1.用于硅片的有去边超级背封层结构，其特征在于，包括：
二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面；
多晶硅背封层，所述多晶硅背封层覆盖在所述二氧化硅背封层的外侧，覆盖了硅片的背面、背面斜边区及边缘区。
2.根据权利要求1所述的用于硅片的有去边超级背封层结构，其特征在于，所述二氧化硅背封层的厚度为0.2微米～1.2微米。
3.根据权利要求1所述的用于硅片的有去边超级背封层结构，其特征在于，所述二氧化硅背封层的端部与所述硅片的端部之间的间距≤3.0毫米。
4.根据权利要求1所述的用于硅片的有去边超级背封层结构，其特征在于，所述多晶硅背封层的厚度为0.1微米～0.8微米。
5.根据权利要求1～4所述的用于硅片的有去边超级背封层结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
第一步，在硅片上采用常压化学气相沉积法生长二氧化硅背封层，覆盖硅片的背面、背面斜边区、边缘区及正面斜边区；
第二步，对二氧化硅背封层实施去边处理，仅保留硅片背面的二氧化硅背封层；
第三步，在二氧化硅背封层的外侧，采用减压化学气相沉积法生长多晶硅背封层，覆盖硅片的背面、背面斜边区、边缘区、正面斜边区及正面；
第四步，在硅片的正面斜边区域进行边缘抛光，抛除多晶硅背封层；
第五步，在硅片的正面进行抛光。