技术总结
本发明公开了半导体器件的结构和方法。该半导体器件包括具有第一器件区和第二器件区的衬底。第一器件区包括第一源极/漏极(S/D)区，并且第二器件区包括多个第二S/D区。该半导体器件还包括位于第一S/D区中的多个第一凹槽以及多个第二凹槽，每个第二S/D区中具有一个第二凹槽。该半导体器件还包括具有底部和顶部的第一外延部件，其中，每个底部均位于第一凹槽中的一个中，并且顶部位于第一S/D区上方。该半导体器件还包括多个第二外延部件，每个第二外延部件均具有位于第二凹槽中的一个中的底部。第二外延部件彼此分隔开。
技术研发人员：李宜静;李昆穆;李启弘;李资良
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201510172012
技术研发日：2015.04.13
技术公布日：2016.11.23