时,会发生形变,而光致形变构件形变时,也会带动压电传感构件形变,若不设置空腔结构,即,将光致形变构件以及压电传感构件与光电转换器件的其它膜层直接接触设置,一方面,光致形变构件以及压电传感构件由于受空间限制,难以发生形变,另一方面,在光致形变构件以及压电传感构件发生形变时,则有可能由于体积的变化导致与其接触的其它膜层也发生形变,进而可能导致显示面板的功能损坏,而本发明实施例中设置的空腔结构,可以使光致形变构件以及压电传感构件的周围区域为空隙,即,光致形变构件背离压电传感构件的一侧具有空隙,压电传感器背离光致形变构件的一侧也具有空隙,空腔结构的设置为光致形变构件以及压电传感构件形变时,提供了一个容纳其体积变化的空间,进而可以避免对光电转换器件其它膜层的损坏。对于手指反射的光线的来源,具体可以是在光电转换器件设置一背光源,使背光源发出的光经手指反射后照射到光致形变构件。

在具体实施时,参见图5所示,衬底基板1与第一膜层51之间设置有第一薄膜晶体管71,具体可以将第一薄膜晶体管71设置在第一膜层51的下方。第一薄膜晶体管71具体可以包括栅极711、位于栅极711之上的栅极绝缘层712、位于栅极绝缘层712之上的有源层713、位于有源层713之上的源极715和漏极714。第一薄膜晶体管71的源极715与第一电极21连接,具体可以通过第一过孔511与第一电极21连接,将第一电极21的电信号传导至外电路;与第一薄膜晶体管71的源极715的同层还设置有第二电极引线73,第二电极引线73与第二电极23连接,具体可以通过第三过孔514与第二电极23连接,将第二电极23的电信号传导至外电路。在源极715和漏极714之上还可以设置钝化层74。第一膜层51具体还可以设置有暴露第一薄膜晶体管71源极715的第一过孔511,以及暴露第二电极引线73的第三过孔514。

本发明实施例中,通过第一薄膜晶体管71与压电传感构件2的第一电极21连接,进而可以在进行指纹识别时,对指纹识别的位置进行定位。而且,将用于导出第二电极信号的第二电极引线73与第一薄膜晶体管71的源极715同层设置,可以进一步简化显示面板的制作工艺,即不需要单独的增加第二电极引线73的制作步骤。

在具体实施时,参见图6所示,显示面板在衬底基板1之上还设置有用于驱动显示面板的像素单元进行发光的第二薄膜晶体管72,第二薄膜晶体管72具体可以包括栅极711、位于栅极711之上的栅极绝缘层712、位于栅极绝缘层712之上的有源层713、位于有源层713之上的源极715和漏极714。显示面板还设置有光电转换器件,光电转换器件包括压电传感构件2(压电传感构件2具体可以包括第一电极21、位于第一电极21之上的压电膜层22、以及位于压电膜层22之上的第二电极23)、位于部分压电传感构件2之上的光致形变构件3(光致形变构件3包括光致形变膜层30)、以及空腔结构4。具体的,显示面板在衬底基板之上还设置将光电转换器件的电信号传输到外电路的第一薄膜晶体管71,第一薄膜晶体管71具体可以包括栅极711、位于栅极711之上的栅极绝缘层712、位于栅极绝缘层712之上的有源层713、位于有源层713之上的源极715和漏极714。第一薄膜晶体管71的源极715与第一电极21连接,光电转换器件设置在第一薄膜晶体管之上。第一电极21具体可以通过第一过孔511与第一薄膜晶体管71的源极715连接。第一薄膜晶体管71的各个膜层与第二薄膜晶体管72的各个对应膜层同层设置。即,第一薄膜晶体管71的栅极711和第二薄膜晶体管72的栅极711同层设置,第一薄膜晶体管71的有源层713和第二薄膜晶体管72的有源层713同层设置。第一薄膜晶体管71的源极715和漏极714和第二薄膜晶体管72的源极715和漏极714同层设置。显示面板在源极715和漏极714之上还可以设置钝化层74。

本发明实施例中,在将光电转换器件设置在显示面板时,第一电极与第一薄膜晶体管连接,即,通过第一薄膜晶体管导出检测到的电信号,而第一薄膜晶体管的各个膜层与驱动显示面板的像素单元发光的第二薄膜晶体管的各个对应膜层同层设置,可以简化在显示面板上制作本发明提供的光电转换器件的制作工艺,即,第一薄膜晶体管的制作不需要额外的增加工艺步骤。

在具体实施时,参见图6所示,显示面板在第三膜层53远离衬底基板1一侧还可以设置有发光器件的阳极6以及间隔各发光器件的像素界定层9。其中,阳极6与第二薄膜晶体管72的源极715连接。像素界定层9位于相邻两个阳极6之间的部分在衬底基板1上的正投影与光致形变构件在衬底基板上的正投影至少部分重叠。显示面板具体可以为顶发射结构,阳极具体可以为反射阳极,即,在图6中,光沿向上的方向发出,手指触摸面板时,位于显示面板的上方。像素界定层具体可以为透明膜层。

本发明实施例中,显示面板一般包括多个相互独立的发光器件,每一发光器件具体可以包括阳极、位于阳极之上的有机发光层、位于有机发光层之上的阴极层,而在将光电转换器件设置在显示面板的显示区时,在垂直于衬底基板的方向上,像素界定层位于相邻两个阳极之间的部分在衬底基板上的正投影与光电转换器件在衬底基板上的正投影至少部分重叠,也即,每一光电转换器件具体可以位于相邻两个发光器件之间的间隙处,进而显示面板发出的光经手指发射后,可以通过两个发光器件之间的间隙照射到光电转换器件,进而以实现指纹识别。

基于同一发明构思,参见图7所示,本发明实施例还提供一种制作如本发明实施例提供的显示面板的制作方法,制作方法包括:

步骤s100、在衬底基板之上形成压电传感构件。

步骤s200、在部分压电传感构件之上形成光致形变构件。

在具体实施时,参见图8所示,在衬底基板之上形成压电传感构件之前,制作方法还包括:

步骤s101、在衬底基板之上形成驱动像素单元发光的第二薄膜晶体管的各个膜层,并同时形成第一薄膜晶体管对应的各个膜层,以及同时形成第二电极引线;

步骤s102、在第二薄膜晶体管之上形成第一膜层,并在第一膜层的与压电传感构件对应的位置处形成镂空区域,并形成暴露第一薄膜晶体管源极的第一过孔,以及形成暴露第二薄膜晶体管源极的第二过孔,以及形成暴露第二电极引线的第三过孔;

步骤s103、在镂空区域内形成第一牺牲层,其中,第一牺牲层在基板上的正投影与第一膜层的镂空区域在基板上的正投影重叠。

本发明实施例中,通过在第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管之上形成第一膜层,并在第一膜层的与压电传感构件对应的位置处形成镂空区域,而在镂空区域处形成的第一牺牲层,后期在通过注入刻蚀第一牺牲层的刻蚀液,进而可以形成空腔结构的下部。而且,形成的第一膜层以及第一牺牲层,可以为后续形成的压电传感构件的各个膜层在空腔结构以外的部分进行支撑。

在具体实施时,参见图9所示,对于步骤s100、在衬底基板之上形成压电传感构件,具体包括:

步骤s110、在第一牺牲层之上形成第一电极,其中,第一电极通过第一过孔与第一薄膜晶体管的源极连接,第一电极在衬底基板上的正投影与第一牺牲层在衬底基板上的正投影仅部分重叠。具体的,可以是在垂直于衬底基板的方向上,第一牺牲层的第一部的正投影、第一膜层的第二部的正投影、以及第一过孔的正投影的组合与第一电极的正投影重叠,其中,第一电极通过第一过孔与第一薄膜晶体管的源极连接,第二部为镂空区域与第一过孔之间的第一膜层,第一部为与第二部接触的部分第一牺牲层;

其中,需要说明的是,要求第一牺牲层的第一部的正投影、第一膜层的第二部的正投影、以及第一过孔的正投影的组合与第一电极的正投影重叠,即,第一电极并非覆盖全部的第一牺牲层,而是使第一电极覆盖第一牺牲层的与第二部接触的部分第一牺牲层,在后期通过溶液刻蚀去除第一牺牲层时,若第一电极完全覆盖第一牺牲层,则刻蚀液无法与第一牺牲层接触,进而无法去除第一牺牲层,即,使第一电极与第一牺牲层在垂直与衬底基板的方向上,二者进行错位,并非完全对齐,以为了后期可以通过刻蚀液去除第一牺牲层。具体的第一牺牲层的材质可以为氧化锌,而刻蚀液具体可以为酸性溶液。

步骤s120、在第一电极之上形成压电膜层。具体的,在垂直于衬底基板的方向上,第一电极的正投影、第一过孔与第三过孔之间的第一膜层的正投影的组合与压电膜层的正投影重叠;

步骤s130、在压电膜层之上形成第二电极,其中,第二电极通过第三过孔与第二电极引线连接。具体的,在垂直于衬底基板的方向上,压电膜层的正投影与第三过孔的正投影的组合与第二电极的正投影重叠。

在具体实施时,对于步骤s200、在部分压电传感构件之上形成光致形变构件,具体包括:在第二电极之上形成光致形变膜层,其中,光致形变膜层在衬底基板上的正投影位于第一牺牲层在所述衬底基板上的正投影内。具体的,可以是光致形变膜层在衬底基板上的正投影与第一牺牲层的第一部的在衬底基板上的正投影重叠。

在具体实施时,参见图10所示,在第二电极之上形成光致形变膜层之后,制作方法还包括:

步骤s201、在光致形变膜层之上形成第二牺牲层,第二牺牲层在衬底基板上的正投影与第一牺牲层在衬底基板上的正投影重叠,且第二牺牲层与第一牺牲层接触;

步骤s202、在第二牺牲层之上形成第二膜层,并在第二膜层形成暴露第二牺牲层的通孔,以及形成暴露第二薄膜晶体管的源极的第四过孔;

步骤s203、去除第二牺牲层和第一牺牲层,进而形成空腔结构。具体的,可以通过通孔浸入预设溶液,以通过预设溶液去除第二牺牲层和第一牺牲层,进而形成空腔结构。

在具体实施时,参见图11所示,在去除第二牺牲层和第一牺牲层之后,制作方法还包括:

步骤s204、在第二膜层之上形成具有预设粘度的第三膜层,其中,第三膜层密封第二膜层的通孔。

本发明实施例中,第三膜层可以具体选择粘度较高的材质,以将第二膜层的第四过孔封闭,即,将整个空腔结构进行密封,由于高粘度的表面张力而不至于过多的渗入到空腔结构内。

在具体实施时,在第二膜层之上形成具有预设粘度的第三膜层之后,制作方法还可以包括:

步骤s205、在第三膜层之上形成图案化的像素单元的阳极;

步骤s206、在阳极之上形成有机发光层;

步骤s207、在发光层之上形成阴极层。

为了更清楚的理解本发明实施例提供的显示面板的制作过程,以下结合图12-图23进行详细说明。

步骤一、参见图12所示,在衬底基板1之上依次形成第一薄膜晶体管71以及第二薄膜晶体管72的栅极711、栅极绝缘层712、有源层713、源漏极层(包括源极715以及漏极714)。并在源漏极层之上形成钝化层74。其中,在形成源漏极层时还同时形成用于导出第二电极电信号的第二电极引线73。钝化层74具有暴露第一薄膜晶体管71源极的过孔,暴露第二薄膜晶体管72源极的过孔,以及暴露第二电极引线73的过孔。

步骤二、参见图13所示,在钝化层74之上形成第一膜层51,并在第一膜层51的与光电转换器件对应的位置处形成镂空区域513,并形成暴露第一薄膜晶体管71源极715的第一过孔511,以及形成暴露第二薄膜晶体管72源极715的第二过孔512,以及形成暴露第二电极引线73的第三过孔514。具体的第一膜层51的材质可以为光感树脂,可以通过较为成熟的光刻技术形成第一膜层的镂空区域513、第一过孔511、第二过孔513、以及第三过孔514。在具体实施时,可以根据需要的空腔结构的大小,即,压电传感构件背离光致形变构件一侧的空隙的大小来制作第一膜层51的厚度。

步骤三、参见图14所示,在第一膜层51之上形成第一牺牲层81,其中,第一牺牲层81在衬底基板1上的正投影与第一膜层51的镂空区域513在衬底基板1上的正投影重叠。第一牺牲层81的制作,用于实现在第一膜层51的镂空结构513的上方制作压电传感构件,即,可以先形成支撑后续压电传感构件各个膜层的第一牺牲层81,再通过后期刻蚀,进而可以在压电传感构件的面向衬底基板1的一侧在光电转换器件处形成空隙。

步骤四、参见图15所示,在第一牺牲层81之上形成第一电极21,其中,在垂直于衬底基板1的方向上,第一牺牲层81的第一部s1的正投影、第一膜层51的第二部s2的正投影、以及第一过孔511的正投影的组合与第一电极21的正投影重叠,其中,第一电极21通过第一过孔511与第一薄膜晶体管71的源极715连接,第二部s2为镂空区域513与第一过孔511之间的第一膜层51,第一部s1为与第二部s2接触的部分第一牺牲层81。需要说明的是,要求第一牺牲层81的第一部s1的正投影、第一膜层51的第二部s2的正投影、以及第一过孔511的正投影的组合与第一电极21的正投影重叠,即,第一电极21并非覆盖全部的第一牺牲层81,而是使第一电极21覆盖第一牺牲层81的与第二部s2接触的部分第一牺牲层81,在后期通过溶液刻蚀去除第一牺牲层81时,若第一电极21完全覆盖第一牺牲层81,则刻蚀液无法与第一牺牲层81接触,进而无法去除第一牺牲层81,即,使第一电极21与第一牺牲层81在垂直于衬底基板1的方向上,二者进行错位,并非完全对齐,以为了后期可以通过刻蚀液去除第一牺牲层81。具体的第一牺牲层81的材质可以为氧化锌,而刻蚀液具体可以为酸性溶液。

步骤五、参见图16所示,在第一电极21之上形成压电膜层22,其中,在垂直于衬底基板1的方向上,第一电极21的正投影、第一过孔511与第三过孔514之间的第一膜层51的正投影的组合与压电膜层22的正投影重叠。

步骤六、参见图17所示,在压电膜层22之上形成第二电极23,其中,在垂直于衬底基板1的方向上,压电膜层23的正投影与第三过孔514的正投影的组合与第二电极23的正投影重叠,第二电极23通过第三过孔514与第二电极引线73连接。

步骤七、参见图18所示,在第二电极23之上形成光致形变膜层30,其中,光致形变膜层30在衬底基板1上的正投影与第一牺牲层81的第一部s1的在衬底基板1上的正投影重叠。

步骤八、参见图19所示,在光致形变膜层30之上形成第二牺牲层82,第二牺牲层82在衬底基板1上的正投影与第一牺牲层81在衬底基板1上的正投影重叠,且第二牺牲层82与第一牺牲层81接触。第二牺牲层82具体可以覆盖光致形变膜层30的上表面以及覆盖第一电极21、压电膜层22、第二电极23的侧面。第二牺牲层82的材质具体可以与第一牺牲层81的材质相同,例如,也可以为氧化锌。

步骤九、参见图20所示,在第二牺牲层82之上形成第二膜层52,并在第二膜层52形成暴露第二牺牲层82的通孔521,以及形成暴露第二薄膜晶体管72的源极715的第四过孔522。第二膜层52的材质具体也可以为光感树脂,具体可以通过光刻工艺形成通孔以及第四过孔。其中,第一膜层51以及第二膜层52的材质为光感树脂时,图形的构造较为简单,容易实现。

步骤十、参见图21所示,通过通孔521浸入预设溶液,以通过预设溶液去除第二牺牲层82和第一牺牲层81,进而形成空腔结构4。在第一牺牲层81和第二牺牲层82的材质具体为氧化锌时,具体的预设溶液可以为酸液,通过将整个结构浸泡在酸液中,进而可以去除第一牺牲层81和第二牺牲层82。

步骤十一、参见图22所示,在第二膜层52之上形成具有预设粘度的第三膜层53,其中,第三膜层53密封第二膜层52的通孔。第三膜层可以具体选择粘度较高的材质,以将第二膜层的第四过孔封闭,即,将整个空腔结构进行密封,由于高粘度的表面张力而不至于过多的渗入到空腔结构内。

步骤十二、参见图23所示,在第三膜层53之上形成图案化的像素单元的阳极6以及像素界定层9。

步骤十三、在阳极之上形成有机发光层。

步骤十四、在发光层之上形成阴极层。

本发明实施例有益效果如下:本发明实施例提供的光电转换器件,包括压电传感构件、位于压电传感构件之上且与至少部分压电传感构件接触的光致形变构件,进而在有光照射到光致形变构件时,光致形变构件产生形变,由于压电传感构件与光致形变构件接触,进而光致形变发生形变时,会引起与其接触的压电传感构件发生形变,而压电传感构件在发生形变时,可以形成电信号,进而可以实现将光信号转换为电信号。

显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

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