技术总结
一种半导体器件的制造方法，其包括下述工序：在基板1上得到含有聚硅氧烷的组合物的图案2a的工序；和在所述基板上形成离子杂质区域6的工序，所述半导体器件的制造方法的特征在于，在所述离子杂质区域的形成工序后，还包括于300～1,500℃对所述图案进行烧成的工序。由此，能够在半导体基板中形成离子杂质区域后将含有聚硅氧烷的组合物的图案2a的固化膜无残渣地容易地除去，因此，能够提高半导体器件制造中的成品率、缩短节拍时间。
技术研发人员：谷垣勇刚;藤原健典
受保护的技术使用者：东丽株式会社
文档号码：201580016327
技术研发日：2015.03.18
技术公布日：2016.11.16