一种高电压led封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型一种高电压LED封装结构，属于LED封装技术领域。
【背景技术】
[0002]LED是一种电光转换器件，它本身并不发光，只有在施加适当电压和通以适当电流时才能发光。LED有一个门限电压，只有加在LED两端的电压高于这个门限电压时，LED才会导通。普通硅二极管的导通门限为0.5?0.7V，而LED的门限电压通常为1.8?3.6V。LED的门限电压和正常工作时的正向电压降与LED的光色有关，红光、黄光等LED的正向电压降(VF)通常为1.8?2.4V，而白光LED的正向电压降通常为2.8?3.6V，低电压在成品应用时会出现电源转换效率低，发热量大等问题。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型克服了现有技术存在的不足，提供了一种高电压LED封装结构，该结构在不改变现有封装流程的情况下，直接在封装体内串接三颗LED芯片，从而使白光成品正向电压分布在9?1V之间。
[0004]为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为:一种高电压LED封装结构，包括LED封装本体、LED芯片和LED支架，所述LED支架设置在LED封装本体上端，多颗所述LED芯片依次排列设置在LED支架上，并通过引线将相邻LED芯片上的金属焊垫连接，所述引线与金属焊垫之间的焊接采用BSOB模式，所述LED芯片的电压为3V?3.4V。
[0005]优选地，所述LED芯片的数量为3颗。
[0006]优选地，三颗所述LED芯片电压的最高最低相差不超过0.2V。
[0007]优选地，所述LED支架采用PCT磷铜材质。
[0008]优选地，所述LED芯片与LED支架之间设置有高导热硅胶。
[0009]本实用新型与现有技术相比具有的有益效果是:本实用新型增加LED的输入电压，降低了输入和输出的压差，提高了 AC/DC转换器的效率:变压器的效率就可以得到大大提高，从而可大幅降低AC-DC转换时的功率损失，这一热耗减少又可进一步降低散热外壳的成本；同时高压LED减少了元件数和焊点数，高压LED减小灯珠的占用率，减小了封装成本，提高了可靠性；且高压直流LED在封装或应用端采用桥式电路实现高压交流驱动，降低了应用端成本。
【附图说明】
[0010]下面结合附图对本实用新型做进一步的说明。
[0011]图1为本实用新型的结构示意图。
[0012]图中为LED封装本体、2为LED芯片、3为引线、4为金属焊垫、5为LED支架。【具体实施方式】
[0013]如图1所示，本实用新型一种高电压LED封装结构，包括LED封装本体1、LED芯片2和LED支架5，所述LED支架5设置在LED封装本体I上端，多颗所述LED芯片2依次排列设置在LED支架5上，并通过引线3将相邻LED芯片2上的金属焊垫4连接，所述引线3与金属焊垫4之间的焊接采用BSOB模式，所述LED芯片2的电压为3V?3.4V。
[0014]所述LED芯片2的数量为3颗。
[0015]三颗所述LED芯片2电压的最高最低相差不超过0.2V。
[0016]所述LED支架5采用PCT磷铜材质。
[0017]所述LED芯片2与LED支架5之间设置有高导热硅胶。
[0018]由于应用端输入电压为220V，低电压灯珠在使用时须多灯串联加变压器使用，使用过程功耗高且转化效率低。
[0019]本实用新型在封装后灯珠电压分布在9?10V，高压LED只要20个串联就是200V，和220V只差20V。而用低压LED，即使是20个串联正向压降也只有60V，和220V相差很大。所以，如采用高压LED，变压器的效率就可以得到大大提高，从而可大幅降低AC-DC转换时的功率损失，这一热耗减少又可进一步降低散热外壳的成本。
[0020]上面结合附图对本实用新型的实施例作了详细说明，但是本实用新型并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。
【主权项】
1.一种高电压LED封装结构，其特征在于:包括LED封装本体(1)、LED芯片(2)和LED支架(5 )，所述LED支架(5 )设置在LED封装本体(I)上端，多颗所述LED芯片(2 )依次排列设置在LED支架(5)上，并通过引线(3)将相邻LED芯片(2)上的金属焊垫(4)连接，所述引线(3)与金属焊垫(4)之间的焊接采用BSOB模式，所述LED芯片(2)的电压为3V?3.4V。2.根据权利要求1所述的一种高电压LED封装结构，其特征在于:所述LED芯片(2)的数量为3颗。3.根据权利要求2所述的一种高电压LED封装结构，其特征在于:三颗所述LED芯片(2)电压的最高最低相差不超过0.2V。4.根据权利要求3所述的一种高电压LED封装结构，其特征在于:所述LED支架(5)采用PCT磷铜材质。5.根据权利要求4所述的一种高电压LED封装结构，其特征在于:所述LED芯片(2)与LED支架(5)之间设置有高导热硅胶。
【专利摘要】本实用新型克服了现有技术存在的不足，提供了一种高电压LED封装结构，该结构在不改变现有封装流程的情况下，直接在封装体内串接三颗LED芯片，从而使白光成品正向电压分布在9～10V之间；为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：一种高电压LED封装结构，包括LED封装本体、LED芯片和LED支架，所述LED支架设置在LED封装本体上端，多颗所述LED芯片依次排列设置在LED支架上，并通过引线将相邻LED芯片上的金属焊垫连接，所述引线与金属焊垫之间的焊接采用BSOB模式，所述LED芯片的电压为3V～3.4V；本实用新型可广泛应用于LED封装领域。
【IPC分类】H01L33/48, H01L25/075, H01L33/62, H01L33/64
【公开号】CN204720473
【申请号】CN201520350582
【发明人】徐龙飞
【申请人】长治虹源光电科技有限公司
【公开日】2015年10月21日
【申请日】2015年5月28日