接触结构及其形成方法与流程

技术特征：

1.一种结构，包括：

介电层，位于衬底上方，所述介电层具有至所述衬底的表面的开口；

粘合层，沿着所述开口的侧壁；

硅化物，位于所述衬底的表面上；

阻挡层，位于所述粘合层和所述硅化物上，并且所述阻挡层直接邻接所述硅化物；以及

导电材料，位于所述开口中的所述阻挡层上。

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述粘合层是钛，所述阻挡层是氮化钛，并且所述硅化物包括钛。

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述粘合层的厚度介于和之间。

4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述硅化物的厚度介于和之间。

5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述阻挡层的厚度介于和之间。

6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述导电材料是钨。

7.一种结构，包括：

介电层，位于衬底上方，开口穿过所述介电层至所述衬底；

钛层，位于所述开口的介电侧壁上；

含钛硅化物，位于所述衬底上；

氮化钛层，位于所述钛层和所述含钛硅化物上，并且在所述氮化钛层的至少部分和所述含钛硅化物的至少部分之间未设置所述钛层的部分；以及

导电材料，位于所述开口中的所述氮化钛层上。

8.根据权利要求7所述的结构，其中，所述钛层的厚度介于和之间。

9.根据权利要求7所述的结构，其中，所述含钛硅化物的厚度介于和之间。

10.一种方法，包括：

形成穿过介电层至衬底的开口，所述开口的底面是半导体材料的表面；

沿着所述开口的侧壁和在所述半导体材料的表面上形成粘合层；

在所述粘合层上形成阻挡层；

在形成所述阻挡层之后，使所述粘合层与所述半导体材料反应以形成硅化物；以及

在所述开口中的所述粘合层上形成导电材料。