1.一种承载装置，包括静电卡盘和边缘组件，其中，所述静电卡盘用于承载被加工工件；所述边缘组件环绕在所述静电卡盘的外周壁上，且包括由上而下依次叠置的聚焦环、基环和绝缘环；其特征在于，在所述基环内、且沿所述静电卡盘的周向环绕设置有热交换通道，通过向所述热交换通道内通入热交换媒介，来实现对所述聚焦环的温度控制。
2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括输入接头和输出接头，二者竖直贯穿所述绝缘环，且所述输入接头与输出接头各自的上端延伸至所述基环内，并与所述热交换通道连通；
分别在所述输入接头与所述绝缘环之间以及所述输出接头与所述绝缘环之间设置有密封圈；
经由所述输入接头向所述热交换通道内通入所述热交换媒介，并经由所述输出接头将所述热交换媒介自所述热交换通道排出。
3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括热交换源、输入管路和输出管路，其中，
所述输入管路的输出端与所述输入接头连接，所述输入管路的输入端与所述热交换源的输出端连接；
所述输出管路的输入端与所述输出接头连接，所述输出管路的输出端与所述热交换源的输入端连接；
所述热交换源用于通过其输出端向所述输入管路提供热交换媒介，并通过其输入端回收来自所述输出管路的热交换媒介。
4.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述输入接头和输出接头相对于所述基环的轴线对称分布。
5.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，在所述基环中设置有入口和出口，二者各自的一端与所述热交换通道相连通，二者各自的另一端延伸至所述基环的下表面；
在所述绝缘环中分别设置有沿其厚度方向贯穿的第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔与所述入口相连通；所述第二通孔与所述出口相连通；
在所述基环的下表面与所述绝缘环的上表面之间，且分别环绕在所述第一通孔和第二通孔的周围设置有密封圈；
依次经由所述第一通孔和所述入口向所述热交换通道内通入所述热交换媒介，并依次经由所述出口和所述第二通孔将所述热交换媒介自所述热交换通道排出。
6.根据权利要求5所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括热交换源、输入管路和输出管路，其中，
所述输入管路的输出端与所述第一通孔连接，所述输入管路的输入端与所述热交换源的输出端连接；
所述输出管路的输入端与所述第二通孔连接，所述输出管路的输出端与所述热交换源的输入端连接；
所述热交换源用于通过其输出端向所述输入管路提供热交换媒介，并通过其输入端回收来自所述输出管路的热交换媒介。
7.根据权利要求5所述的承载装置，其特征在于，所述入口和出口相对于所述基环的轴线对称分布。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的承载装置，其特征在于，所述热交换通道为多个，多个所述热交换通道与所述静电卡盘的轴线之间的径向间距不同，且同心设置。
9.根据权利要求1-7任意一项所述的承载装置，其特征在于，所述热交换媒介为液体或气体。
10.一种半导体加工设备，其包括反应腔室和设置在其内的承载装置，所述承载装置用于承载所述被加工工件，以及调节所述被加工工件的温度，其特征在于，所述承载装置采用了权利要求1-9任意一项所述的承载装置。