相关申请的交叉引用本申请要求于2015年1月19日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0008750号韩国专利申请的优先权的权益，所述申请的公开内容通过引用被全部包含于此。技术领域本公开涉及一种电子组件和具有该电子组件的板。
背景技术：电感器(一种电子组件)是与电阻器和电容器一起构造电子电路以从电子电路去除噪声的代表性的无源元件。为了减小在印刷电路板上安装无源元件所需的区域，可使用其中设置有多个内线圈部的阵列式电感器。
技术实现要素：本公开的一方面可提供一种电子组件和具有该电子组件的板，所述电子组件能够抑制由设置在电子组件中的多个内线圈部产生的磁场的有害的相互干扰。根据本公开的一方面，电子组件可包括：磁体；第一内线圈部和第二内线圈部，嵌入在磁体中并彼此分隔开，并包括设置在第一支撑构件和第二支撑构件上的线圈导体；第一间隔部和第二间隔部，设置在磁体中的第一内线圈部和第二内线圈部之间，并且在磁体的宽度方向上分别设置在磁体的第一侧表面和第二侧表面上，在第一间隔部和第二间隔部之间具有预定间隔。根据本公开的另一方面，电子组件可包括：磁体；第一内线圈部和第二内线圈部，嵌入在磁体中而且彼此分开，并包括设置在第一支撑构件和第二支撑构件上的线圈导体；间隔部，设置在第一内线圈部和第二内线圈部之间，并且抑制由第一内线圈部和第二内线圈部产生的磁场的相互干扰。根据本公开的又一方面，电子组件可包括：磁体；第一内线圈部和第二内线圈部，嵌入在磁体中以彼此分开；第一间隔部和第二间隔部，设置在磁体中的第一内线圈部和第二内线圈部之间，在第一间隔部和第二间隔部之间具有预定间隔。第一间隔部和第二间隔部可由与磁体的材料不同的材料形成。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的上述和其他方面、特征及优点将会被更加清楚地理解，其中：图1是根据本公开的示例性实施例的电子组件的透视图；图2是根据本公开的示例性实施例的电子组件中的内线圈部的透视图；图3A和图3B分别是沿着图2的方向A和方向B投影的电子组件的内部的平面图；图4是沿着图1的线I-I’截取的截面图；图5A是示出形成在根据未设置间隔部的现有技术的电子组件中的磁场的示意图；图5B是示出形成在根据本公开的示例性实施例的电子组件中的磁场的示意图；图6是板的透视图，其中，图1的电子组件安装在印刷电路板(PCB)上。具体实施方式在下文中，将参照附图详细地描述本公开的实施例。然而，本公开可以以多种不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于在此阐述的实施例。更确切地说，提供这些实施例以使本公开将是彻底的和完全的，并将本公开的范围充分地传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清晰起见，可夸大元件的形状和尺寸，并且相同的标号将始终用于指示相同或相似的元件。电子组件在下文中，将描述根据示例性实施例的电子组件，具体地，薄带式电感器。然而，根据示例性实施例的电子组件不限于此。图1是根据本公开的示例性实施例的电子组件的透视图，图2是根据示例性实施例的电子组件中的内线圈部的透视图。参照图1和图2，作为电子组件的示例，公开了一种用于电源电路的电源线的薄带式电感器。根据示例性实施例的电子组件100可包括：磁体50；第一内线圈部41和第二内线圈部42，嵌入在磁体50中；第一间隔部61和第二间隔部62，设置在第一内线圈部41和第二内线圈部42之间；第一外电极81至第四外电极84，设置在磁体50的外表面上。在本公开的示例性实施例中，使用序数词(例如，“第一和第二”、“第一至第四”等)是为了对物体进行区分，并不限于该顺序。在根据本公开的示例性实施例的电子组件100中，“长度”方向指图1的“L”方向，“宽度”方向指图1的“W”方向，“厚度”方向指图1的“T”方向。磁体50可具有：第一端表面SL1和第二端表面SL2，在磁体50的长度(L)方向上彼此相对；第一侧表面SW1和第二侧表面SW2，将第一端表面SL1和第二端表面SL2相互连接并且在磁体50的宽度(W)方向上彼此相对；第一主表面ST1和第二主表面ST2，在磁体50的厚度(T)方向上彼此相对。磁体50可包含任何材料，只要该材料表现出磁特性。例如，磁体50可包含铁氧体或磁性金属粉。铁氧体可以是(例如)Mn-Zn基铁氧体、Ni-Zn基铁氧体、Ni-Zn-Cu基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Ba基铁氧体和Li基铁氧体。磁性金属粉可以是包含从由铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铬(Cr)、铝(Al)、铜(Cu)、铌(Nb)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种的晶态金属粉或非晶态金属粉。例如，磁性金属粉可以是Fe-Si-B-Cr基非晶态金属粉。磁性金属粉可分散在热固性树脂(例如，环氧树脂或聚酰亚胺)中，从而被包含在磁体50中。磁体50可包括设置为彼此分开的第一内线圈部41和第二内线圈部42。也就是说，根据示例性实施例的电子组件100可以是具有基础结构的阵列式电感器，在该基础结构中设置有两个或更多个内线圈部。可通过分别将第一线圈导体43与第二线圈导体44连接以及将第一线圈导体45与第二线圈导体46连接而形成第一内线圈部41和第二内线圈部42，第一线圈导体43和45形成在于磁体50中被设置为彼此分开的第一支撑构件21和第二支撑构件22的一个表面上，第二线圈导体44和46形成在第一支撑构件21和第二支撑构件22的与所述一个表面相对的另一个表面上。第一支撑构件21和第二支撑构件22可彼此分开并在同一平面上彼此对齐。第一线圈导体43和45可分别具有形成在第一支撑构件21和第二支撑构件22的同一平面上的平坦线圈的形状。第二线圈导体44和46可分别具有形成在第一支撑构件21和第二支撑构件22的另一个同一平面上的平面线圈的形状。第一线圈导体43至第二线圈导体46中的每个可具有螺旋形状。形成在第一支撑构件21的一个表面上的第一线圈导体43和形成在第一支撑构件21的另一个表面上的第二线圈导体44可通过穿透第一支撑构件21的过孔(未示出)而彼此电连接。形成在第二支撑构件22的一个表面上的第一线圈导体45和形成在第二支撑构件22的另一个表面上的第二线圈导体46可通过穿透第二支撑构件22的过孔(未示出)而彼此电连接。虽然可通过在支撑构件21和22上执行电镀而形成第一线圈导体43至第二线圈导体46，但是形成第一线圈导体43至第二线圈导体46的方法不限于此。第一线圈导体43至第二线圈导体46以及过孔可以由具有良好的导电性的金属形成，例如，银(Ag)、钯(Pd)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)、铜(Cu)、铂(Pt)或其合金等。第一线圈导体43至第二线圈导体46可涂覆有绝缘薄膜(未示出)，从而不直接接触形成磁体50的磁性材料。第一内线圈部41和第二内线圈部42可设置为在磁体的长度(L)方向上关于磁体50的中部彼此对称。第一支撑构件21和第二支撑构件22可以是(例如)聚丙二醇(PPG)基板、铁氧体基板或金属基软磁性基板。第一支撑构件21和第二支撑构件22可具有穿透其中央部的通孔，其中，通孔填充有磁性材料，从而形成第一芯部51和第二芯部52。也就是说，第一芯部51和第二芯部52可分别形成在第一内线圈部41和第二内线圈部42的内部。由于由磁性材料形成的第一芯部51和第二芯部52形成在第一内线圈部41和第二内线圈部42的内部，因此，可提高电感L。第一内线圈部41和第二内线圈部42可设置为在磁体的长度(L)方向上彼此分开预定间隔，第一间隔部61和第二间隔部62可设置在第一内线圈部41和第二内线圈部42之间。第一间隔部61和第二间隔部62可以以二者之间具有预定间隔的方式设置在磁体50中。第一间隔部61和第二间隔部62可具有垂直于长度(L)方向设置的板状。第一间隔部61和第二间隔部62可在磁体50的宽度(W)方向上分别暴露到磁体50的第一侧表面SW1和第二侧表面SW2。第一间隔部61和第二间隔部62还可在磁体50的厚度(T)方向上分别暴露到磁体50的第一主表面ST1和第二主表面ST2。根据示例性实施例，间隔部61和62可设置在第一内线圈部41和第二内线圈部42之间，从而可抑制由多个内线圈部产生的磁场的有害的相互干扰。对于设置有多个内线圈部的阵列式电子组件，由于内线圈部之间的有害的干扰，会出现产品的故障，效率会变差。此外，由于电子组件已小型化，因此嵌入在电子组件中的多个内线圈部之间的间隔已减小，使得可能难以仅通过调节内线圈部的形状以及内线圈部之间的位置关系来抑制内线圈部之间的有害的干扰。因此，根据本公开中的示例性实施例，第一间隔部61和第二间隔部62可形成在磁体50中的第一内线圈部41和第二内线圈部42之间，并且在磁体的宽度(W)方向上分别设置在磁体的第一侧表面SW1和第二侧表面SW2处，从而可抑制由多个内线圈部产生的磁场的有害的相互干扰。第一间隔部61和第二间隔部62可由任何材料形成，只要该材料可抑制由第一内线圈部41和第二内线圈部42产生的磁场的有害的相互干扰。此外，第一间隔部61和第二间隔部62可由与磁体50的材料不同的材料形成。与磁体50的材料不同的材料还可包括包含相同的原料但各原料的组分等不同的材料。例如，第一间隔部61和第二间隔部62可包括从由热固性树脂、磁性金属粉、铁氧体和介电材料组成的组中选择的一种或更多种。第一间隔部61和第二间隔部62的磁导率可低于磁体50的磁导率，从而第一间隔部61和第二间隔部62可抑制由第一内线圈部41和第二内线圈部42产生的磁场的有害的相互干扰。第一内线圈部41和第二内线圈部42可电连接到设置在磁体50的外表面上的第一外电极81至第四外电极84。第一外电极81至第四外电极84可形成在磁体50的第一侧表面SW1和第二侧表面SW2上并沿着磁体50的厚度(T)方向延伸到磁体50的第一主表面ST1和第二主表面ST2。磁体50的厚度(T)方向指第一线圈导体43和第二线圈导体44(或第一线圈导体45和第二线圈导体46)沿着其彼此堆叠的方向。第一外电极81至第四外电极84可设置为彼此分开，从而彼此电气隔离。第一外电极81至第四外电极84可由具有优异的导电性的金属形成，例如，银(Ag)、钯(Pd)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)、铜(Cu)、铂(Pt)或其合金等。图3A是沿着图2的方向A投影的电子组件的内部的平面图，图3B是沿着图2的方向B投影的电子组件的内部的平面图。参照图3A，第一内线圈部41和第二内线圈部42可包括第一引线部43’和45’和第二引线部(未示出)，其中，第一引线部43’和45’从第一线圈导体43和45的一个端部延伸并暴露到磁体50的第一侧表面SW1，第二引线部从第二线圈导体44和46的一个端部延伸并暴露到磁体50的第二侧表面SW2。第一引线部43’和45’可连接到设置在磁体50的第一侧表面SW1上的第一外电极81和第二外电极82，第二引线部(未示出)可连接到设置在磁体50的第二侧表面SW2上的第三外电极83和第四外电极84。虽然第一外电极81和第二外电极82可以是输入端子，且第三外电极83和第四外电极84可以是输出端子，但是第一外电极81至第四外电极84不限于此。例如，输入到第一外电极81(输入端子)的电流可按顺序经过第一内线圈部41的第一线圈导体43、过孔、第一内线圈部41的第二线圈导体44，从而流向第三外电极83(输出端子)。类似地，输入到第二外电极82(输入端子)的电流可按顺序经过第二内线圈部42的第一线圈导体45、过孔、第二内线圈部42的第二线圈导体46，从而流向第四外电极84(输出端子)。第一间隔部61和第二间隔部62可以以二者之间具有预定间隔的方式设置在磁体50中，并且在磁体的宽度(W)方向上分别设置在磁体50的第一侧表面SW1和第二侧表面SW2处。第一间隔部61和第二间隔部62之间的间隔可满足0μm<a<300μm。在第一间隔部61和第二间隔部62之间的间隔为0μm的情况下，即，第一间隔部61和第二间隔部62彼此连接，由于该间隔部，电感会降低，且磁体50的强度会变差；在间隔大于300μm的情况下，由于由第一内线圈部41和第二内线圈部42产生的磁场的有害的相互干扰，会出现产品的故障，且效率会恶化。通过调节第一间隔部61和第二间隔部62之间的间隔，可调节第一内线圈部41和第二内线圈部42之间的相互干扰，并且可控制耦合值(couplingvalue)。参照图3B，第一间隔部61和第二间隔部62可沿着磁体的厚度(T)方向从磁体50的第一主表面ST1延伸到其第二主表面ST2。即，第一间隔部61和第二间隔部62的高度可等于磁体50的厚度。图4是沿着图1的线I-I’截取的截面图。参照图4，第一线圈导体43和45(设置在第一支撑构件21和第二支撑构件22的一个表面上)与第二线圈导体44和46(设置在第一支撑构件21和第二支撑构件22的另一个表面上)可通过穿透第一支撑构件21的过孔48和穿透第二支撑构件22的过孔49而彼此连接。在磁体50的宽度(W)方向上，设置在第一内线圈部41和第二内线圈部42之间的第一间隔部61和第二间隔部62可形成在磁体50的第一侧表面SW1和第二侧表面SW2处，并在磁体50中彼此分开。可通过不同地改变第一间隔部61和第二间隔部62的高度、间隔、材料等来控制耦合值，以调节第一内线圈部41和第二内线圈部42之间的相互干扰。也就是说，第一间隔部61和第二间隔部62之间的空间可包括与磁体50的材料相同的材料。例如，当磁体50包括分散在热固性树脂中的磁性金属粉时，第一间隔部61和第二间隔部62之间的空间也可包括分散在热固性树脂中的磁性金属粉。图5A是示出了形成在根据现有技术的电子组件中的磁场的示意图，其中，在该电子组件中未设置间隔部，图5B是示出了形成在根据本公开的示例性实施例的电子组件中的磁场的示意图。参照图5A，在未设置间隔部的电子组件的情况下，可以看出，磁场的相互干扰出现在第一内线圈部41和第二内线圈部42之间。相反，参照图5B，可以看出，第一间隔部61和第二间隔部62设置在第一内线圈部41和第二内线圈部42之间，从而可抑制第一内线圈部41和第二内线圈部42之间的磁场的相互干扰。具有电子组件的板图6是其中图1的电子组件安装在印刷电路板(PCB)上的板的透视图。参照图6，具有根据本示例性实施例的电子组件100的板200可包括印刷电路板210和多个电极焊盘220，电子组件100安装在印刷电路板210上，电极焊盘220形成在印刷电路板210上并彼此间隔开。在第一外电极81至第四外电极84定位为接触电极焊盘220的情况下，设置在电子组件100的外表面上的第一外电极81至第四外电极84可分别通过焊料230电连接至印刷电路板210。除了上面的描述，将省略对与根据先前示例性实施例的电子组件的特征重叠的那些特征的描述。如上所阐述，根据本公开中的示例性实施例，可抑制由设置在电子组件中的多个内线圈部产生的磁场的相互干扰。此外，可通过调节内线圈部之间的相互干扰而控制耦合值。虽然上面已示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的范围的情况下，可以进行修改和改变。