1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底内具有相邻的NFET区域和PFET区域，所述半导体衬底包括基底、位于所述基底上的埋氧层以及形成于所述埋氧层上的跨越所述NFET区域和所述PFET区域的鳍片；
形成于所述NFET区域内的无结NFET和形成于所述PFET区域内的反型模式PFET，其中，
所述无结NFET包括：形成于所述NFET区域内的部分所述鳍片两侧和顶面上的第一栅极结构，位于所述第一栅极结构与所述鳍片相交的区域内的N+型沟道区，位于所述第一栅极结构两侧的所述NFET区域内的鳍片中的完全金属硅化物N+型源极和N+型漏极；
所述反型模式PFET包括：形成于所述PFET区域的部分所述鳍片两侧和顶面上的第二栅极结构，位于所述第二栅极结构与所述鳍片相交的区域内的N型沟道区，位于所述第二栅极结构两侧的所述PFET区域内的部分鳍片中的P型浅掺杂源极掺杂区域和P型浅掺杂漏极掺杂区域，分别位于所述P型浅掺杂源极掺杂区域和P型浅掺杂漏极掺杂区域中的P+型源极和P+型漏极；
所述反型模式PFET的P型浅掺杂漏极掺杂区域与所述无结NFET的漏极相连。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述鳍片的材料选自Si、SiGe、Ge或III-V族半导体材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
覆盖所述半导体衬底和所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的层间介电层；
位于所述层间介电层中的分别连接所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的第一栅极接触和第二栅极接触、分别连接所述无结NFET的N+型源极和所述反型模式PFET的所述P型浅掺杂源极掺杂区域的第一源极接触和第二源极接触、连接所述反型模式PFET的P型浅掺杂漏极掺杂区域和所述无结NFET的N+型漏极的漏极接触。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述N+ 型沟道区具有从所述鳍片与所述第一栅极结构相交的表面到所述鳍片中心区域逐渐减小的掺杂浓度。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述鳍片与所述第一栅极结构相交的表面的掺杂浓度大于或等于1×1019atom/cm3。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在部分所述P型浅掺杂源极掺杂区域和P型浅掺杂漏极掺杂区域中形成有金属硅化物。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述完全金属硅化物的材料包括Ge和Ni。
8.一种半导体器件的制造方法，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有相邻的NFET区域和PFET区域，所述半导体衬底包括基底，位于所述基底上的埋氧层，以及位于所述埋氧层上的半导体材料层；
步骤S2：对所述半导体材料层进行离子注入，以形成N阱以及分别位于所述NFET区域和所述PFET区域内的第一沟道区和第二沟道区；
步骤S3：刻蚀所述半导体材料层，以形成跨越所述NFET区域和所述PFET区域的鳍片；
步骤S4：在所述NFET区域内的部分所述鳍片两侧和顶面上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构与所述鳍片相交的区域为所述第一沟道区，在所述PFET区域的部分所述鳍片两侧和顶面上形成第二栅极结构，所述第二栅极结构与所述鳍片相交的区域为所述第二沟道区；
步骤S5：对所述第二栅极结构两侧的所述PFET区域内暴露的鳍片进行P型LDD注入，以形成P型浅掺杂源极掺杂区域和P型浅掺杂漏极掺杂区域；
步骤S6：进行P型重掺杂离子注入工艺，以形成位于所述P型浅掺杂源极掺杂区域和P型浅掺杂漏极掺杂区域中的P+型源极和P+型漏极；
步骤S7：形成覆盖所述PFET区域的硅化物阻挡层；
步骤S8：在所述NFET区域的第一栅极结构两侧暴露的鳍片内形成完全金属硅化物N+型源极和N+型漏极，其中，所述N+型漏极靠近所述P型浅掺杂漏极掺杂区域。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S8之后还包括以下步骤：
S9：形成覆盖所述半导体衬底、所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的层间介电层；
S10：在所述层间介电层内分别形成连接所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的第一栅极接触和第二栅极接触，连接所述NFET区域内的源极和所述PFET区域内的所述P型浅掺杂源极掺杂区域的第一源极接触和第二源极接触，连接所述PFET区域内的P型浅掺杂漏极掺杂区域和所述NFET区域内的漏极的漏极接触。
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述半导体材料层的材料选自Si、SiGe、Ge或III-V族半导体材料。
11.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S2中的离子注入的掺杂离子为As，注入能量为5～40keV，注入剂量为1～5E16cm-2。
12.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，通过自对准金属硅化工艺形成所述完全金属硅化物N+型源极和N+型漏极。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述自对准金属硅化工艺包括以下步骤：
在所述NFET区域内的所述第一栅极结构两侧暴露的鳍片表面上沉积形成金属层；
进行热退火，直到被所述金属层覆盖的鳍片完全转变为金属硅化物；
去除未反应的金属层。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述金属层为镍、钴及铂或其组合的材料。
15.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述金属层的厚度范围为5～50nm，所述退火为氮气气氛中的快速退火，所述快速退火的温度为500℃。
16.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，采用包括双氧水和硫酸的溶液去除所述未反应的金属层。
17.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S3之后和所述步骤S4之前，还包括步骤：对所述NFET区域内的对应所述第一沟道区的所述鳍片进行第二离子注入，以使所述第一沟道区为N+型沟道区。
18.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第二离子注入使得所述第一沟道区具有从所述鳍片与所述第一栅极结构相交的表面到所述鳍片中心区域逐渐减小的掺杂浓度。
19.根据权利要求18所述的制造方法，其特征在于，所述鳍片与所述第一栅极结构相交的表面的掺杂浓度大于或等于1×1019atom/cm3。
20.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S7之后和所述步骤S8之前，还包括对所述第一栅极结构两侧所述NFET区域内的鳍片进行N型离子重掺杂注入的步骤，以形成N+型源区和N+型漏区。