技术特征：
1.一种磁性装置，其包括反铁磁性结构，其包含参考层；势垒层，其安置于所述参考层上；自由层，其安置于所述势垒层上；非磁性间隔物层，其安置于所述自由层上，所述非磁性间隔物包含氮化钽封盖材料层；及极化器，其安置于所述非磁性间隔物上。2.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述非磁性间隔物层进一步包括氧化镁层。3.根据权利要求2所述的磁性装置，其中所述氧化镁层包括大约0.3纳米的厚度。4.根据权利要求3所述的磁性装置，其中所述氮化钽封盖材料层包括介于1.0纳米与5.0纳米之间的厚度。5.根据权利要求4所述的磁性装置，其中所述氮化钽封盖材料层包括大约1.0纳米的厚度。6.根据权利要求4所述的磁性装置，其中所述氮化钽封盖材料层包括大约5.0纳米的厚度。7.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述磁性装置为正交自旋扭矩结构。8.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述参考层及所述自由层各自包括分别具有大约2.3纳米及1.85纳米的厚度的CoFeB薄膜层。9.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述非磁性间隔物层进一步包括具有大约5.0纳米的厚度的铜层。10.根据权利要求9所述的磁性装置，其中所述氮化钽封盖材料层的所述厚度为大约1.0纳米。11.根据权利要求9所述的磁性装置，其中所述氮化钽封盖材料层的所述厚度为大约3.0纳米。12.根据权利要求9所述的磁性装置，其中所述氮化钽封盖材料层的所述厚度为大约5.0纳米。13.根据权利要求3所述的磁性装置，其中所述非磁性间隔物层进一步包括具有大约10纳米的厚度的铜层，且其中所述氮化钽封盖材料层具有大约1.0纳米的厚度。14.一种存储器阵列，其包括：至少一个位单元，其包含：反铁磁性结构，其包含参考层；势垒层，其安置于所述参考层上；自由层，其安置于所述势垒层上；非磁性间隔物层，其安置于所述自由层上，所述非磁性间隔物包含氮化钽封盖材料层；及极化器，其安置于所述非磁性间隔物上。15.根据权利要求14所述的存储器阵列，其中所述非磁性间隔物层进一步包括具有大约0.3纳米的厚度的氧化镁层。16.根据权利要求15所述的存储器阵列，其中所述氮化钽封盖材料层包括介于1.0纳米与5.0纳米之间的厚度。17.根据权利要求14所述的存储器阵列，其中所述至少一个位单元为正交自旋扭矩结构。18.根据权利要求14所述的存储器阵列，其中所述非磁性间隔物层进一步包括具\t有大约5.0纳米的厚度的铜层。19.根据权利要求18所述的存储器阵列，其中所述氮化钽封盖材料层包括介于1.0纳米与5.0纳米之间的厚度。20.根据权利要求15所述的存储器阵列，其中所述非磁性间隔物层进一步包括具有大约10纳米的厚度的铜层，且其中所述氮化钽封盖材料层具有大约1.0纳米的厚度。