技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该器件包括：半导体衬底，半导体衬底内具有相邻的NFET区域和PFET区域，半导体衬底包括基底、位于基底上的埋氧层以及形成于埋氧层上的跨越NFET区域和PFET区域的鳍片；形成于NFET区域内的无结NFET和形成于PFET区域内的反型模式PFET，无结NFET具有完全金属硅化物源极和漏极，反型模式PFET的P型浅掺杂漏极掺杂区域与无结NFET的漏极相连。无结NFET通过完全金属硅化物技术可以实现电流不仅在表面传导还可以在体内传导的传导机制，其在沟道区完全耗尽时关闭。本发明的半导体器件具有优异的性能，可以使得在非理想界面下GeFinFET器件发生强的电子反转。
技术研发人员：肖德元
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201510232427
技术研发日：2015.05.08
技术公布日：2016.12.07