1.一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片和叠层于所述支撑片的第1面侧的保护膜形成膜，其中，
所述支撑片的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，
将所述支撑片在130℃下加热2小时后，所述支撑片的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。
2.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片，其中，所述支撑片的第2面的所述加热后的算术平均粗糙度(Ra2)小于所述算术平均粗糙度(Ra1)。
3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用复合片，其中，所述支撑片由基材构成，或者由基材和粘合剂层构成，所述粘合剂层叠层于所述基材的一面侧的所述支撑片的第1面侧。
4.根据权利要求3所述的保护膜形成用复合片，其中，所述基材的熔点为90～180℃。
5.根据权利要求3或4所述的保护膜形成用复合片，其中，所述基材在130℃下的储能模量为1～100MPa。
6.根据权利要求3～5中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，所述基材在所述加热后对波长1064nm的光线透射率为40％以上。
7.根据权利要求3～6中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，所述基材在所述加热后对波长532nm的光线透射率为40％以上。
8.根据权利要求3～7中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，所述基材是由乙烯和丙烯的共聚物构成的膜。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，所述保护膜形成用复合片具备夹具用粘合剂层，所述夹具用粘合剂层叠层于所述保护膜形成膜的与所述支撑片侧相反侧的边缘部。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的保护膜形成用复合片，其具备叠层于所述保护膜形成膜上的剥离片。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，所述保护膜形成膜是在半导体晶片上形成保护膜的层，或者是在对半导体晶片进行切割而得到的半导体芯片上形成保护膜的层。