1.一种形成半导体器件的方法，包括：
提供具有第一器件区和第二器件区的半导体衬底，其中，所述第一器件区包括第一源极/漏极(S/D)区，并且所述第二器件区包括多个第二S/D区；
在所述第一S/D区中蚀刻多个第一凹槽，并且在所述第二S/D区中蚀刻多个第二凹槽；
在所述第一凹槽中生长第一多个第一外延部件，并且在所述第二凹槽中生长第二多个第一外延部件；以及
在所述第一多个第一外延部件上方生长第三多个第二外延部件，并且在所述第二多个第一外延部件上方生长第四多个第二外延部件，其中，所述第三多个第二外延部件合并为合并的第二外延部件，而所述第四多个第二外延部件彼此分隔开。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述合并的第二外延部件上方生长第三外延部件，同时保持所述第四多个第二外延部件彼此分隔开。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一外延部件、所述第二外延部件和所述第三外延部件中的每个均包括SiGe。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一外延部件、所述第二外延部件和所述第三外延部件均具有在从约10％至约80％的范围内的Ge与Si的比率。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，用硼原位掺杂所述第一外延部件、所述第二外延部件和所述第三外延部件，其中，掺杂剂浓度在从约2×e20cm-3至约3×e21cm-3的范围内。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一外延部件、所述第二外延部件和所述第三外延部件均包括通过周期沉积和蚀刻(CDE)工艺形成的SiGe。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述第一外延部件的所述 CDE工艺使用在H2中具有约1％至约10％的GeH4的沉积气体混合物、蚀刻气体HCl，并且所述沉积气体混合物的流量与所述蚀刻气体的流量的比率为约2.5至约10。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述沉积气体混合物的流量为约100标准立方厘米每分钟(sccm)至约1000sccm，并且所述蚀刻气体的流量为约50sccm至约1000sccm。
9.一种形成FinFET器件的方法，包括：
提供具有第一器件区和第二器件区的硅衬底，其中，所述第一器件区包括第一硅鳍，并且所述第二器件区包括多个第二硅鳍；
在所述第一硅鳍的S/D区中蚀刻多个第一凹槽，并且在所述第二硅鳍的S/D区中蚀刻多个第二凹槽；
在所述第一凹槽中生长第一多个第一外延部件，并且在所述第二凹槽中生长第二多个第一外延部件；
在所述第一多个第一外延部件上方生长第三多个第二外延部件，并且在所述第二多个第一外延部件上方生长第四多个第二外延部件，其中，所述第三多个第二外延部件合并为合并的第二外延部件，而所述第四多个第二外延部件彼此分隔开；以及
在所述合并的第二外延部件上方生长第三外延部件，同时保持所述第四多个第二外延部件彼此分隔开。
10.一种半导体器件，包括：
衬底，具有第一器件区和第二器件区，其中，所述第一器件区包括第一源极/漏极(S/D)区，并且所述第二器件区包括多个第二S/D区；
多个第一凹槽，位于所述第一S/D区中；
第一外延部件，具有底部和位于所述底部上方的顶部，其中，每个所述底部均位于所述第一凹槽中的一个中，并且所述顶部位于所述第一S/D区上方；
多个第二凹槽，每个所述第二S/D区中均具有一个所述第二凹槽；以及
多个第二外延部件，每个所述第二外延部件均具有位于所述第二凹槽中的一个中的底部，其中，所述第二外延部件彼此分隔开。