技术特征：
1.一种电阻器，包括：电阻器本体，设置于基板中且以第一类型掺杂物掺杂；绝缘层，设置于该电阻器本体之上；以及至少一个柵极结构，设置于该绝缘层之上及该电阻器本体之上。2.根据权利要求1所述的电阻器，进一步包括多个柵极结构，设置于该绝缘层及该电阻器本体之上，且该多个柵极结构包含该至少一个柵极结构。3.根据权利要求2所述的电阻器，其中，该多个柵极结构不对称间隔。4.根据权利要求1所述的电阻器，进一步包括：第一接点，耦接至该至少一个柵极结构的第一端部；以及第二接点，耦接至该至少一个柵极结构的第二端部。5.根据权利要求1所述的电阻器，其中，该基板以不同于该第一类型掺杂物的第二类型掺杂物掺杂，且PN接面定义于该电阻器本体与该基板之间。6.根据权利要求1所述的电阻器，进一步包括：鳍的第一部分，耦接至该电阻器本体的第一端部；以及鳍的第二部分，耦接至该电阻器本体的第二端部，其中，该至少一个柵极结构垂直于穿过该鳍的该第一部分及该第二部分的轴而设置。7.根据权利要求1所述的电阻器，进一步包括：第一鳍，耦接至该电阻器本体的第一端部；以及第二鳍，耦接至该电阻器本体的第二端部，其中，该至少一个柵极结构平行于该第一鳍及该第二鳍而设置。8.根据权利要求1所述的电阻器，其中，该绝缘层包含具有第一厚度的第一部分及具有小于该第一厚度的第二厚度的第二部分，且该至少一个柵极结构设置在该第二部分之上。9.一种方法，包括：施加偏压电压于至少一第一柵极结构，该第一柵极结构设置在绝缘层之上，其中，该绝缘层设置于电阻器本体之上，而该电阻器本体设置于基板中，且该第一柵极结构以第一类型掺杂物掺杂以影响该电阻器本体的电阻。10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：施加编程电压于第二柵极结构，该第二柵极结构设置在设置于该电阻器本体之上的该绝缘层之上，且该编程电压足以击穿该第二柵极结构。11.根据权利要求9所述的方法，其中，该基板以不同于该第一类型掺杂物的第二类型掺杂物掺杂，且PN接面定义于该电阻器本体与该基板之间。12.一种方法，包括：植入第一类型掺杂物于基板中以定义电阻器本体；形成耦接至该电阻器本体的第一端部的第一鳍部分；形成耦接至该电阻器本体的第二端部的第二鳍部分；形成该电阻器本体之上的绝缘层；以及形成该绝缘层之上及该电阻器本体之上的至少一个柵极结构。13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成该第一鳍部分及该第二鳍部分包含：形成多个鳍；选择性移除该多个鳍的子集，留存第一鳍以定义该第一鳍部分并留存第二鳍以定义该第二鳍部分；以及植入该第一类型的掺杂物离子进入该基板中以定义该电阻器本体且同时植入该掺杂物离子进入该第一鳍及该第二鳍中。14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括在选择性移除该多个鳍的该子集后形成该绝缘层。15.根据权利要求12所述的方法，其中，形成该第一鳍部分及该第二鳍部分包括：形成至少一个鳍；选择性移除该至少一个鳍的中间部分，留存该至少一个鳍的第一端部以定义该第一鳍部分并留存该至少一个鳍的第二端部以定义该第二鳍部分；以及植入该第一类型的掺杂物离子进入该基板中以定义该电阻器本体且同时植入该掺杂物离子进入该第一鳍部分及该第二鳍部分中。16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括在选择性移除该至少一个鳍的该中间部分后形成该绝缘层。17.根据权利要求12所述的方法，进一步包括施加偏压电压于该至少一个柵极结构以影响该电阻器本体的电阻。18.根据权利要求12所述的方法，进一步包括施加编程电压于第二柵极结构，而该第二柵极结构设置在设置于该电阻器本体之上的该绝缘层之上，且该编程电压足以击穿该第二柵极结构。19.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：于该绝缘层之上及该电阻器本体之上形成多个柵极结构，且该多个柵极结构包含该至少一个柵极结构。20.根据权利要求19所述的方法，进一步包括形成在该绝缘层之上但不在该电阻器本体之上且邻近该多个柵极结构的其中一者的至少一个伪柵极结构。