电阻式存储器及其制造方法与流程

文档序号:11102781阅读:来源:国知局
技术总结
本发明提供一种电阻式存储器及其制造方法,所述电阻式存储器包括:第一电极、第二电极、可变电阻层、氧交换层、以及保护层。第一电极与第二电极相对设置。可变电阻层配置于第一电极与第二电极之间。氧交换层配置于可变电阻层与第二电极之间。保护层至少配置于氧交换层的侧壁上。本发明提供的电阻式存储器及其制造方法,其可保护存储器单元的侧壁,以避免重置失败,进而提升高温数据保持能力。

技术研发人员:许博砚;沈鼎瀛;何家骅;傅志正;陈达
受保护的技术使用者:华邦电子股份有限公司
文档号码:201510723998
技术研发日:2015.10.29
技术公布日:2017.05.10

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