离子植入工艺及设备的制作方法

文档序号:11636007阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明涉及一种离子源设备,其以使得能够采用低蒸气压掺杂剂源材料的方式生成掺杂剂物种。所述离子源设备(10)包括:离子源腔室(12);及在所述离子源腔室(12)中或与所述离子源腔室(12)相关联的可消耗结构,所述可消耗结构包括固体掺杂剂源材料,其易于与反应性气体发生反应以将气态形式的掺杂剂释放到所述离子源腔室。举例来说,所述可消耗结构是掺杂剂气体馈送管线(14),其包括具有由固体掺杂剂源材料形成的内部层的管道或导管。

技术研发人员:O·比尔;J·D·斯威尼
受保护的技术使用者:恩特格里斯公司
技术研发日:2015.10.27
技术公布日:2017.08.01
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