接触结构及其形成方法与流程

技术总结
本发明涉及接触结构及其形成方法。一种结构包括位于衬底上方的介电层、粘合层、硅化物、阻挡层和导电材料。介电层具有至衬底的表面的开口。粘合层沿着开口的侧壁。硅化物位于衬底的表面上。阻挡层位于粘合层和硅化物上，并且阻挡层直接邻接硅化物。导电材料位于开口中的阻挡层上。

技术研发人员：林瑀宏;傅美惠;林圣轩
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201510163064
技术研发日：2015.04.08
技术公布日：2016.11.23