像素结构的制作方法

本发明涉及一种像素结构。
背景技术：
：与传统的LCD显示方式相比，OLED显示技术无需背光灯。其具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料膜层和玻璃基板，当有电流通过时，有机材料就会发光。因此OLED显示屏能够显著节省电能，可以做到更轻更薄，比LCD显示屏耐受更宽范围的温度变化，而且可视角度更大。图1所示为先前技术中OLED面板的像素结构100。OLED面板包括多个像素10，每一个像素中均包括红子像素（R）11、绿子像素（G）13、蓝子像素（B）15三种子像素。三种子像素的有机发光材料不同，在制作过程中，需要通过金属掩模(mask)在相应的位置上分别对红子像素11、绿子像素13、蓝子像素15蒸镀三种不同的有机材料，同颜色的子像素对应的金属掩模需要一组开口，然后调节三种颜色组合的混合比，产生真彩色。通常地，上述有机发光二极管面板的每个像素包括三个依次排布且长度基本相同的子像素11、13、15。为提供面板的像素密度，子像素11、13、15的宽度或子像素之间的间距通常需设置为较小，然，此种排列的像素受限于制造工艺，可能造成在蒸镀子像素时不同颜色的子像素发生混色，从而影响画面的显示效果。技术实现要素：有鉴于此，有必要提供一种降低了制程难度并改善在蒸镀子像素时发生混色现象之像素结构。一种像素结构，用于有机发光二极管面板，其包括复数个像素。每个像素包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素。三个子像素均为矩形。每个像素中，第一子像素的长度沿第一方向，宽度沿垂直于该第一方向的第二方向，第一子像素的长度大于该第二子像素沿该第一方向的长度及该第三子像素沿该第一方向的长度，且每个像素中的第一子像素、第二子像素及第三子像素沿该第二方向依序排列。与先前技术相比较，本申请通过改变像素的排列，使得第二子像素及第三子像素的长度小于第一子像素，使得在相同像素面积下，第二子像素及第三子像素的宽度可以增大，从而降低了制程难度并改善在蒸镀子像素时发生混色现象。附图说明图1为先前技术中有机发光二极管面板像素结构之示意图。图2为第一实施方式之像素结构之示意图。图3为图2中第一子像素对应之金属掩模之示意图。图4为图2中第二子像素对应之金属掩模之示意图。图5为第二实施方式之像素结构之示意图。图6为第三实施方式之像素结构之示意图。图7为第四实施方式之像素结构之示意图。主要元件符号说明像素结构100，200，500，600，700像素组201，501，601，701像素10，20，50，60，70第一子像素11，21，51，61，71第二子像素13，23，53，63，73第三子像素15，25，55，65，75第一金属掩模300第一基板30第一开口32第一金属部34第二金属掩模400第二开口41第二金属部43如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。具体实施方式请参阅图2，其为一种较佳实施方式的像素结构200的模块图。像素结构200位于基板(图未示)上，其用于有机发光二极管(OLED)面板。像素结构200包括复数个像素20。可以理解，每个像素20实际上还包括一个、两个或复数驱动组件（如薄膜晶体管TFT，图未示）、与驱动组件连接的像素电极（如阳极，图未示）、与阳极相对设置的阴极（图未示）、位于阳极与阴极之间的包括有机发光材料的有机发光层（图未示）。每个像素20的形状大致呈L形，包括第一子像素21、第二子像素23以及第三子像素25。第一子像素21、第二子像素23以及第三子像素25均大致呈矩形。需要说明的是，每个子像素之间具有一定间隔，但实际上每个子像素的有机发光层的面积可以超过图标矩形区域，即大于图标中的矩形区域，同时，相邻子像素的有机发光材料层也可以直接相接，这并不影响各子像素的各自驱动及发光。第一子像素21、第二子像素23以及第三子像素25的长度与第一方向平行，即该第一子像素21、第二子像素23以及第三子像素25的长度沿第一方向。第一子像素21、第二子像素23以及第三子像素25的宽度与第一方向垂直的第二方向平行，即该第一子像素21、第二子像素23以及第三子像素25的宽度沿第二方向。第一子像素21、第二子像素23以及第三子像素25沿第二方向依次设置。第一子像素21的长度大于第二子像素23及第三子像素25的长度。优选地，以441ppi为例，第一子像素21的长度为37.7μm，第二字像素23及第三子像素25的长度均为15.8μm；第一子像素21的宽度为16.2μm，第二子像素23以及第三子像素25的宽度为32.4μm。在本实施方式中，第一子像素21为蓝色子像素(B)，第二子像素23为绿色子像素(G)，第三子像素25为红色子像素(R)。像素结构200中两个沿第二方向排列的两个像素20形成一个矩形的像素组201，且每个像素组201的两个像素20呈中心对称设置。其中，若干像素组201呈矩阵排列。在同一像素组201中，两个第二子像素23及两个第三子像素25位于两个第一子像素21之间。其中，两个第二子像素23沿第一方向呈一列设置，两个第三子像素25沿第一方向呈一列设置；属于同一像素20的第二子像素23和第三子像素25沿与第二方向平行设置，且与属于另一像素20的第二子像素23和第三子像素25呈两排设置平行于第二方向上。像素组201中的第一子像素21与沿第一方向上相邻排列的像素组201中的第一子像素21同列设置。像素组201中的第一子像素21与沿第二方向上相邻排列的像素组201中的第一子像素21相邻设置。与先前技术相比较，本申请通过改变像素的排列，使像素组201内相邻子像素之间的间距同时分布于第一方向和第二方向上(即X轴和Y轴方向)，即在相同分辨率下降低了制程难度，同时像素20内第二子像素23及第三子像素25的长度小于第一子像素21的长度，使得在相同面积下，第二子像素23及第三子像素25的宽度可以增大，从而降低了制程难度并改善在蒸镀子像素时发生混色现象。进一步地，上述像素结构200由于相邻两个像素20交错设置，提高了单位面积内之像素密度，减小了不同像素20中相同子像素之间的距离以避免在蒸镀子像素20的有机发光材料层时发生混色现象，同时由于第二子像素23和第三子像素25宽度的增加以降低了制程难度。另外，换个角度讲，由于每个像素组201中两个第二或第三子像素同列设置，使得每个像素组201的各子像素沿第二方向的间距转移设置到第一方向上，从而各子像素沿第二方向的宽度或相邻子像素之间的间距可以进一步减小，从而降低制程难度。请参阅图3，其为一种用于制作第一子像素21的有机发光材料层的第一金属掩模300的结构示意图。第一金属掩模300包括第一基板30。第一基板30上开设有多列第一开口32和位于第一开口32之间的第一金属部34。第一开口32内可同时形成两列第一子像素21的有机发光材料层，即该相邻的两列第一子像素21的有机发光材料层通过该第一金属掩膜300的第一开口32一起蒸镀、一起形成。可以理解，该第一子像素为蓝色子像素，因此对应的发光材料为蓝色有机发光材料。在本实施方式中，第二开口41与第二金属部43间隔设置。第一开口32的宽度d1为38.4μm，相邻两个开口32之间的间距d2为76.8μm。因此，利用这种金属掩模300制作OLED面板的第一子像素21的有机发光材料层，可以同时形成两列第一子像素21的有机发光材料层。因此，可以避免在蒸镀子像素时，蒸镀到邻近的不同子像素，从而避免子像素发生混色。因此，可以实现。所以，本发明提供的金属掩模300利于制造高PPI的OLED面板。请参阅图4，其为一种用于制作第二子像素23的有机发光材料层的第二金属掩模400的结构示意图。第二金属掩模400包括第二基板40。第二基板40上开设有多列第二开口41和位于第二开口41之间的第二金属部43。第二开口41用于形成一列第二子像素23的有机发光材料层。在本实施方式中，第二开口41与第二金属部43间隔设置。优选地，第二开口41的宽度d3为38.4μm，相邻两个开口43之间的间距d4为76.8μm。因此，利用这种第二金属掩模400制作OLED面板的第二子像素23的有机发光材料层，可以缩小相同子像素之间的间距。因此，可以避免在蒸镀子像素的有机发光材料层时，蒸镀到邻近的不同子像素的有机发光材料层，从而避免子像素的有机发光材料层发生混色。同时，提高了开口的宽度以在相同分辨率下可以降低在蒸镀难度。所以，本发明提供的第二金属掩模400利于制造高PPI的OLED面板。同样，制作第三子像素25的有机发光材料层的金属掩模的结构与制作第二子像素23的有机发光材料层的金属掩模400的结构相似，也包括多列间隔设置的第二开口41，在此不再赘述。图5为本发明第二实施例的像素结构500的示意图。像素结构500位于基板(图未示)上，其用于有机发光二极管(OLED)面板。像素结构200包括复数个像素20。可以理解，每个像素20实际上还包括一个、两个或复数驱动组件（如薄膜晶体管TFT，图未示）、与驱动组件连接的像素电极（如阳极，图未示）、与阳极相对设置的阴极（图未示）、位于阳极与阴极之间的包括有机发光材料的有机发光层（图未示）。每个像素50的形状大致呈L形，包括第一子像素51、第二子像素53以及第三子像素55。第一子像素51、第二子像素53以及第三子像素55均大致呈矩形。需要说明的是，每个子像素之间具有一定间隔，实际上每个子像素的有机发光层的面积可以超过图标中的矩形区域，同时，相邻子像素的有机发光材料层也可以直接相接，这并不影响各子像素的各自驱动及发光。第一子像素51、第二子像素53以及第三子像素55的长度与第一方向平行，即该第一子像素51、第二子像素53以及第三子像素55的长度沿第一方向。第一子像素51、第二子像素53以及第三子像素55的宽度与第一方向垂直的第二方向平行，即该第一子像素51、第二子像素53以及第三子像素55的宽度沿第二方向。第一子像素51、第二子像素53以及第三子像素55沿第二方向依次设置。第一子像素51的长度大于第二子像素53及第三子像素55的长度。在本实施方式中，第一子像素51为蓝色子像素(B)，第二子像素53为红色子像素(R)，第三子像素55为绿色子像素(G)。像素结构500中相邻两个沿第二方向排列的两个像素50形成一个矩形的像素组501，且呈中心对称设置。其中，若干像素组501呈矩阵排列。在同一像素组501中，两个第二子像素53及两个第三子像素55位于两个第一子像素51之间。其中，两个第二子像素53沿第一方向呈一列设置，两个第三子像素55沿第一方向呈一列设置；属于同一像素50的第二子像素53和第三子像素55沿与第二方向平行设置，且与属于另一像素50的第二子像素53和第三子像素55呈两排设置平行于第二方向上。像素组501中的第一子像素51与沿第一方向上相邻排列的像素组501中的第一子像素51同列设置。像素组501中的第一子像素51与沿第二方向上相邻排列的像素组501中的第一子像素51相邻设置。与先前技术相比较，本申请通过改变像素的排列，使像素组501内相邻子像素之间的间距同时分布于第一方向和第二方向上(即X轴和Y轴方向)，即在相同分辨率下降低了制程难度，同时像素50内第二子像素53及第三子像素55的长度小于第一子像素51的长度，使得在相同面积下，第二子像素53及第三子像素55的宽度可以增大，从而降低了制程难度并改善在蒸镀子像素时发生混色现象。进一步地，上述像素结构500由于相邻两个像素50交错设置，提高了单位面积内之像素密度，减小了不同像素50中相同子像素之间的距离以避免在蒸镀子像素50的有机发光材料层时发生混色现象，同时由于第二子像素53和第三子像素55宽度的增加以降低了制程难度。另外，换个角度讲，由于每个像素组501中两个第二或第三子像素同列设置，使得每个像素组501的各子像素沿第二方向的间距转移设置到第一方向上，从而各子像素沿第二方向的宽度或相邻子像素之间的间距可以进一步减小，从而降低制程难度。图6为本发明第三实施例的像素结构600的示意图。像素结构600位于基板(图未示)上，其用于有机发光二极管(OLED)面板。像素结构200包括复数个像素20。可以理解，每个像素20实际上还包括一个、两个或复数驱动组件（如薄膜晶体管TFT，图未示）、与驱动组件连接的像素电极（如阳极，图未示）、与阳极相对设置的阴极（图未示）、位于阳极与阴极之间的包括有机发光材料的有机发光层（图未示）。每个像素60的形状大致呈L形，包括第一子像素61、第二子像素63以及第三子像素65。第一子像素61、第二子像素63以及第三子像素65均大致呈矩形。需要说明的是，每个子像素之间具有一定间隔，实际上每个子像素的有机发光层的面积可以大于图标中的矩形区域，同时，相邻子像素的有机发光材料层也可以直接相接，这并不影响各子像素的各自驱动及发光。第一子像素61、第二子像素63以及第三子像素65的长度与第一方向平行，即该第一子像素61、第二子像素63以及第三子像素65的长度沿第一方向。第一子像素61、第二子像素63以及第三子像素65的宽度与第一方向垂直的第二方向平行，即该第一子像素61、第二子像素63以及第三子像素65的宽度沿第二方向。第一子像素61、第二子像素63以及第三子像素65沿第二方向依次设置。第一子像素61的长度大于第二子像素63及第三子像素65的长度。在本实施方式中，第一子像素61为绿色子像素(G)，第二子像素63为红色子像素(R)，第三子像素65为蓝色子像素(B)。像素结构600中相邻两个沿第二方向排列的两个像素60形成一个矩形的像素组601，且呈中心对称设置。其中，若干像素组601呈矩阵排列。在同一像素组601中，两个第二子像素63及两个第三子像素65位于两个第一子像素61之间。其中，两个第二子像素63沿第一方向呈一列设置，两个第三子像素65沿第一方向呈一列设置；属于同一像素60的第二子像素63和第三子像素65沿与第二方向平行设置，且与属于另一像素60的第二子像素63和第三子像素65呈两排设置平行于第二方向上。像素组601中的第一子像素61与沿第一方向上相邻排列的像素组601中的第一子像素61同列设置。像素组601中的第一子像素61与沿第二方向上相邻排列的像素组601中的第一子像素61相邻设置。与先前技术相比较，本申请通过改变像素的排列，使像素组601内相邻子像素之间的间距同时分布于第一方向和第二方向上(即X轴和Y轴方向)，即在相同分辨率下降低了制程难度，同时像素60内第二子像素63及第三子像素65的长度小于第一子像素61的长度，使得在相同面积下，第二子像素63及第三子像素65的宽度可以增大，从而降低了制程难度并改善在蒸镀子像素时发生混色现象。进一步地，上述像素结构600由于相邻两个像素60交错设置，提高了单位面积内之像素密度，减小了不同像素60中相同子像素之间的距离以避免在蒸镀子像素60的有机发光材料层时发生混色现象，同时由于第二子像素63和第三子像素65宽度的增加以降低了制程难度。另外，换个角度讲，由于每个像素组601中两个第二或第三子像素同列设置，使得每个像素组601的各子像素沿第二方向的间距转移设置到第一方向上，从而各子像素沿第二方向的宽度或相邻子像素之间的间距可以进一步减小，从而降低制程难度。图7为本发明第四实施例的像素结构700的示意图。像素结构700位于基板(图未示)上，其用于有机发光二极管(OLED)面板。像素结构700包括复数个像素70。可以理解，每个像素70实际上还包括一个、两个或复数驱动组件（如薄膜晶体管TFT，图未示）、与驱动组件连接的像素电极（如阳极，图未示）、与阳极相对设置的阴极（图未示）、位于阳极与阴极之间的包括有机发光材料的有机发光层（图未示）。每个像素70的形状大致呈L形，包括第一子像素71、第二子像素73以及第三子像素75。第一子像素71、第二子像素73以及第三子像素75均大致呈矩形。需要说明的是，每个子像素之间具有一定间隔，实际上每个子像素的有机发光层的面积可以大于图标中的矩形区域，同时，相邻子像素的有机发光材料层也可以直接相接，这并不影响各子像素的各自驱动及发光。第一子像素71、第二子像素73以及第三子像素75的长度与第一方向平行，即该第一子像素71、第二子像素73以及第三子像素75的长度沿第一方向。第一子像素71、第二子像素73以及第三子像素75的宽度与第一方向垂直的第二方向平行，即该第一子像素71、第二子像素73以及第三子像素75的宽度沿第二方向。第一子像素71、第二子像素73以及第三子像素75沿第二方向设置。第一子像素71的长度大于第二子像素73及第三子像素75的长度。在本实施方式中，第一子像素71为蓝色子像素(B)，第二子像素73为绿色子像素(G)，第三子像素75为红色子像素(R)。像素结构700中相邻两个沿第二方向排列的两个像素70形成一个矩形的像素组701，且呈中心对称设置。其中，若干像素组701呈矩阵排列。在同一像素组701中，两个第二子像素73及两个第三子像素75位于两个第一子像素71之间。其中，第二子像素73与另一像素70中的第三子像素75沿第一方向同列设置，第三子像素75与另一像素70中的第二子像素73沿第一方向同列设置；属于同一像素70的第二子像素73和第三子像素75沿与第二方向平行设置，且与属于另一像素70的第二子像素73和第三子像素75呈两排设置平行于第二方向上。像素组701中的第一子像素71与沿第一方向上相邻排列的像素组701中的第一子像素同列设置。像素组701中的第一子像素71与沿第二方向上相邻排列的像素组701中的第一子像素相邻设置。与先前技术相比较，本申请通过改变像素的排列，使像素组701内相邻子像素之间的间距同时分布于第一方向和第二方向上(即X轴和Y轴方向)，即在相同分辨率下降低了制程难度，同时像素70内第二子像素73及第三子像素75的长度小于第一子像素71的长度，使得在相同面积下，第二子像素73及第三子像素75的宽度可以增大，从而降低了制程难度并改善在蒸镀子像素时发生混色现象。进一步地，上述像素结构700由于相邻两个像素70交错设置，提高了单位面积内之像素密度，减小了不同像素70中相同子像素之间的距离以避免在蒸镀子像素70的有机发光材料层时发生混色现象，同时由于第二子像素73和第三子像素75宽度的增加以降低了制程难度。另外，换个角度讲，由于每个像素组701中两个第二或第三子像素同列设置，使得每个像素组701的各子像素沿第二方向的间距转移设置到第一方向上，从而各子像素沿第二方向的宽度或相邻子像素之间的间距可以进一步减小，从而降低制程难度。在以上实施例中，所述子像素的形状例如为矩形，但并不限于此。子像素的面积可以根据所要求的OLED面板的PPI确定。红色和绿色子像素的面积优选地选择为相等。另外，考虑现有材料中蓝光材料的发光效率和寿命偏低，以及白平衡的要求，蓝色子像素的面积优选为大于红色和绿色子像素的面积。总之，本发明提供一种用于OLED面板的像素结构200，500，600，700，这种像素结构200，500，600，700相邻两个像素20，50，60，70交错设置围成矩形以提高了单位面积内之像素密度，同时增大了第二子像素23，53，63，73和第三子像素25，55，65，75的宽度以降低蒸镀难度。另外，采用第二子像素23，53，63，73和第三子像素25，55，65，75的宽度相同且大于第一子像素21，51，61，71的宽度之结构，相对于现有技术中相同宽度之像素结构减小了像素20，50，60，70所占面积，提高了像素密度，从而在不增加制程难度的情况下提高面板的分辨率，且分辨率至少提高一倍。本
技术领域：
的普通技术人员应当认识到，以上的实施方式仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围之内，对以上实施例所作的适当改变和变化都落在本发明要求保护的范围之内。当前第1页1 2 3