用于MRAM装置的磁性隧道结结构的制作方法

技术总结
本发明提供一种磁性隧道结堆叠，其在自由层与极化器层之间包含由氧化镁及氮化钽材料形成的非磁性间隔物层，所述非磁性间隔物层平衡作用于所述自由层上的自旋扭矩。所提供的设计实现存储层的确定性最终状态，且显著改进用于MRAM应用的所述磁性隧道结的隧穿磁阻值及切换特性。

技术研发人员：穆斯塔法·皮纳尔巴斯;鲍尔泰克·考尔达斯;
受保护的技术使用者：斯平转换技术公司;
文档号码：201580009984
技术研发日：2015.09.01
技术公布日：2016.10.26