技术总结
本发明公开一种半导体装置的替代金属栅极中的功函数金属的选择性生长。具体来说，提供P通道场效晶体管(p-FET)及n通道场效晶体管形成(n-FET)于基板上，该p通道场效晶体管与该n通道场效晶体管各具有凹口形成于其中，在各凹口内形成高k层与阻挡层，在n通道场效晶体管的凹口内选择性生长功函数金属(WFM)，其中该高k层、该阻挡层及该功函数金属在该凹口内各被凹陷至所需的高度，且在各凹口内形成金属材料(例如钨)。通过在工艺中早期提供功函数金属的挖槽，降低掩模材料填充到各栅极凹口的风险。此外，该选择性的功函数金属生长增进该金属材料的填充，进而降低该装置中的栅极电阻。
技术研发人员：蔡秀雨;H·金;张洵渊
受保护的技术使用者：格罗方德半导体公司
文档号码：201510183896
技术研发日：2015.04.17
技术公布日：2016.11.23