可调射频耦合器的制作方法

本申请涉及电子系统，更特别地，涉及射频(rf)耦合器。
背景技术：
：射频(rf)源，诸如rf放大器，可提供rf信号。当rf源产生的rf信号被提供给诸如天线之类的负载时，rf信号的一部分可能会从负载反射回来。rf耦合器可包括在rf源和负载之间的信号路径中以提供从rf放大器行进到负载的rf信号的正向rf功率的指示和/或从负载反射回来的反向rf功率的指示。rf耦合器包括例如定向耦合器、双向定向耦合器(bi-directionalcoupler)、多频带耦合器(例如，双频带耦合器)等。rf耦合器可具有耦合端口(coupledport)、隔离端口、功率输入端口和功率输出端口。当端接阻抗(terminationimpedance)呈现给隔离端口时，可在耦合端口处提供从功率输入端口行进到功率输出端口的正向rf功率的指示。当端接阻抗呈现给耦合端口时，可在隔离端口处提供从功率输出端口行进到功率输入端口的反向rf功率的指示。在各种常规rf耦合器中，端接阻抗由50ohm的分流电阻器实施。rf耦合器具有耦合系数，其可表示相对于功率输入端口处的rf信号的功率，多少功率被提供给rf耦合器的耦合端口。rf耦合器通常在rf信号路径中引起插入损耗。因此，在rf耦合器的功率输入端口处接收到的rf信号当在rf耦合器的功率输出端口处提供时可具有更低的功率。插入损耗可归因于rf信号的一部分被提供给耦合端口(或隔离端口)，及/或归因于与rf耦合器的主传输线路相关联的损耗。技术实现要素：在权利要求中描述的发明创造每个都具有若干方面，没有单个方面是引起其期望特性的唯一原因。在不限制权利要求范围的情况下，下面将简要描述本申请的一些突出特征。本申请的一个方面是一种装置，其包括射频耦合器。所述射频耦合器包括功率输入端口、功率输出端口、耦合端口、多段式耦合线路、以及配置为调节所述多段式耦合线路的有效长度的开关。所述多段式耦合线路的有效长度可为电连接在所述耦合端口和端接阻抗之间的耦合线路的长度。所述多段式耦合线路可至少包括第一段和第二段，所述开关串联设置在所述第一段和所述第二段之间。所述射频耦合器还可包括第二开关，所述多段式耦合线路可包括第三段，所述第二开关可配置为将所述第三段选择性电连接到所述耦合端口。所述装置还可包括可电耦接到所述多段式耦合线路的第一段的第一端接阻抗元件和可电耦接到所述多段式耦合线路的第二段的第二端接阻抗元件。所述装置还可包括可电连接到所述多段式耦合线路的一段的可调端接阻抗电路，其中所述可调端接阻抗电路配置为提供端接阻抗给所述多段式耦合线路的所述段。所述装置还可包括可调端接阻抗电路和开关网络，其中所述开关网络配置为将所述可调端接阻抗电路选择性电耦接到所述多段式耦合线路的第一段，以及将所述可调端接阻抗电路选择性电耦接到所述多段式耦合线路的第二段。所述射频耦合器可包括由电连接所述功率输入端口和所述功率输出端口的连续导电结构实现的主线路。所述射频耦合器可配置为操作在解耦状态，在解耦状态中所述多段式耦合线路的每段从电连接所述功率输入端口和所述功率输出端口的主线路解耦。所述装置还可包括开关网络，其布置为将所述射频耦合器配置成提供正向功率指示的第一状态和提供反射功率指示的第二状态。所述装置可包括配置为调节所述开关的状态的控制电路。所述装置还可包括开关网络，其配置为在第一状态时将第一阻抗元件电耦接到所述多段式耦合线路的第一段的第一端，将所述多段式耦合线路的第一段的第二端电耦接到功率输出，以及在第二状态时将第二阻抗元件电耦接到所述多段式耦合线路的第二段的第一端，将所述多段式耦合线路的第二段的第二端电耦接到所述功率输出。所述装置还可包括包封所述射频耦合器的封装。所述装置还可包括与所述射频耦合器通信的天线开关模块，其中所述天线开关模块被包封在所述封装内。所述装置还可包括配置为通过所述天线开关模块将射频信号提供给所述射频耦合器的功率放大器，其中所述功率放大器被包封在所述封装内。本申请的另一方面是一种装置，其包括射频耦合器，所述射频耦合器包括功率输入端口、功率输出端口、配置为提供行进在所述功率输入端口和所述功率输出端口之间的射频信号的功率指示的端口、以及耦合线路。所述耦合线路至少包括第一段和第二段。所述射频耦合器还包括电连接到所述耦合线路的第一段和所述耦合线路的第二段之间的路径中的节点的开关。所述开关配置为调节电连接在配置为提供功率指示的端口和端接阻抗之间的耦合线路的长度。配置为提供行进在所述功率输入端口和所述功率输出端口之间的射频信号的功率指示的所述端口可为提供从所述功率输入端口行进到所述功率输出端口的功率指示的耦合端口。配置为提供行进在所述功率输入端口和所述功率输出端口之间的射频信号的功率指示的所述端口可为提供从所述功率输出端口行进到所述功率输入端口的功率指示的隔离端口。所述开关可串联设置在所述第一段和所述第二段之间。所述射频耦合器还可包括所述耦合线路的第三段和串联设置在所述第二段和所述第三段之间的第二开关，其中所述第二开关配置为将所述第三段选择性电连接到配置为提供行进在所述功率输入端口和所述功率输出端口之间的所述射频信号的功率指示的所述端口。本申请的另一方面是一种装置，其包括射频耦合器。所述射频耦合器包括功率输入端口、功率输出端口、耦合端口和耦合线路，所述耦合线路具有对所述射频耦合器的耦合系数有贡献的可调有效长度。所述耦合线路可包括可彼此串联电连接的多个段，其中所述多个段中的每个段可选择性电耦接到所述耦合端口。所述射频耦合器还可包括设置在所述多个段中的两个相邻段之间的开关，其中所述开关配置为响应于控制信号将所述两个相邻段选择性电耦接到彼此。本申请的另一方面是一种装置，其包括射频(rf)耦合器和开关网络。所述rf耦合器至少具有功率输入端口、功率输出端口、耦合端口和隔离端口。所述开关网络至少可配置成第一状态和第二状态。所述开关网络配置为在所述第一状态中将端接阻抗电连接到所述隔离端口，所述开关网络配置为在所述第二状态中将行进在所述功率输入端口和所述功率输出端口之间的rf信号从所述隔离端口和所述耦合端口解耦。所述rf耦合器还可包括至少一个耦合系数开关，其配置为调节电连接到所述耦合端口的所述rf耦合器的多段式耦合线路的有效长度。所述耦合系数开关可配置为在所述开关网络操作在所述第二状态时电隔离所述多段式耦合线路的两个相邻段。所述开关网络可配置为调节电耦接到所述隔离端口的端接阻抗。所述开关网络可配置为响应于指示选定频率带的信号而调节电耦接到所述隔离端口的端接阻抗。所述装置可包括控制电路，其配置为将所述开关网络从所述第一状态转变为所述第二状态。替代地或附加地，所述控制电路可配置为至少部分地基于控制信号调节电连接到所述隔离终端的端接阻抗。所述控制信号可指示所述装置的功率模式或操作频带中的至少一个。所述装置可包括具有连接节点的端接阻抗电路，所述开关网络可配置成第三状态，所述开关网络可配置为在所述第一状态中将所述隔离端口电连接到所述连接节点，以将所述端接阻抗电连接到所述隔离端口，所述开关网络可配置为在第三状态下将所述连接节点电连接到所述耦合端口。所述端接阻抗可由在所述隔离端口和基准电势之间串联的至少两个开关和至少两个无源阻抗元件实现。本申请的另一方面是一种装置，其包括射频(rf)耦合器和开关网络。所述rf耦合器至少具有功率输入端口、功率输出端口、耦合端口、隔离端口、主线路和耦合线路。所述开关网络至少可配置成第一状态和第二状态。所述开关网络配置为在所述第一状态下，将端接阻抗电连接到所述隔离端口或所述耦合端口中的一个。所述开关网络配置为在所述第二状态下，将所述耦合线路从所述主线路解耦。所述装置可包括所述端接阻抗。所述开关网络可配置成第三状态，所述开关网络配置成在所述第三状态下，将另一端接阻抗电连接到所述隔离端口或所述耦合端口中的另一个。替代地，所述开关网络可配置成第三状态，所述开关网络配置成在所述第三状态下，将所述端接阻抗电连接到所述隔离端口或所述耦合端口中的另一个。所述装置可包括与所述开关网络通信的控制电路，所述控制电路可配置为控制所述开关网络从所述第一状态转变为所述第二状态。所述装置可配置为封装模块，其包括包封所述rf耦合器和所述开关网络的封装。所述耦合线路可至少包括第一段和第二段，所述rf耦合器还可包括耦合系数开关，其配置为当接通时将所述第一段电连接到所述第二段，当断开时将所述第一段从所述第二段电解耦。本申请的另一方面是一种装置，其包括射频(rf)耦合器、开关网络和控制电路。所述rf耦合器至少具有功率输入端口、功率输出端口、耦合端口、隔离端口、电连接功率输入端口和功率输出端口的主线路、以及电连接耦合端口和隔离端口的耦合线路。所述控制电路配置为在第一操作模式下，控制所述开关网络以将所述隔离端口和所述耦合端口从一个或多个端接阻抗电解耦，以将所述耦合线路从所述主线路电解耦。所述控制电路还配置为在第二操作模式下，控制所述开关网络以将所述耦合端口或所述隔离端口中的一个电连接到所述一个或多个端接阻抗中的至少一个，以在所述第二操作模式下提供行进在所述功率输入端口和所述功率输出端口之间的射频信号的功率指示。所述控制电路可配置为在所述第二操作模式下，控制所述开关网络以将所述隔离端口电连接到所述一个或多个端接阻抗中的所述一个，所述射频信号的功率指示可表示从所述功率输入端口行进到所述功率输出端口的正向射频功率。所述控制电路还可配置为在第三操作模式下，控制所述开关网络将所述耦合端口电连接到所述一个或多个端接阻抗中的另一个，以提供从所述功率输出端口行进到所述功率输入端口的射频信号的功率指示。本申请的另一方面是一种装置，其包括射频(rf)耦合器、端接阻抗电路和开关电路。所述rf耦合器至少具有配置为接收rf信号的功率输入端口、耦合端口和隔离端口。所述rf耦合器配置为在正向功率状态下在耦合端口处提供所述rf信号的正向rf功率的指示，在反向功率状态下在隔离端口处提供所述rf信号的反向rf功率的指示。所述端接阻抗电路配置为提供可调端接阻抗。所述开关电路配置为在正向功率状态下将所述端接阻抗电路电连接到所述隔离端口，在反向功率状态下将所述端接阻抗与所述rf耦合器的隔离端口电隔离。所述装置可包括第二端接阻抗电路，其配置为提供第二可调端接阻抗，所述开关电路可配置为将所述第二端接阻抗电路选择性电连接到所述rf耦合器的耦合端口，以及将所述第二端接阻抗电路与所述rf耦合器的耦合端口选择性电隔离。所述开关电路可配置为当所述开关电路将所述隔离端口与所述端接阻抗电路隔离时，将所述端接阻抗电路电连接到所述耦合端口。所述装置可包括存储器和控制电路，所述控制电路布置为基于所述存储器中存储的数据至少配置所述端接阻抗电路的一部分。所述装置可具有解耦状态，在解耦状态中所述rf耦合器的耦合线路与所述rf耦合器的传输线路解耦。本申请的另一方面是一种装置，其包括射频(rf)耦合器、端接阻抗电路和隔离开关。所述rf耦合器至少具有功率输入端口、功率输出端口、耦合端口和隔离端口。所述端接阻抗电路配置为提供可调端接阻抗。所述隔离开关设置在所述隔离端口和所述端接阻抗电路之间。所述隔离开关配置为当所述隔离开关接通时，将所述隔离端口电连接到所述端接阻抗电路，使得所述耦合端口提供从所述功率输入端口行进到所述功率输出端口的rf功率的指示。所述隔离开关配置为当所述隔离开关断开时，将所述隔离端口与所述端接阻抗电路电隔离。所述隔离开关可为单刀、单掷开关。所述隔离开关可包括串联-分流-串联电路拓扑。所述装置可包括配置为提供第二可调端接阻抗的第二端接阻抗电路和第二隔离开关，其中所述第二隔离开关设置在所述第二端接阻抗电路和所述耦合端口之间。所述装置可包括设置在所述端接阻抗电路和所述耦合端口之间的第二隔离开关，其中所述第二隔离开关配置为当所述第二隔离开关接通时，将所述耦合端口电连接到所述端接阻抗电路，使得所述隔离端口提供从所述功率输出端口行进到所述功率输入端口的rf功率的指示，并且所述第二隔离开关配置为当所述第二隔离开关断开时，将所述耦合端口与所述端接阻抗电路电隔离。所述端接阻抗电路可包括多个开关和多个无源阻抗元件。所述多个开关中的至少一个开关和所述隔离开关可串联在所述多个无源阻抗元件中的每个和所述隔离端口之间。本申请的另一方面是一种装置，其包括射频(rf)耦合器、端接阻抗电路、以及开关电路。所述rf耦合器至少具有配置为接收rf信号的功率输入端口、耦合端口和隔离端口。所述rf耦合器配置为在正向功率状态下在所述耦合端口处提供所述rf信号的正向rf功率的指示，在反向功率状态下在所述隔离端口处提供所述rf信号的反向rf功率的指示。所述端接阻抗电路配置为提供可调端接阻抗。所述开关电路配置为将所述端接阻抗电路选择性电连接到所述rf耦合器的选定端口，以及将所述端接阻抗电路与所述rf耦合器的所述选定端口选择性电隔离，其中所述选定端口为所述隔离端口或所述耦合端口。所述装置可包括配置为提供第二可调端接阻抗的第二端接阻抗电路，所述选定端口为所述隔离端口，所述开关电路可配置为将所述第二端接阻抗电路选择性电连接到所述rf耦合器的耦合端口，以及将所述第二端接阻抗电路与所述rf耦合器的耦合端口选择性电隔离。所述选定端口可为所述隔离端口，所述开关电路可配置为在所述开关电路将所述隔离端口与所述端接阻抗电路隔离时，将所述端接阻抗电路电连接到所述耦合端口。所述装置可包括控制电路，其配置为至少部分基于所述rf信号的频率的指示，调节所述可调端接阻抗。所述装置可包括存储器和控制电路，其中所述控制电路布置为基于所述存储器中存储的数据配置所述端接阻抗电路的至少一部分。所述端接阻抗电路可包括设置在所述开关电路和无源阻抗元件之间的开关。所述端接阻抗电路可包括至少两个开关和至少两个无源阻抗元件，其中所述两个开关和所述两个无源阻抗元件串联设置在所述开关电路和地之间。所述端接阻抗电路可包括彼此并联设置的开关的开关组和无源阻抗元件，其中所述开关组中的每个开关设置在所述开关电路和所述无源阻抗元件中的相应无源阻抗元件之间。本申请的另一方面是一种装置，其包括射频(rf)耦合器和端接阻抗电路。所述rf耦合器至少具有功率输入端口、功率输出端口、耦合端口和隔离端口。所述端接阻抗电路配置为提供可调端接阻抗。所述端接阻抗电路包括两个开关和一个无源阻抗元件，它们串联在基准电势和所述rf耦合器的选定端口之间。所述rf耦合器的选定端口为所述rf耦合器的隔离端口或所述rf耦合器的耦合端口中的一个。所述选定端口可为隔离端口。所述两个开关和一个无源阻抗元件也串联在所述耦合端口和所述基准电势之间。所述基准电势可为地。所述选定端口可为耦合端口。所述无源阻抗元件可串联耦接在所述两个开关之间。所述两个开关中的至少一个可配置为响应于指示工艺变化或操作频带中的至少一个的控制信号而改变状态。所述端接阻抗电路可包括第二无源阻抗元件，其中所述两个开关、所述无源阻抗元件和所述第二无源阻抗元件可串联在所述基准电势和所述rf耦合器的选定端口之间。所述无源阻抗元件可为电阻器，所述第二无源阻抗元件可为电感器。替代地，所述无源阻抗元件可为电容器，所述第二无源阻抗元件可为电感器。另外替代地，所述无源阻抗元件可为电阻器，所述第二无源阻抗元件可为电容器。所述端接阻抗电路可包括电阻器、电容器和电感器。所述端接阻抗电路可包括多个无源阻抗元件和开关组，其中所述多个无源阻抗元件包括所述无源阻抗元件，所述开关组包括所述两个开关中的一个，所述端接阻抗电路包括所述开关组中的每个开关和所述多个无源阻抗元件中的相应无源阻抗元件的串联组合，这些串联组合彼此并联布置。本申请的另一方面是一种装置，其包括射频(rf)耦合器和端接阻抗电路。所述rf耦合器至少具有功率输入端口、功率输出端口、耦合端口和隔离端口。所述端接阻抗电路配置为提供可调端接阻抗。所述端接阻抗电路包括电阻器、开关、以及串联布置在基准电势和所述rf耦合器的选定端口之间的无源阻抗元件。所述选定端口为所述rf耦合器的隔离端口或所述rf耦合器的耦合端口中的一个。所述无源阻抗元件包括电容器或电感器中的至少一个。所述装置可包括第二开关，其中所述第二开关与所述开关串联布置在所述基准电势和所述rf耦合器的选定端口之间。所述rf耦合器可配置为在第一状态下在所述耦合端口处提供正向功率的指示，在第二状态下在所述隔离端口处提供反射功率的指示。本申请的另一方面是一种装置，其包括射频(rf)耦合器和端接阻抗电路。所述rf耦合器至少具有功率输入端口、功率输出端口、耦合端口和隔离端口。所述端接阻抗电路包括无源阻抗元件和开关。所述开关配置为响应于一个或多个控制信号选择性电连接所述隔离端口和地之间无源阻抗元件的子集。所述无源阻抗元件的子集包括在所述隔离端口和地之间彼此串联电连接的两个无源阻抗元件。所述两个无源阻抗元件包括电阻器或电感器中的至少一个。所述无源阻抗元件的子集可包括电阻器、电容器或电感器中的至少两个。所述一个或多个控制信号中的至少一个可指示工艺变化或操作频带中的至少一个。所述装置可包括设置在所述端接阻抗电路和所述rf耦合器的隔离端口之间的隔离开关。本申请的另一方面是一种装置，其包括射频(rf)耦合器、端接电路、存储器和控制电路。所述rf耦合器至少具有功率输入端口、功率输出端口、耦合端口和隔离端口。所述端接电路配置为将可调端接阻抗提供给所述隔离端口或所述耦合端口中的至少一个。所述端接电路包括开关和无源阻抗元件。所述存储器配置为存储用于设置所述端接电路的一个或多个开关的状态的数据。所述控制电路与所述存储器通信。所述控制电路配置为至少部分地基于所述存储器中存储的数据提供一个或多个控制信号来设置所述一个或多个开关的状态。所述存储器中存储的数据可指示工艺变化。替代地或附加地，所述存储器中存储的数据可指示应用参数。所述存储器可包括永久性存储元件，诸如熔丝元件。所述存储器可与所述控制电路或所述端接电路中的至少一个实现在同一晶片上。所述装置可包括包封所述存储器和所述rf耦合器的封装。所述装置可包括设置在所述端接电路和所述rf耦合器之间的开关。所述端接阻抗电路可在第一状态下耦接到所述隔离端口，在第二状态下耦接到所述耦合端口。本申请的另一方面是一种电子实施的方法，包括：获得指示射频(rf)耦合器的一端口处的期望端接阻抗的数据；以及将所述数据存储在物理存储器中，使得所存储的数据可由控制电路访问，其中所述控制电路布置为至少部分地基于存储到所述存储器的数据来配置电连接到所述rf耦合器的所述端口的端接电路的至少一部分。存储到所述物理存储器的数据指示工艺变化和/或应用参数。所述物理存储器可为永久性存储器。所述物理存储器可包括熔丝元件。所述端口可为所述rf耦合器的隔离端口。替代地，所述端口可为所述rf耦合器的耦合端口。所述控制电路可配置为至少部分地基于存储到所述存储器的数据来设置电连接到所述rf耦合器的端口的端接电路的一个或多个开关的状态。所述方法可包括至少部分地基于存储到所述存储器的数据来设置所述端接电路的一个或多个开关的状态。本申请的另一方面是一种装置，其包括双向定向射频(rf)耦合器、端接阻抗电路、以及至少具有第一状态和第二状态的开关电路。所述开关电路配置为在不同状态下将所述端接阻抗电路电连接到所述双向定向rf耦合器的不同端口。所述不同端口可包括所述rf耦合器的隔离端口和所述rf耦合器的耦合端口。本申请的另一方面是一种装置，其包括双向定向射频(rf)耦合器，所述双向定向rf耦合器至少具有功率输入端口、功率输出端口、耦合端口和隔离端口。所述装置还包括一个或多个端接可调阻抗电路，其配置为在第一操作模式下向所述隔离端口呈现第一阻抗，在第二操作模式下向所述耦合端口呈现第二端接阻抗。所述装置可包括控制电路，其配置为使所述一个或多个端接可调电路改变状态。所述一个或多个可调端接电路可包括呈现所述第一端接阻抗的第一端接阻抗电路和呈现所述第二端接阻抗的第二端接阻抗电路。替代地，所述一个或多个可调端接电路可包括呈现所述第一端接阻抗和所述第二端接阻抗的共享端接阻抗。所述一个或多个端接可调电路可包括开关网络和配置为提供所述第一端接阻抗的无源阻抗元件。所述无源阻抗元件可包括多个电阻器，每个电阻器具有电连接到所述开关网络中的相应开关的第一端和电连接到地的第二端。所述一个或多个端接可调电路可包括可调电阻、可调电容或可调电感中的至少一个。所述一个或多个可调端接阻抗电路可配置为用在所述隔离端口和地之间串联的至少两个开关和至少两个无源阻抗元件呈现所述第一阻抗。所述一个或多个端接可调电路可配置为至少部分基于指示提供给所述rf耦合器的射频信号的频带的控制信号来调节所述第二端接阻抗。替代地或附加地，所述一个或多个端接可调电路可配置为至少部分基于指示所述装置的功率模式的控制信号来调节所述第二端接阻抗。所述装置可包括设置在所述一个或多个可调端接阻抗电路和所述隔离端口之间的隔离开关，其中所述隔离开关配置为在接通时将所述隔离端口电连接到所述一个或多个可调阻抗电路中的至少一个，在断开时将所述隔离端口与所述一个或多个可调阻抗电路电隔离。所述装置还可包括设置在所述一个或多个可调端接阻抗电路和所述耦合端口之间的第二隔离开关，其中所述第二隔离开关配置为在接通时将所述耦合端口电连接到所述一个或多个可调端接阻抗电路中的至少一个，在断开时将所述耦合端口与所述一个或多个可调端接阻抗电路电隔离。本申请的另一方面是一种装置，其包括双向定向rf耦合器、端接阻抗电路、以及开关电路。所述双向定向rf耦合器至少具有功率输入端口、功率输出端口、耦合端口和隔离端口。所述开关电路至少具有第一状态和第二状态。所述开关网络配置为在所述第一状态中将所述端接阻抗电路电连接到所述隔离端口，在所述第二状态中将所述端接阻抗电路电连接到所述耦合端口。所述端接阻抗电路可配置为提供可调端接阻抗。所述端接阻抗电路可包括多个开关和多个无源阻抗元件。所述端接阻抗电路的所述开关中的至少一个和所述开关电路的至少一个开关串联在所述rf耦合器的隔离端口和所述端接阻抗电路的每个无源阻抗元件之间。本申请的另一方面是一种装置，其包括双向定向射频(rf)耦合器、第一可调端接阻抗电路、以及与所述第一可调端接阻抗电路分开的第二可调端接阻抗电路。所述双向定向rf耦合器至少具有功率输入端口、功率输出端口、耦合端口和隔离端口。所述第一可调端接阻抗电路配置为当从所述功率输入端口行进到所述功率输出端口的rf功率的一部分被提供给所述耦合端口时，将第一端接阻抗提供给所述隔离端口。所述第一可调端接阻抗电路配置为改变状态以调节所述第一端接阻抗。所述第二可调端接阻抗电路配置为当从所述功率输出端口行进到所述功率输入端口的rf功率的一部分被提供给所述隔离端口时，将第二端接阻抗提供给所述耦合端口。所述第二可调端接阻抗电路配置为改变状态以调节所述第二端接阻抗。所述第一可调端接阻抗电路可包括第一开关网络和提供所述第一端接阻抗的第一端接阻抗电路。所述第一可调端接阻抗电路可包括可调电阻、可调电容和可调电感中的至少一个。所述第二可调端接阻抗电路可配置为至少部分基于指示提供给所述rf耦合器的射频信号的频带或所述装置的功率模式中的至少一个的控制信号来调节所述第二端接阻抗。出于概述本申请的目的，本文已经描述了本发明的某些方面、优点和新颖特征。可以理解的是，所有的这些优点不一定都要根据本发明的任何特定实施例来实现。因此，可以按照实现或优化如本文所教导的一个优点或一组优点的方式来实施或实现本发明，而不需要实现如本文可能教导或建议的其他优点。附图说明下面将参照附图以非限制性示例的方式描述本申请的实施例。图1为射频耦合器配置为提取在功率放大器和天线之间行进的射频信号的一部分功率的示意性框图。图2为射频耦合器配置为提取在天线开关模块和天线之间行进的射频信号的一部分功率的示意性框图。图3a为根据一实施例的包括射频耦合器和可调端接阻抗电路的电子系统的示意图。图3b为示出在图3a所示的射频耦合器的耦合端口处的耦合信号和隔离端口处的用于不同端接阻抗设置的信号的曲线图。图3c为示出针对不同的端接阻抗设置，图3a所示的射频耦合器的方向性(directivity)对频率的关系的曲线图。图4为示出以与图3a中不同的状态配置的图3a的电子系统的示意图。在图4中，电子系统配置为提取沿与图3a中相反的方向行进的射频信号的一部分功率。图5为示出以与图3a中不同的状态配置的图3a的电子系统的示意图。在图5中，电子系统配置为解耦状态(decoupledstate)。图6a为示出图3a的端接阻抗电路可由可调电阻电路、可调电容电路和/或可调电感电路来实施的示意图。图6b为示出图3a的端接阻抗电路可包括多个电阻器的示意图。图7a为根据一示例的具有电连接到耦合端口的长度可调的耦合线路的射频耦合器的示意图。图7b为示出图7a所示的射频耦合器的插入损耗曲线的曲线图。图7c为示出图7a所示的射频耦合器的耦合系数曲线的曲线图。图8a为配置成第二状态的图7a的射频耦合器的示意图，在第二状态中，耦合线路的三段中的两段电连接到耦合端口。图8b为示出在图8a所示状态中的射频耦合器的插入损耗曲线的曲线图。图8c为示出在图8a所示状态中的射频耦合器的耦合系数曲线的曲线图。图9a为配置成第三状态的图7a的射频耦合器的示意图，在第三状态中，耦合线路的三段中的一段电连接到耦合端口。图9b为示出在图9a所示状态中的射频耦合器的插入损耗曲线的曲线图。图9c为示出在图9a所示状态中的射频耦合器的耦合系数曲线的曲线图。图10a为配置成第四状态的图7a的射频耦合器的示意图，在第四状态中，耦合线路从主线路解耦。图10b为示出在图10a所示状态中的射频耦合器的插入损耗曲线的曲线图。图10c为示出在图10a所示状态中的射频耦合器的耦合系数曲线的曲线图。图11a为示出具有连续耦合线路的rf耦合器的插入损耗对频率的曲线的曲线图。图11b为示出具有多段式耦合线路的rf耦合器的插入损耗对频率的曲线的曲线图。图12a为示出具有连续耦合线路的rf耦合器的耦合系数对频率的曲线的曲线图。图12b为示出具有多段式耦合线路的rf耦合器的耦合系数对频率的曲线的曲线图。图13a为根据一实施例的具有多段式耦合线路的射频耦合器的示意图，每段可耦合多个端接阻抗。图13b为示出与图13a的射频耦合器相关联的对应于两个不同的端接阻抗的曲线的曲线图。图13c为根据另一实施例的具有多段式耦合线路的射频耦合器的示意图，每段可耦合多个端接阻抗。图14为根据一实施例的在耦合线路中具有级联段(cascadedsection)的射频耦合器的示意图。图15为根据一实施例的具有多个层的射频耦合器的示意图，在所述多个层中，多个耦合线路段可共享同一主线路。图16a为根据一实施例的射频耦合器、配置为提供可调端接阻抗的端接阻抗电路、以及耦接在射频耦合器和端接阻抗电路之间的隔离开关的示意图。图16b为示出图16a所示的射频耦合器的、针对两个不同频率优化的耦合端口处的耦合信号和隔离端口处的信号的曲线图。图17a为根据另一实施例的射频耦合器、配置为提供可调端接阻抗的端接阻抗电路、以及耦接在射频耦合器和端接阻抗电路之间的隔离开关的示意图。图17b为示出图17a所示的射频耦合器的、针对两个不同频率优化的耦合端口处的耦合信号和隔离端口处的信号的曲线图。图18为根据一实施例的设置端接阻抗电路中的开关状态的示例过程的流程图。图19a为根据一实施例的射频耦合器和通过开关可电耦接到射频耦合器的隔离端口或耦合端口的端接阻抗电路的示意图。图19b和图19c为根据某些实施例的图19a的开关的示意图。图20为根据一实施例的电子系统的示意图，该电子系统包括具有多段式耦合线路的射频耦合器、端接阻抗电路、以及开关，所述开关配置为选择性地将端接阻抗电路之一电连接到所述多段式耦合线路中的选定段。图21为根据另一实施例的电子系统的示意图，该电子系统包括具有多段式耦合线路的射频耦合器、端接阻抗电路、以及开关，所述开关配置为选择性地将端接阻抗电路之一电连接到所述多段式耦合线路中的选定段。图22a为根据另一实施例的电子系统的示意图，该电子系统包括具有多段式耦合线路的射频耦合器、端接阻抗电路、以及开关，所述开关配置为选择性地将所述端接阻抗电路中的选定的端接阻抗电路电连接到所述多段式耦合线路中的选定段。图22b为根据另一实施例的电子系统的示意图，该电子系统包括具有多段式耦合线路的射频耦合器、端接阻抗电路、以及开关，所述开关配置为选择性地将所述端接阻抗电路中的选定的端接阻抗电路电连接到所述多段式耦合线路中的选定段。图22c为根据另一实施例的电子系统的示意图，该电子系统包括具有多段式耦合线路的射频耦合器、端接阻抗电路、以及开关，所述开关配置为选择性地将一端接阻抗电路电连接到所述多段式耦合线路中的选定段。图23a为根据另一实施例的电子系统的示意图，该电子系统包括具有多段式耦合线路的射频耦合器、端接阻抗电路、以及开关，所述开关配置为选择性地将所述端接阻抗电路中的选定的端接阻抗电路电连接到所述多段式耦合线路中的选定段。图23b为根据另一实施例的电子系统的示意图，该电子系统包括具有多段式耦合线路的射频耦合器、端接阻抗电路、以及开关，所述开关配置为选择性地将所述端接阻抗电路中的选定的端接阻抗电路电连接到所述多段式耦合线路中的选定段。图24为根据另一实施例的电子系统的示意图，该电子系统包括具有多段式耦合线路的射频耦合器、共享的端接阻抗电路、以及开关，所述开关配置为选择性地将所述共享的端接阻抗电路电连接到所述多段式耦合线路中的选定段。图25a为根据一实施例的电子系统的示意图，该电子系统包括具有多段式耦合线路的射频耦合器、多个端接阻抗电路、以及开关网络。图25b示出根据一实施例的图25a的示例端接阻抗电路。图26a至图26c示出可包括本文论述的任何射频耦合器的示例模块。图26a为包括射频耦合器的封装模块的框图。图26b为包括射频耦合器和天线开关模块的封装模块的框图。图26c为包括射频耦合器、天线开关模块和功率放大器的封装模块的框图。图27为可包括本文论述的任何射频耦合器的示例无线装置的示意性框图。具体实施方式下面对某些实施例的详细描述给出了对特定实施例的各种描述。然而，本文描述的发明创造可以以许多不同的方式来体现，例如，如权利要求所定义且涵盖的那样。在本说明书中，参考了附图，附图中相似的附图标记可表示相同或功能类似的元件。可理解，附图所示的元件不一定是按比例绘制的。此外可理解，某些实施例可包括比附图所示的元件更多的元件和/或附图所示的元件的子集。此外，一些实施例可合并来自两个或更多附图的特征的任何适当组合。常规的射频(rf)耦合器在关于给定频率下的固定耦合系数方面可能会有限制。频率f下的固定耦合系数可通过频率a下的耦合系数加20log(a/f)来表示。对于更小的绝对耦合系数，可呈现更大的耦合效果。在更高频率下，耦合效果可更大。常规的rf耦合器也可在给定频率下具有固定插入损耗。插入损耗可为耦合系数加上rf耦合器的将功率输入端口电连接到功率输出端口的主传输线路的电阻损耗的函数。rf耦合器的方向性可取决于隔离端口处的端接阻抗。在常规rf耦合器中，端接阻抗通常处于固定阻抗值，其仅为特定频率带宽提供期望的方向性。然而，在具有固定端接阻抗的情况下，当rf信号在特定频率带之外时，射频耦合器将不具有期望的方向性。因此，当在特定频率带之外的不同频率带中操作时，方向性将不是最优的。在频率上使耦合系数平坦化可能是期望的。已经通过插入rf耦合器后rlc网络来抵消和/或补偿rf耦合器的增大的耦合斜率，以实现频率上耦合系数的平坦化。这种蛮力方法可在相对宽的频率范围上使耦合系数平坦化。然而，由于rlc网络可能是有损耗的，所以这种方法可能会负面影响主信号路径中的插入损耗。结果，为了获得期望的耦合系数，可能希望rf耦合器具有甚至更多的耦合以补偿rlc网络的损耗。因此，主信号路径中的插入损耗可能增大。另外，传统的rf耦合器甚至在未使用时也会增加信号路径的插入损耗。这会在即使rf耦合器未被用于检测功率时也损害rf信号。rf耦合器的性能可受诸如工艺变化和/或源阻抗变化之类的各种因素影响。如上所述，通常用于端接常规rf耦合器的隔离端口的端接阻抗是不可调的固定阻抗。因此，仅可针对选定频带和/或针对具有固定端接阻抗的特定带宽实现期望水平的方向性。工艺变化和/或源阻抗变化对于固定端接阻抗而言可能是有问题的。此外，为了避免半导体参数变化，一些端接阻抗电路已经通过由非半导体工艺形成的外部无源阻抗元件来实现。虽然这种外部无源阻抗元件可使端接阻抗值的变化减小，但是相对于基于半导体的无源阻抗元件而言，这些外部无源阻抗元件可能是昂贵的和/或消耗更大的面积。工艺变化可影响射频耦合器的性能。例如，rf耦合器的方向性，诸如双向定向rf耦合器，可依赖于耦合器的隔离端口处的端接阻抗和呈现给耦合器的功率输入端口的源阻抗。由于半导体制造工艺中的缺陷，在用于向rf耦合器的端口提供端接阻抗的端接阻抗电路中可能存在有工艺变化。工艺变化可影响端接阻抗电路中的电阻、电容、电感或其任意组合的值。端接阻抗电路中的这种工艺变化可包括例如半导体场效应晶体管(fet)的接通电阻和/或断开电容、多晶硅电阻器的电阻、金属-绝缘体-金属(mim)电容器的电容、电感器的电感等或其任意组合的变化。替代地或附加地，工艺变化可影响耦合线路的宽度和/或耦合线路到主线路的间隔，其可改变rf耦合器的特性。耦合线路中的这种变化可影响rf耦合器和/或端接阻抗电路的性能。通常，端接阻抗电路和/或耦合线路中的工艺变化的分布可由正态分布来近似，3西格玛为约10％至约15％。源阻抗的变化可能会影响rf耦合器的性能。例如，源阻抗可偏离端接阻抗电路针对其配置来优化方向性的特定值。当rf耦合器与配置为向rf耦合器提供rf信号的另一部件(例如，rf功率放大器、天线开关，双信器(diplexer)或滤波器等)通信时，呈现给rf耦合器的源阻抗可能偏离50欧姆。当rf耦合器针对50欧姆源阻抗进行了优化时，这种偏离会相对于50欧姆源阻抗降低rf耦合器的方向性。本公开的一些方面涉及调整电连接到射频耦合器的端接阻抗和/或调整电连接到射频耦合器的一端口的耦合线路的有效长度。公开了配置为提供可调端接阻抗的各种端接阻抗电路。这样的电路可实现rf耦合器的期望特性，例如期望的方向性。开关可通过调节与rf耦合器的耦合端口电连接的多段式耦合线路的有效长度来调节rf耦合器的耦合系数。本文公开的rf耦合器可配置为解耦状态，以在rf耦合器未被使用时减小与这种rf耦合器相关联的插入损耗。在某些实施例中，隔离开关配置为选择性地将可调端接阻抗电路与诸如耦合端口或隔离端口之类的射频耦合器的一端口隔离开。替代地或附加地，根据一些实施例，开关电路配置为在一种状态下选择性地将端接阻抗电路耦接到rf耦合器的隔离端口，在另一种状态下选择性地将同一端接阻抗电路电耦接到rf耦合器的耦合端口。在各种实施例中，可将指示期望端接阻抗的值存储在存储器中，并且可以至少部分地基于所存储的值来设置端接阻抗电路中的开关状态。本文论述的任何原理和优点可应用于任何合适的射频耦合器，包括例如定向耦合器、双向定向耦合器(bi-directionalcoupler)、两方向定向耦合器(dual-directionalcoupler)、多频带耦合器(例如，双频带耦合器)等。调节电连接到射频耦合器的一端口的端接阻抗可通过为特定操作条件，诸如提供给射频耦合器的射频信号的频率带或包括该射频耦合器的电子系统的功率模式，提供期望的端接阻抗来改善射频耦合器的方向性。在某些实施例中，开关网络可响应于一个或多个控制信号，选择性地将不同的端接阻抗电耦接到射频耦合器的隔离端口。开关网络可调节射频耦合器的端接阻抗，以改善跨多个频带上的方向性。开关网络可包括端接阻抗与隔离端口和耦合端口两者之间的开关。这种rf耦合器可具有在一种状态下提供给隔离端口以用于提供正向rf功率的指示的端接阻抗，并且具有在另一种状态下提供给耦合端口以用于提供反向rf功率的指示的端接阻抗。在某些实施例中，包括多个开关的端接阻抗电路可通过选择性提供端接路径中的电阻、电容、电感或其任意组合来调节提供给rf耦合器的隔离端口和/或耦合端口的端接阻抗。端接阻抗电路可通过在端接路径中以串联和/或并联方式选择性地电耦接无源阻抗元件来提供任何合适的端接阻抗。端接阻抗电路可因此提供具有期望阻抗值的端接阻抗。例如，端接阻抗电路可补偿工艺变化和/或源阻抗变化。在一些实施例中，可将指示期望端接阻抗的数据存储在存储器中，并且可以至少部分地基于存储在存储器中的数据来设置多个开关中的至少一个开关的状态。在一些实施方式中，存储器可包括诸如熔丝元件(例如，熔丝和/或反熔丝)之类的永久存储器以存储数据。根据各种实施例，开关可设置在rf耦合器的一端口(例如，耦合端口或隔离端口)与可调端接阻抗电路之间。当可调端接阻抗电路没有向rf耦合器的端口提供端接阻抗时，该开关可将可调端接阻抗电路的调谐元件(例如开关)与rf耦合器的端口电隔离。这可降低rf耦合器的端口上的负载效应，诸如可调端接阻抗电路的开关的断开电容。因此，开关可使rf耦合器的端口上的插入损耗减小。根据一些实施例，端接阻抗电路可被双向定向耦合器的隔离端口和耦合端口共享。相对于隔离端口和耦合端口具有分别的端接阻抗电路，这可减小面积。隔离端口或耦合端口中一次仅一个可被提供有端接阻抗以提供rf功率的指示。因此，开关电路可选择性地将端接阻抗电路电连接到隔离端口，以及选择性地将端接阻抗电路电连接到耦合端口，使得隔离端口或耦合端口中一次不超过一个电连接到端接阻抗电路。为了将耦合端口和隔离端口电隔离，开关电路可包括高隔离开关。例如，每个高隔离开关可包括串联-分流-串联电路拓扑(topology)。由高隔离开关提供的耦合端口和隔离端口之间的隔离可大于目标方向性。耦合线路的有效长度可以是对rf耦合器的耦合系数有贡献的耦合线路的长度。例如，耦合线路的有效长度可以是端接阻抗与rf耦合器的配置为提供在功率输入端口和功率输出端口之间行进的功率的指示的一端口之间的电气路径中的耦合线路的长度。调整耦合线路的有效长度可调节射频耦合器的耦合系数。因此，具有可调耦合线路有效长度的射频耦合器可具有期望的耦合系数。同时，主线路的插入损耗应不被增大。在某些实施例中，射频耦合器可具有包括多段的耦合线路以及一个或多个开关，一个或多个开关将耦合线路的一段选择性电耦接到射频耦合器的诸如耦合端口之类的端口。例如，开关可串联在耦合线路的两段之间，并且开关可将耦合线路的两段彼此电耦接或电解耦。开关网络可根据射频耦合器的状态选择性地将选定的端接阻抗电耦接到耦合线路的特定段。开关网络可优化射频耦合器的方向性。开关网络可在一种状态下将端接阻抗呈现给射频耦合器的耦合端口，并且在另一种状态下将端接阻抗呈现给射频耦合器的隔离端口。本文论述的端接阻抗电路的任何原理和优点可结合具有配置为被调整的有效长度的耦合线路来应用。本文论述的射频耦合器可具有解耦状态，其中耦合线路与主线路解耦。当射频耦合器未被使用时，解耦状态可在主信号线路中提供最小的插入损耗。本文论述的实施例可通过提供针对特定操作条件，例如提供给射频耦合器的射频信号的特定频率带，选择的端接阻抗来有利地为射频耦合器提供改善的方向性。替代地或附加地，本文论述的实施例可通过调整耦合线路的有效长度来调整耦合系数，从而提供改善的主线路插入损耗。这可避免过度耦合和随后的衰减。通过调整耦合线路的有效长度，射频耦合器可设置为期望的耦合系数。在某些实施例中，本文论述的射频耦合器具有解耦状态，其可最小化射频耦合器未被使用时因耦合效应而引起的损耗。图1是其中射频耦合器配置为提取在功率放大器和天线之间行进的射频信号的功率的一部分的示意性框图。如图所示，功率放大器10接收rf信号，并且通过rf耦合器20将放大的rf信号提供给天线30。应理解，附加元件(未示出)可包括在图1的电子系统中，和/或可实施所示元件的子组合。功率放大器10可放大rf信号。功率放大器10可以是任何合适的rf功率放大器。例如，功率放大器10可以是单级功率放大器、多级功率放大器、由一个或多个双极晶体管实现的功率放大器、或由一个或多个场效应晶体管实现的功率放大器中的一个或多个。例如，功率放大器10可以实施在gaas晶片、cmos晶片或sige晶片上。rf耦合器20可以提取在功率放大器10和天线30之间行进的放大rf信号的一部分功率。rf耦合器20可产生从功率放大器10向天线30行进的正向rf功率的指示，和/或产生从天线30向功率放大器10行进的反射rf功率的指示。功率指示可提供给rf功率检测器(未示出)。rf耦合器20可具有四个端口：功率输入端口、功率输出端口、耦合端口和隔离端口。在图1的配置中，功率输入端口可接收来自功率放大器10的放大rf信号，功率输出端口可将放大rf信号提供给天线30。端接阻抗可被提供给隔离端口或耦合端口。在双向定向rf耦合器中，在一种状态下端接阻抗可被提供给隔离端口，在另一种状态下端接阻抗可被提供给耦合端口。当端接阻抗被提供给隔离端口时，耦合端口可提供从功率输入端口向功率输出端口行进的rf信号的一部分功率。因此，耦合端口可提供正向rf功率的指示。当端接阻抗被提供给耦合端口时，隔离端口可提供从功率输出端口向功率输入端口行进的rf信号的一部分功率。因此，隔离端口可提供反向rf功率的指示。反向rf功率可以是从天线30反射回rf耦合器20的rf功率。天线30可发射放大rf信号。例如，当图1所示的电子系统包括在蜂窝电话中时，天线30可从蜂窝电话发射rf信号给基站。图2是其中射频耦合器配置为提取在天线开关模块和天线之间行进的射频信号的一部分功率的示意性框图。除了天线开关模块40包括在功率放大器10和rf耦合器20之间的信号路径中之外，图2的系统类似于图1的系统。天线开关模块40可选择性地将天线30电连接到选定发射路径。天线开关模块40可提供多种开关功能。天线开关模块40可包括多掷开关，其配置为提供与例如不同频率带相关联的发射路径之间的切换、不同操作模式相关联的发射路径之间的切换、发射和/或接收模式之间的切换或其任意组合相关联的功能。应理解，可在图2的电子系统中包括附加元件(未示出)和/或可以实施所示元件的子组合。在另一实施方式(未示出)中，rf耦合器可包括在功率放大器和天线开关模块之间的信号路径中。参考图3a，将描述根据一实施例的包括射频耦合器20a和可调端接阻抗电路的电子系统。当电子系统处于图3a所示的状态时，从功率输入端口向功率输出端口行进的rf功率的一部分被提供给耦合端口。在图3a中提供给rf耦合器20a的耦合端口的rf功率部分表示正向rf功率。例如，rf耦合器20a的耦合端口处的正向rf功率的指示可以是由功率放大器产生的提供给天线的信号的功率指示。图3a示出了包括rf耦合器20a、第一开关网络50、第一端接阻抗元件52、第二开关网络54、第二端接阻抗元件56、以及控制电路58的电子系统。图3a的电子系统可包括比图示更多的元件，和/或可实施所示元件的子组合。rf耦合器20a是图1和图2的rf耦合器20的示例。rf耦合器20a可包括两条平行或重叠的传输线路，例如微带、带状线、共面线等。在一些实施例中，rf耦合器20a可包括诸如两个变压器之类的两个电感器，代替两条传输线路。两条传输线路或电感器可实现主线路和耦合线路。主线路可将来自rf功率输入的信号的大部分提供给rf功率输出。耦合线路可用于提取在rf功率输入和rf功率输出之间行进的功率的一部分。在图3a中，第一开关网络50和第一端接阻抗元件52可一起实现第一可调端接阻抗电路。第一可调端接阻抗电路可将选定的端接阻抗提供给rf耦合器20a的隔离端口。第二开关网络54和第二端接阻抗元件56可一起实现第二可调端接阻抗电路。第二可调端接阻抗电路可将选定的端接阻抗提供给rf耦合器20a的耦合端口，下面将参考图4对其进行更详细的论述。虽然图3a中的第一可调端接阻抗电路和第二可调端接阻抗电路每个都包括开关和电连接到相应开关的端接阻抗，但是第一可调端接阻抗电路和/或第二可调端接阻抗电路可由任何合适的可调端接阻抗电路实现。rf耦合器20a的隔离端口可电连接到一个或多个开关以调节提供给隔离端口的端接阻抗。如图所示，第一开关网络50包括阻抗选择开关61、62和63以分别将第一端接阻抗元件52的端接阻抗71、72和73电耦接到rf耦合器20a的隔离端口。所示的第一开关网络50还包括模式选择开关64，其可在rf耦合器20a用于提供反向rf功率的指示时选择性地提供来自rf耦合器20a的反向耦合输出。第一开关网络50的每个开关可以在接通时电耦接节点，并且在断开时电隔离节点。第一开关网络50可包括任何合适的开关以实现阻抗选择开关61、62和63以及模式选择开关64。例如，第一开关网络50中的每个所示开关可包括半导体场效应晶体管(fet)。例如，这种fet可以以线性模式偏置。当fet接通时，fet可处于短路或低损耗模式，其电连接fet的源极和漏极。当fet断开时，fet可处于开路或高损耗模式，其电隔离fet的源极和漏极。可以替代地或附加地实施其他合适的开关。此外，虽然在图3a中示出了三个阻抗选择开关61、62和63，但是可以实施任何合适数量的阻抗选择开关。在一些情况下，可以实施仅一个阻抗选择开关。在另一些情况下，可以实施两个阻抗选择开关或者三个以上阻抗选择开关。阻抗选择开关61、62和63以及端接阻抗71、72和73可用于实现rf耦合器20a的期望方向性。例如，当到rf耦合器20a的rf信号在不同频率带内时，对应的不同端接阻抗可选择性电耦接到隔离端口。作为说明性示例，第一端接阻抗71可以电耦接到隔离端口以用于第一频率带，第二端接阻抗72可以电耦接到隔离端口以用于第二频率带，第三端接阻抗73可以电耦接到隔离端口以用于第三频率带。下面的表1总结了根据一实施例用于各种频率带的阻抗选择开关61、62和63的状态以及对应的端接阻抗。如图3a所示，第一阻抗选择开关61可将第一端接71电连接到rf耦合器20a的隔离端口。这可以针对特定频率带优化方向性。表1正向功率状态频率带端接阻抗s61s62s63a2a接通断开断开b2b断开接通断开c2c断开断开接通可以控制阻抗选择开关61、62和63以向rf耦合器20a的隔离端口提供端接阻抗71、72和/或73的任何合适的组合。例如，阻抗选择开关61、62和63可配置为下表2所示的状态的任何组合或子组合。此外，本文论述的原理和优点可应用到任何合适数量的阻抗选择开关和对应的端接阻抗。表2正向功率状态频率带端接阻抗s61s62s63a2a接通断开断开b2b断开接通断开c2c断开断开接通d2a+2b接通接通断开e2a+2c接通断开接通f2b+2c断开接通接通g2a+2b+2c接通接通接通替代地或附加地，可以针对特定的操作功率模式选择特定的端接阻抗或端接阻抗的组合。针对特定的功率模式和/或频率带具有特定的阻抗可以改善rf耦合器20a的方向性，这可有助于改善例如与rf耦合器20a相关联的功率测量的准确度。可以针对任何合适的应用参数和/或任何合适的操作条件指示来选择特定的端接阻抗或端接阻抗的组合。图3a的第一端接阻抗元件52包括电连接到第一开关网络的每个阻抗选择开关的端接阻抗。端接阻抗71、72和73可以是例如被选择来实现期望端接阻抗的电阻、电容和/或电感负载。可以针对特定的频率带和/或功率模式来选择这种期望的端接阻抗。端接阻抗中的一个或多个可以是电耦接在模式选择开关和地电势之间的无源阻抗元件。例如，端接阻抗可以由电耦接在阻抗选择开关和地之间的电阻器来实现。一个或多个端接阻抗可以包括串联和/或并联无源阻抗元件的任何合适的组合。例如，端接阻抗可以由串联在阻抗选择开关和地电势之间的电容器和电阻器实现。将结合图6a和6b提供关于示例性端接阻抗元件的更多细节。当电子系统处于提供正向rf功率指示的状态时，控制电路58可控制阻抗选择开关61、62和63，使得期望的端接阻抗被提供给rf耦合器20a的隔离端口。控制电路58可包括用于选择性地断开和接通阻抗选择开关61、62、63中的一个或多个以在隔离端接处实现期望的端接阻抗的任何合适的电路。例如，控制电路58可以将阻抗选择开关61、62和63配置成表1和/或表2所示的任何状态。控制电路58可接收指示是测量正向功率还是反向功率的第一信号和诸如频带选择信号之类的指示操作模式的第二信号。根据所接收到的信号，控制电路58可控制第一开关网络50以向rf耦合器20a的隔离端口提供选定的端接阻抗。选定的端接阻抗可通过端接阻抗71、72、73的任何合适的组合来实现。根据所接收到的信号，控制电路58可控制第二开关网络54以向rf耦合器20a的耦合端口提供选定的端接阻抗用于测量反向功率。控制电路58可基于第一信号的状态来控制模式选择开关64和68。在一些状态中，例如图4和图5所示的状态，控制电路58可将隔离端口与第一端接阻抗元件52的所有端接阻抗解耦。当电子系统处于图3a所示的状态时，控制电路58控制开关网络50以通过第一阻抗选择开关61将第一端接阻抗71与rf耦合器20a的隔离端口电连接，同时利用其他阻抗选择开关62和63将其他端接阻抗与隔离端口电隔离。控制电路58可包括用于操作阻抗选择开关61、62、63的数字逻辑，例如解码器。数字逻辑可操作在任何合适的电源上，包括例如电荷泵的输出电压或电池电压。控制电路58还可控制第一开关网络50的模式选择开关64，使得隔离端口在图3a所示的状态中与反射功率输出解耦。当在图3a所示的状态中操作时，控制电路58向第二开关网络54提供输入信号，使得模式选择开关68将耦合端口电连接到正向功率输出，阻抗选择开关65、66和67将耦合端口分别与端接阻抗75、76和77电隔离。图3b是示出如图3a所示地布置的rf耦合器20a的耦合端口处的耦合信号和隔离端口处的信号的曲线图。图3b示出了提供给rf耦合器20a的隔离端口的不同端接阻抗可以优化对应的不同频率下隔离端口处的最小信号量。图3c是示出与图3b所示的曲线对应的方向性和频率的关系的曲线图。方向性可表示耦合信号的功率量度减去隔离端口处的信号的功率量度。更高的方向性可能是更期望的。如图3c所示，通过向rf耦合器20a的隔离端口提供特定的端接阻抗，可以优化选定频率下的方向性。图4是示出配置成与图3a不同状态的图3a的电子系统的示意图，其中沿相反方向行进的射频信号的部分功率被提取。代替如图3a所示提供正向耦合输出处的正向功率的指示，如图4所示，电子系统可提供反向耦合输出处的反向功率的指示。因此，rf耦合器20a可用于检测反向功率，例如从图1和/或图2的天线30反射回的功率。为了提供反向功率的指示，可以向rf耦合器20a的耦合端口提供端接阻抗。具有耦接到rf耦合器20a的耦合端口和隔离端口的开关网络可以使rf耦合器20a能够是双向定向的。第二开关网络54可以将第二端接阻抗元件56的选定端接阻抗电耦接到rf耦合器20a的耦合端口。第二开关网络54也可选择性地将耦合端口与正向耦合输出耦接/解耦。参照rf耦合器20a的隔离端口描述的第一开关网络50的特征的任何组合都可以关于rf耦合器20a的耦合端口通过第二开关网络54来实现。阻抗选择开关65、66和67可被控制为处于与相应的操作模式对应的选定状态。在图4所示的状态下，阻抗选择开关66将端接阻抗76电连接到rf耦合器20a的耦合端口，第二开关网络54的其他阻抗选择开关65和67将相应的端接阻抗75和77与rf耦合器20a的耦合端口电隔离。下面的表3总结了根据一实施例的用于各种频率带的阻抗选择开关65、66和67的状态。表3反向功率状态频率带s65s66s67a接通断开断开b断开接通断开c断开断开接通可以控制阻抗选择开关65、66和67以便向rf耦合器20a的耦合端口提供端接阻抗75、76和/或77的任何合适的组合。例如，阻抗选择开关65、66和67可配置为下表4所示的状态的任何组合或子组合。此外，本文论述的原理和优点可应用于任何合适数量的阻抗选择开关和相应的端接阻抗。表4反向功率状态关于隔离端口描述的第一端接阻抗元件52的特征的任何组合可关于耦合端口通过第二端接阻抗元件56来实现。在一些实施例中，第二端接阻抗元件56包括与第一端接阻抗元件52不同的端接阻抗。根据另一些实施例，第二端接阻抗元件56包括与第一端接阻抗元件52基本相同的端接阻抗。在某些实施例中，例如下面论述的图19a的实施例，一个或多个端接阻抗可以电耦接到隔离端口并且也可电耦接到耦合端口。如图4所示，阻抗选择开关66将端接阻抗76电连接到rf耦合器20a的耦合端口。这可设置期望的方向性以用于针对特定频率带提供反向功率的指示。如图4所示，第二开关网络54的模式选择开关68可将耦合端口与正向耦合输出电隔离，第一开关网络50的模式选择开关64可将隔离端口电连接到反向耦合输出。控制电路58可改变第一开关网络50和第二开关网络54中的开关的状态，以将电子系统的状态从图3a所示的状态调整到图4所示的状态。图5是示出配置成与图3a不同状态的图3a的电子系统的示意图。在图5中，rf耦合器20a的耦合线路与rf耦合器20a的主线路解耦。代替如图3a所示提供正向耦合输出处的正向功率的指示，或如图4所示提供反向耦合输出处的反向功率的指示，电子系统可配置为如图5所示的解耦状态。解耦状态为低插入损耗模式。在解耦状态下，rf耦合器20a的耦合线路与图5中的rf耦合器20a的主线路解耦。因此，在解耦状态下，可以显著地减小或者消除来自rf耦合器20a的耦合损耗。然而，来自rf耦合器20a的主线路的插入损耗仍将存在。rf耦合器的耦合端口和隔离端口在解耦状态下可以都与端接阻抗元件电隔离。如图5所示，在解耦状态下，第一开关网络50的阻抗选择开关61、62、63可将隔离端口与第一端接阻抗元件52解耦，第二开关网络54的阻抗选择开关65、66、67可将耦合端口与第二端接阻抗元件56解耦。亦如图5所示，在解耦状态下，第一开关网络50中的模式选择开关64可将隔离端口与反向耦合输出解耦，第二开关网络54中的模式选择开关68可将耦合端口与正向耦合输出解耦。在图5所示的解耦状态下，控制电路58可改变第一开关网络50和第二开关网络54中的开关的状态，以将耦合线路与主线路解耦。图6a和6b是可实现图3a、4和5的第一端接阻抗元件52和/或第二端接阻抗元件56的功能的示例端接阻抗元件的示意图。端接阻抗可在rf耦合器中提供阻抗匹配功能以提高功率传输并且减小信号反射。可以在诸如耦合端口或隔离端口之一之类的rf耦合器的端口与诸如地之类的基准电势之间提供端接阻抗。端接阻抗可以由任何合适的无源阻抗元件或无源阻抗元件的任何合适的串联和/或并联组合来实现。如图6a所示，端接阻抗元件可由可调电阻电路、可调电容电路和可调电感电路来实现。开关网络中的开关可以将这些元件选择性地电耦接到rf耦合器的耦合端子和/或隔离端子。调节可调电阻电路、可调电容电路或可调电感电路中的一个或多个的阻抗可以实现rf耦合器的期望方向性。在另一些实施例中，可实施可调电阻电路、可调电容电路或可调电感电路中的一个或两个，而不是全部三个。图6b是示出图3a、4和5的第一端接阻抗元件52和/或第二端接阻抗元件56可包括电耦接到开关网络中的开关的多个电阻器的示意图。每个电阻器可具有一电阻，其被选择为优化特定频率带的rf耦合器的方向性。替代地或附加地，这些电阻器的电阻的组合可优化特定频率带的rf耦合器的方向性。如上所述，归因于rf耦合器的耦合线路/主线路(例如，传输线路或电感器)的频率相关性，传统rf耦合器具有变化的耦合系数。为了在频率上调节rf耦合器的耦合系数以补偿耦合线路/主线路的频率相关性，本文公开了具有多段式耦合线路的rf耦合器。这样的rf耦合器可以提供可根据期望进行调节的可调耦合系数。例如，这种rf耦合器可实现在频率上相对平坦的耦合系数。参考图7a至10c，将描述包括根据一实施例的具有多段式耦合线路的rf耦合器20b的电子系统的不同状态和相关曲线图。rf耦合器20b是图1和/或2的rf耦合器20的另一示例实施方式。类似于图3a、4和5的控制电路58的控制电路可以控制rf耦合器20b和开关网络以使电子系统进入图7a、8a、9a或10a所示的状态。图7a是根据一实施例的具有电连接到耦合端口的长度可调的耦合线路的rf耦合器20b的示意图。例如，rf耦合器20b可实施在图1和/或图2的电子系统中。图7a的电子系统包括rf耦合器20b、包括开关92至99的开关网络、以及包括端接阻抗104至109的端接阻抗电路。在一实施例中，端接阻抗104至109中的每个可由端接电阻器实现。如图7a所示，rf耦合器20b具有多段式主线路和多段式耦合线路。主线路和耦合线路的段可由导电线路(例如，微带、带状线、共面线等)和/或电感器来实现。如图所示，主线路包括段80、82和84，耦合线路包括段85、87和89。虽然为了说明的目的描述了图7a的具有三段式耦合线路的实施例，但是本文论述的原理和优点可应用于具有两段式耦合线路和/或多于三段的耦合线路。图7a所示的rf耦合器20b还包括设置在耦合线路的段之间的耦合系数开关90和91。rf耦合器20b的耦合系数可以通过调节电连接到rf耦合器20b的端口的耦合线路的段数量来调节，耦合器20b的该端口提供在rf耦合器20b的功率输入端口与功率输出端口之间行进的信号的rf功率的指示。例如，耦合系数可通过将多段式耦合线路中的不同数量的段85、87、89电连接到耦合端口来得到调整。这可调节电连接到耦合端口的耦合线路的长度。因此，rf耦合器20b可以根据耦合线路的多少段85、87、89电连接到耦合端口而提供用于正向功率测量的多个耦合系数。电连接在rf耦合器20b的端口与端接阻抗之间的耦合线路较长时，可以提供更大的耦合系数和更高的插入损耗。利用多段式rf耦合器20b，可以控制耦合系数以实现在频率上相对平坦的耦合系数。rf耦合器20b可以避免过度耦合，从而防止主线路上过多的插入损耗。防止过多的插入损耗在相对较高的频率下是特别有利的，此时耦合效果可能高于期望，这可能导致较高的插入损耗。耦合系数开关90和91可以调节端接阻抗与rf耦合器20b的端口之间的耦合线路的长度，rf耦合器20b的该端口配置为提供在功率输入端口和功率输出端口之间行进的功率的指示。电连接到rf耦合器20b的耦合端口的耦合线路的有效长度可以是对rf耦合器20b的耦合系数有贡献的耦合线路的长度。例如，端接阻抗和rf耦合器20b的耦合端口之间的耦合线路的有效长度可以是电连接到rf耦合器20b的耦合端口的耦合线路的段的长度。在图7a中，第一耦合系数开关90设置在耦合线路的第一段85和第二段87之间。当第一耦合系数开关90接通时，第一段85和第二段87两者都电连接到rf耦合器20b的耦合端口。当第一耦合系数开关90断开时，第一耦合系数开关90在第一段85和第二段87之间提供电隔离。在图7a中，第二耦合系数开关91设置在耦合线路的第二段87和第三段89之间。当第二耦合系数开关91接通时，第二段87和第三段89彼此电连接。当第二耦合系数开关91断开时，第二耦合系数开关91在第二段87和第三段89之间提供电隔离。在图7a所示的状态下，第一耦合系数开关90和第二耦合系数开关91都接通。在这种状态下，段85、87和89都电连接到rf耦合器20b的耦合端口。当耦合线路的所有段都电连接到耦合端口时，与耦合线路的少于全部的段电耦接到耦合端口时相比，rf耦合器20b可提供更高的耦合效果和更高的插入损耗。在图7a中，端接阻抗开关电连接到耦合线路的每个段。端接阻抗开关可将耦合线路的各个段选择性地电连接到对应的端接阻抗。可接通电连接到耦合线路的一段的端接阻抗开关，该段离rf耦合器20b的配置为提供功率指示的端口最远且电连接到该端口。如图7a所示，端接阻抗开关96接通以将端接阻抗106电连接到耦合线路。第一模式选择开关92可将rf耦合器20b的耦合端口选择性地电耦接到正向耦合输出。在图7a所示的状态中，模式选择开关92接通，耦合端口与正向耦合输出电连接。第二模式选择开关93可将rf耦合器20b的隔离端口选择性地电耦接到反向耦合输出。在图7a所示的状态中，模式选择开关93断开，隔离端口与反向耦合输出相电隔离。图7b是示出在图7a所示的状态中射频耦合器20b的插入损耗曲线的曲线图。图7c是示出在图7a所示的状态中射频耦合器20b的耦合系数曲线的曲线图。图8a是图7a的系统的示意图，其中射频耦合器20b配置成第二状态。在第二状态中，耦合线路的三段中的两段电连接到耦合端口。第二状态提供比第一状态更低的耦合系数和更低的插入损耗。在第二状态中，第二耦合系数开关91断开，第三段89与rf耦合器20b的耦合端口电隔离。相对于图7a所示的第一状态，这减小了对与主线路的耦合有贡献的耦合线路的有效长度。在图8a所示的第二状态中，相对于图7a所示的第一状态，接通了不同的端接阻抗开关。如图8a所示，端接阻抗开关95接通，并且将端接阻抗105电连接到耦合线路的第二段87。图8b是示出在图8a所示的状态中射频耦合器20b的插入损耗曲线的曲线图。图8c是示出在图8a所示的状态中射频耦合器20b的耦合系数曲线的曲线图。这些曲线图示出插入损耗和耦合系数不同于图7a所示的状态。图9a是图7a的电子系统的示意图，其中射频耦合器20b配置为第三状态。在第三状态中，耦合线路的三段中的一段电连接到耦合端口。第三状态提供比第一状态或第二状态更低的耦合系数和更低的插入损耗。在第三状态中，第一耦合系数开关90和第二耦合系数开关91断开，耦合线路的第二段87和第三段89与rf耦合器20b的耦合端口电隔离。相对于图7a所示的第一状态和图8a所示的第二状态，在图9a所示的第三状态中，接通不同的端接阻抗开关。如图9a所示，端接阻抗开关94接通，并且将端接阻抗104电耦接到耦合线路的第一段85。图9b是示出在图9a所示的状态中射频耦合器的插入损耗曲线的曲线图。图9c是示出在图9a所示的状态中射频耦合器的耦合系数曲线的曲线图。这些曲线图示出插入损耗和耦合系数不同于图7a和图8a所示的状态。图10a是配置成第四状态的图7a的射频耦合器20b的示意图，在第四状态中耦合线路与主线路解耦。在第四状态中，可以从主线路去除耦合效果和由耦合引起的插入损耗。当rf耦合器20b不用于测量正向rf功率或反向rf功率时，系统可以配置成第四状态。当耦合系数开关90和91以及端接阻抗开关94、95、96、97、98、99断开时，耦合线路可与主线路解耦。此外，在第四状态中，模式选择开关92和93可断开。图10b是示出在图10a所示的状态中射频耦合器20b的插入损耗曲线的曲线图。图10c是示出在图10a所示的状态中射频耦合器20b的耦合系数曲线的曲线图。这些曲线图示出了相对于第一、第二和第三状态，在第四状态中有减小的插入损耗和耦合系数。图7a、8a、9a和10a所示的电子系统可配置为提供反射功率指示的状态。因此，rf耦合器20b可以是双向定向的。诸如解码器之类的任何合适的控制电路可以使开关接通和/或断开以实现这种状态。下面的表5总结了根据一实施例在各种状态中所示开关中的哪些接通，哪些断开。下面的表6提供这些状态的简要描述。在一些实施例中，可以实现这些状态的附加状态和/或子组合。表5图7a、8a、9a、10a的3段耦合器的各状态的开关状态状态s90s91s92s93s94s95s96s97s98s991接通接通接通断开断开断开接通断开断开断开2接通断开接通断开断开接通断开断开断开断开3断开断开接通断开接通断开断开断开断开断开4断开断开断开断开断开断开断开断开断开断开5接通接通断开接通断开断开断开断开断开接通6断开接通断开接通断开断开断开断开接通断开7断开断开断开接通断开断开断开接通断开断开表6图7a、8a、9a、10a的3段耦合器的各状态和描述状态描述1正向功率、高耦合系数2正向功率、中耦合系数3正向功率、低耦合系数4解耦5反向功率、高耦合系数6反向功率、中耦合系数7反向功率、低耦合系数图7a、8a、9a和10a所示的多段式耦合器可调节rf耦合器的耦合系数(例如，在频率带上平坦化的耦合系数)。这在某些状态下可以改善插入损耗。图11a是单段式耦合器的插入损耗对频率曲线的曲线图。图11b是多段式耦合器的插入损耗对频率曲线的曲线图。图12a是单段式耦合器的耦合系数对频率曲线的曲线图。图12b是多段式耦合器的耦合系数对频率曲线的曲线图。这些曲线图示出了在典型的rf耦合器中，耦合效果随频率增大而增大，多段式rf耦合器可有效地补偿增大的耦合效果，并且插入损耗随着耦合效果降低而改善，等等。为了实现在频率上相对平坦的耦合系数，可以配置多段式耦合器，使得沿图12b所示的针对耦合系数值排列的3条曲线的点可针对3个不同关注频率中的对应频率来实现。图13a是包括根据一实施例的多段式射频耦合器20b的电子系统的示意图，多段式射频耦合器20b具有可耦接到每个段的多个端接阻抗。除了多个端接阻抗可耦接到多段式耦合线路的每个段之外，图13a的电子系统类似于图7a、8a、9a和10a所示的电子系统。虽然为了说明的目的，结合图13a描述了具有三段式耦合线路的实施例，但是本文论述的原理和优点可应用于两段式耦合线路和/或多于三段的耦合线路。如图13a所示，开关网络的多个阻抗选择开关电连接到耦合线路的每个段。这些阻抗选择开关中的每个具有与其电连接的对应的端接阻抗。选定的端接阻抗可被提供给耦合线路的相应段。这可实现期望的方向性。例如，对于特定频率带和/或特定功率模式，可将选定的端接阻抗提供给耦合线路的一段。图13a所示的电子系统可配置为各种状态。在一些状态中，电子系统可配置为提供正向功率指示。根据另一些状态，电子系统可配置为提供反射功率指示。电子系统也可配置为解耦状态，在解耦状态中耦合线路与主线路解耦。任何合适的控制电路，例如解码器，可使开关接通和/或断开以实现这些状态。下面的表7总结了根据一实施例在各种状态中图示开关中的哪些开关接通，哪些开关断开。下面的表8提供了对这些状态的简要描述。在一些实施例中，可以实现这些状态的附加状态和/或子组合。表7图13a的3段式耦合器的各种状态的开关状态表8图13a的3段式耦合器的各种状态和描述图13b是示出具有端接阻抗的图13a中的射频耦合器的状态曲线的曲线图。图13a的电子系统可以通过将不同的端接阻抗电连接到多段式耦合线路的段来对不同的频率进行优化。例如，图13b中下面的两条曲线分别对应于电连接到多段式耦合线路的端接阻抗106a和106b。一端接阻抗针对约900mhz的频率带进行了优化，另一端接阻抗针对约2.5ghz的频率带进行了优化。图13b中基本上彼此交叠的顶部曲线对应于耦合端口处的信号。图13c是根据另一实施例的具有多段式耦合线路的射频耦合器的示意图，该多段式耦合线路具有可耦合到每个段的多个端接阻抗。如图13c所示，rf耦合器的主线路可由单个连续导电线路112实现。图13c的电子系统可以实现参考图13a和13b论述的特征的任何合适的组合。导电线路112可以是从rf耦合器的功率输入端口延伸到rf耦合器的功率输出端口的连续导电结构。导电线路112可由例如微带、带状线、电感器等实现。在包括多段式主线路的任何所公开的实施例中，可代替多段式主线路实施导电线路112。图14是根据一实施例的耦合线路中具有级联的段的射频耦合器的示意图。图14所示的rf耦合器具有两段式耦合线路。如图所示，rf耦合器的主线路的段可由多个堆叠层中的传输线路实现。在图14中，耦合线路的段也可由多个堆叠层80和82中的传输线路实现。耦合系数开关90可具有电连接到耦合线路的第一段85的第一端和电连接到耦合线路的第二段87的第二端。耦合系数开关90可实施在有源层中。端接阻抗开关可根据本文论述的原理和优点将相应的端接阻抗电连接到耦合线路的段。图14的任何原理和优点可以与任何公开的实施例适当组合来实施。图15是根据一实施例的具有多个层的射频耦合器的示意图，其中多个耦合线路段可以共享相同的主耦合线路。图15所示的rf耦合器包括具有两段的耦合线路。如图所示，段85和87设置为与主线路的公共段115相邻。在图15中，耦合线路的段85和87可由多个堆叠层中的传输线路实施。耦合系数开关90可实施在有源层中。图15的任何原理和优点可以与任何公开的实施例适当组合来实施。图16a是根据一实施例的射频耦合器、配置为提供可调端接阻抗的端接阻抗电路、以及耦接在射频耦合器与端接阻抗电路之间的隔离开关的示意图。例如，rf耦合器20a可实施在图1和/或图2的电子系统中。图16a的电子系统包括rf耦合器20a、隔离开关120和122、存储器125、控制电路58'、端接阻抗电路130和140、以及模式选择开关64和68。图16a所示的rf耦合器20a是双向定向耦合器。图16a的电子系统可包括比所示更多的元件，和/或可实施所示元件的子组合。此外，图16a的电子系统可以根据本文论述的原理和优点的任何合适的组合来实现。图16a的端接阻抗电路130和140是可调谐的，以向rf耦合器20a的端口提供期望的端接阻抗。端接阻抗电路130可被调谐以向rf耦合器20a的隔离端口提供期望的端接阻抗。端接阻抗电路130可调谐提供给rf耦合器20a的隔离端口的电阻、电容和/或电感。这种可调谐性对于设计后配置和/或补偿和/或优化可以是有利的。端接阻抗电路130可以通过提供无源阻抗元件的串联和/或并联组合来调谐提供给隔离端口的端接阻抗。如图16a所示，端接阻抗电路130包括开关131至139和无源阻抗元件r2a至r2n、l2a至l2n、以及c2a至c2n。开关131至139中的每个可以将各个无源阻抗元件选择性地接入到提供给隔离端口的端接阻抗中。在图16a所示的端接阻抗电路130中，为了提供连接节点n1和地之间的端接路径，至少三个开关应接通。图16a所示的端接阻抗电路130的开关包括彼此串联的三组并联开关131至133、134至136、以及137-139。第一组开关131至133耦接在连接节点n1和第一中间节点n2之间。第二组开关134至136耦接在第一中间节点n2和第二中间节点n3之间。第三组开关137至139耦接在第二中间节点n3和诸如地之类之间的基准电势之间。具有与其他并联开关组相并联的开关组可增加由端接阻抗电路130提供的可能的端接阻抗值的数量。例如，当端接阻抗电路130包括彼此串联的3组3个并联开关时，通过使每组开关中的一个或多个开关接通而其他开关断开，端接阻抗电路可提供343种不同的端接阻抗值。所示的端接阻抗电路130包括串联电路，其包括与其他串联电路并联的无源阻抗元件和开关，其他串联电路包括其他无源阻抗元件和其他开关。例如，包括开关131和电阻器r2a的第一串联电路与包括开关132和电阻器r2b的第二串联电路并联。端接阻抗电路130包括开关134至136以分别开关与一个或多个电阻器r2a至r2n串联的电感器l2a至l2n。开关134至136也可开关彼此并联的电感器l2a至l2n中的两个或更多个。端接阻抗电路130还包括开关137至139以分别开关与一个或多个电阻器-电感器(rl)电路串联的电容器c2a至c2n。开关137至139也可开关彼此并联的电容器c2a至c2n中的两个或更多个。如图16a所示，开关132、136、137和138可接通，而端接阻抗电路130中的其他开关断开。这可向rf耦合器20a的隔离端口提供端接阻抗，其包括串联的电阻器r2b、电感器l2n、以及电容器c2a和c2b的并联组合。端接阻抗电路130可包括具有任意值、二进制加权值、补偿变化的值、特定应用的值等或其任何组合的无源阻抗元件。虽然端接阻抗电路130可提供rlc电路，但是本文论述的原理和优点可应用于可提供电路元件的任何合适组合的端接阻抗电路，以提供期望的端接阻抗，电路元件诸如为一个或多个电阻器、一个或多个电感器、一个或多个电容器、一个或多个rl电路、一个或多个rc电路、一个或多个lc电路、或一个或多个rlc电路。电路元件的这种组合可以布置成任何合适的串联和/或并联的组合。开关131至139可以由场效应晶体管实现。替代地或附加地，端接阻抗电路130中的一个或多个开关可由mems开关、熔丝元件(例如，熔丝或反熔丝)、或任何其他合适的开关元件实现。虽然图16a所示的端接阻抗电路130包括开关，但是可调谐端接阻抗可以替代地或附加地由其他可变阻抗电路提供。例如，端接阻抗电路可利用这样的阻抗元件来实现可调谐的端接阻抗，该阻抗元件具有作为提供给阻抗元件的信号的函数而变化的阻抗。作为一示例，以线性操作模式操作的场效应晶体管可提供与提供给其栅极的电压相关的阻抗。作为另一示例，变容二极管可提供作为提供给变容二极管的电压的函数的可变电容。除了端接阻抗电路140可以向耦合端口而非隔离端口提供端接阻抗之外，所示的端接阻抗电路140可以与所示的端接阻抗电路130起基本相同的作用。端接阻抗电路130的无源阻抗元件的阻抗可以与端接阻抗电路140的对应无源阻抗元件基本相同。与端接阻抗电路140的相应的无源阻抗元件相比，端接阻抗电路130的一个或多个无源阻抗元件可以具有不同的阻抗值。在某些实施例(未示出)中，端接阻抗电路130和端接阻抗电路140可以具有彼此不同的电路拓扑。所示的隔离开关120和122分别可用于提供rf耦合器20a的端口与端接阻抗电路130和140之间的隔离。隔离开关120和122中的每个可响应于相应隔离开关的控制终端处接收到的控制信号而分别将rf耦合器20a的一端口选择性地电连接到端接阻抗电路130或140。如图所示，隔离开关122电连接在rf耦合器20a的耦合端口和端接阻抗电路140之间。当如图16a所示耦合端口提供正向rf功率的指示时，隔离开关122可断开。当隔离开关122断开时，隔离开关122可将端接阻抗电路140的负载与耦合端口分开。特别地，当隔离开关122断开时，隔离开关122可将端接阻抗电路140的第一组开关中的开关141到143与耦合端口隔离。这可通过去除rf耦合器20a的耦合端口上的开关组开关的负载来改善插入损耗。在所示实施例中，包括隔离开关122，有两个开关串联在端接阻抗电路140的任何无源阻抗元件和rf耦合器20a的耦合端口之间。当图16a的电子系统处于隔离端口提供反向rf功率指示的另一状态(未示出)时，隔离开关122可接通，以将端接阻抗电路140电连接到耦合端口。例如，隔离开关122可由场效应晶体管实现。在某些实施方式中，隔离开关122可由串联在连接节点n1和rf耦合器的耦合端口之间的开关以及连接到连接节点n1的分流开关实现。根据一些实施方案，如图19b和19c所示，隔离开关122可由例如串联-分流-串联开关拓扑实现。隔离开关122可由单掷开关实现。隔离开关122可由单刀开关实现。隔离开关122可由如图所示的单刀单掷开关实现。图16a的隔离开关120电连接在rf耦合器20a的隔离端口和端接阻抗电路130之间。当隔离端口提供反向rf功率指示(未示出)时，隔离开关120可断开；当如图所示耦合端口提供正向rf功率指示时，隔离开关120可接通。除了开关被激活和去活时的不同连接和不同定时之外，隔离开关120和122可基本相同。在解耦状态中，隔离开关120和122二者都可断开。隔离开关120和122可实现一开关电路，其可以将端接阻抗电路130选择性地电耦接到隔离端口，并且可以将端接阻抗电路140选择性地电耦接到耦合端口。存储器125可以存储设置端接阻抗电路130和/或端接阻抗电路140中的一个或多个开关的状态的数据。存储器125可以由诸如熔丝元件之类的永久性存储器元件来实现。在另一些实施方式中，存储器125可包括易失性存储器元件。存储器125可以存储指示工艺变化的数据。替代地或附加地，存储器125可以存储指示应用参数的数据。存储器125可与控制电路58'和/或端接阻抗电路130和140实现在相同的晶片上。存储器125可包括在与rf耦合器20a相同的封装中。所示的控制电路58'与存储器125通信。控制电路58'配置为至少部分地基于存储在存储器125中的数据提供一个或多个控制信号以设置端接阻抗电路130和140中的一个或多个开关的状态。控制电路58'可以实现本文论述的控制电路58的特征的任何组合。例如，控制电路58'可以是解码器。在制造图16a的电子系统之后，存储器125和控制电路58'可以一起配置端接阻抗电路130和/或140。这可以配置提供给rf耦合器20a的端接阻抗以补偿工艺变化。例如，存储器125可包括熔丝元件，控制电路58'可包括解码器。在该示例中，在检测到工艺变化之后，存储器125的熔丝元件可熔断，这可使控制电路58'将端接阻抗电路130和/或140中的一个或多个开关设置到接通位置，使得特定的无源阻抗元件被包括在提供给rf耦合器20a的端口的端接路径中以补偿工艺变化。作为另一示例，可以针对诸如在特定频率带中操作之类的特定应用参数配置提供给rf耦合器20a的端接阻抗。图16b是示出图16a所示的射频耦合器的对于两个不同频率优化的耦合端口处的耦合信号和隔离端口处的信号的曲线图。图16b示出了可以使用端接阻抗电路130和/或端接阻抗电路140对特定频率优化端接阻抗。可以根据需要针对其他参数调节端接阻抗。图17a是根据另一实施例的射频耦合器、配置为提供可调端接阻抗的端接阻抗电路、以及射频耦合器和端接阻抗电路之间的隔离开关的示意图。图17a的电子系统可包括比图示更多的元件，和/或可以实施所示元件的子组合。此外，图17a的电子系统可以根据本文论述的原理和优点的任何合适的组合来实施。图17a的电子系统包括与图16a不同的端接阻抗电路。利用与图16a的端接阻抗电路130和140不同的电路拓扑，图17a的端接阻抗电路130'和140'可以调节分别提供给rf耦合器20a的隔离端口和耦合端口的端接阻抗。例如，图17a所示的端接阻抗电路130'包括开关155和156，其可选择性提供rlc电路和rf耦合器的端口之间的电连接。所示的端接阻抗电路130'还可将rc端接(例如，当开关152和/或153接通且开关157和/或158接通时)或lc端接(例如，当开关154接通且开关157和/或158接通时)提供给rf耦合器20a的隔离端口。在所示的端接阻抗电路130'中，彼此成比例的不同无源阻抗元件(例如，电容器0.1c和0.2c；电阻器0.1r、0.2r和0.4r；或成比例的电感器[图17a未示出])可以单独地或彼此并行地选择性接入。这样的阻抗元件可用于补偿工艺变化或用于配置电子系统用于特定应用。例如，指示工艺变化的数据可存储在存储器125中，控制电路58'可设置开关状态来接入或断开特定阻抗，从而补偿工艺变化。除了端接阻抗电路140'可向耦合端口而非隔离端口提供端接阻抗之外，所示的端接阻抗电路140'可与所示的端接阻抗电路130'基本相同。端接阻抗电路130'和140'中的无源阻抗元件的阻抗可基本相同，或者一个或多个无源阻抗值可具有不同的阻抗值。在某些实施例(未示出)中，端接阻抗电路130'和端接阻抗电路140'可具有不同的电路拓扑。图17b是示出图17a所示的射频耦合器的对于两个不同频率优化了的耦合端口处的耦合信号和隔离端口处的信号的曲线图。图17b示出了由端接阻抗电路130'提供的端接阻抗可针对特定频率得到优化。特别地，rlc电路rlc2a可针对中心位于约900mhz的频率带得到优化，rlc电路rlc2b可针对中心位于约2.5ghz的频率带得到优化。调节开关155和156的状态可向隔离端口提供不同的端接阻抗以用于这些频率带。可根据需要针对其他参数调节端接阻抗。图18是根据一实施例的设置端接阻抗电路中的开关状态的示例过程170的流程图。过程170可与这里参照可调端接阻抗电路和/或rf耦合器论述的任何原理和优点相结合地应用。在框172，可以获得指示射频(rf)耦合器的端口处的期望端接阻抗的数据。所获得的数据可以指示例如工艺变化、温度依赖性和/或应用参数。rf耦合器的端口可以是隔离端口或耦合端口。在框174，数据可存储到物理存储器。这可使所存储的数据可被访问，以至少部分地基于存储到存储器的数据，至少部分地配置电连接到rf耦合器的端口的端接阻抗电路。例如，数据可被访问以设置端接阻抗电路中的一个或多个开关的状态。作为另一示例，数据可被访问以将可变阻抗元件配置在选定的阻抗值。作为又一示例，数据可被访问以熔断端接阻抗电路的熔丝元件。例如，数据可存储到图16a和/或17a的存储器125中。存储器可以是永久性存储器，例如熔丝元件。在另一些实施例中，存储器可以是易失性存储器。在一些实施方式中，存储器可与控制电路和/或端接阻抗电路实施在同一晶片上。存储器可与rf耦合器在同一封装内。一个或多个开关可包括场效应晶体管、mems开关和/或任何其他合适的开关元件。在框176，可以至少部分地基于存储在存储器中的数据来配置端接阻抗电路。例如，可以至少部分地基于在框174处存储在存储器中的数据来设置端接阻抗电路中的一个或多个开关的状态。状态可设置为接通状态或断开状态。将开关状态设置为接通状态可将特定的无源阻抗元件电耦接到rf耦合器的端口。这可补偿工艺变化，补偿温度依赖性，为特定应用配置端接阻抗电路等。图19a是根据一实施例的射频耦合器和可通过开关耦接到射频耦合器的隔离端口或耦合端口的端接阻抗电路的示意图。图19a的rf耦合器20a例如可实施在图1和/或图2的电子系统中。图19a的电子系统包括rf耦合器20a、隔离开关180和182、以及共享端接阻抗电路190。图19a所示的rf耦合器20a是双向定向耦合器，其可提供正向rf功率或反向rf功率的指示。图19a的电子系统可包括比所示更多的元件，和/或可实施所示元件的子组合。此外，图19a的电子系统可根据本文论述的原理和优点的任何合适的组合来实现。在图19a所示的电子系统中，共享阻抗电路190可在第一状态下电耦接到rf耦合器20a的隔离端口，在第二状态下电耦接到rf耦合器20a的耦合端口。在第一状态下，rf耦合器20a可向耦合端口提供正向rf功率的指示。在第二状态下，rf耦合器20a可向隔离端口提供反向rf功率的指示。与具有用于rf耦合器的不同端口的单独端接阻抗电路相比，具有公共端接阻抗电路190可减小物理布局。包括隔离开关180和182的开关电路可在不同状态中将rf耦合器20a的不同端口选择性地电连接到共享端接阻抗电路190。隔离开关180和182可将图19a的共享端接阻抗电路190选择性地电连接到rf耦合器20a的耦合端口或rf耦合器20a的隔离端口。如图所示，隔离开关180和182都电连接到共享端接阻抗电路190的相同节点(即，连接节点n1)。在另一些实施方式(未示出)中，开关可将端接阻抗电路选择性地电耦接到rf耦合器的任何两个端口，或者将端接阻抗电路选择性地电耦接到rf耦合器的任何三个或更多端口。隔离开关180和182可在断开状态中提供比期望的方向性更高的隔离(例如，在某些实施方式中为10db或更佳)。这可在rf耦合器20a的耦合端口和隔离端口之间提供足够的隔离，以用共享端接阻抗电路190实现期望的方向性。隔离开关每个可包括由场效应晶体管、mems开关、或任何其他合适的开关元件实现的串联-分流-串联电路拓扑从而提供足够的隔离以获得期望的方向性。图19b和19c分别是根据一实施例的图19a的隔离开关182和180的示意图。图19b示出处于断开状态的隔离开关，图19c示出处于接通状态的隔离开关。如图19b所示，隔离开关182可包括串联-分流-串联电路拓扑的开关184、186和188。当开关182处于如图19b所示的断开状态时，分流开关188可以接通，以向都处于断开状态的串联开关184和186之间的节点提供地电势。如图19c所示，隔离开关180可包括串联-分流-串联电路拓扑的开关184'、186'和188'。当开关180处于如图19c所示的接通状态时，分流开关188'可断开，串联开关184'和186'都可处于接通状态。隔离开关180和182在解耦状态中都断开。共享端接阻抗电路190可向rf耦合器20a的不同端口提供相同或不同的端接阻抗。如图所示，在第一状态中可提供给rf耦合器20a的隔离端口的任何端接阻抗值可在第二状态中被提供给rf耦合器20a的耦合端口。所示的共享端接阻抗电路190是可调谐的，以提供可调阻抗。尽管图19a所示的共享端接阻抗电路190具有与图17a的端接阻抗电路130'和140'相同的电路拓扑，但是共享端接阻抗电路可实施本文论述的诸如图3a、4、5、13a和/或16a的端接阻抗电路之类的可调端接阻抗电路的特征的任何组合。此外，参考图19a论述的共享端接阻抗电路的原理和优点可应用于固定端接阻抗(例如，固定端接电阻器)。具有多段式耦合线路的rf耦合器可以结合本文论述的任何可调端接阻抗电路来实现。开关网络可将可调端接阻抗电路选择性电连接到多段式耦合线路的选定段。利用这样的开关网络，可在多段式耦合线路的多个段之间共享一个可调端接阻抗电路。替代地或附加地，开关网络可将单独的可调端接阻抗电路选择性地电耦接到多段式耦合线路的不同段。在一些实施例中，开关网络可将耦合端口或隔离端口中的一个选择性地电连接到单个功率输出端口。将参照图20至图25b论述具有rf耦合器的电子系统的示例性实施例，rf耦合器具有多段式耦合线路、开关网络、以及一个或多个可调端接阻抗电路。图20至图25a的开关网络中的一个开关网络的特征的任何合适的组合可结合图20至图25a的其他开关网络中的一个或多个开关网络的特征来实现。可以替代地或附加地实现其他逻辑上和/或功能上等效的开关网络。本文论述的任何合适的端接阻抗电路和/或本文论述的端接阻抗电路的特征的合适组合可以结合本文论述的任何实施例来实现，例如图20至25b的任何实施例。类似地，可以与参考图20至图25b论述的原理和优点组合地实现本文论述的控制电路和/或存储器的任何原理和优点。图20是根据一实施例的包括射频耦合器的电子系统的示意图，射频耦合器具有多段式耦合线路、端接阻抗电路130和140、以及开关网络200，开关网络200配置为将端接阻抗电路130选择性地电连接到多段式耦合线路的选定段。在图20中，rf耦合器包括多段式耦合线路，其包括段85、87和89。如图所示，耦合系数开关90和91可将多段式耦合线路的段选择性地电连接到彼此。尽管图20所示的rf耦合器包括具有3段的耦合线路，但是图20论述的原理和优点可应用于两段式耦合线路和/或具有四段或更多段的耦合线路。图20的rf耦合器的主线路包括单个导电线路112，如图13c中那样。图20的电子系统包括端接阻抗电路130、端接阻抗电路140、以及隔离开关120和122，其每个可如参照图16a描述的那样。在某些实施例中，可以实施图17a的端接阻抗电路130'来代替图20的电子系统中的端接阻抗电路130。根据另一些实施例，可以实施其他合适的端接阻抗电路，诸如图25b所示的端接阻抗电路，来代替图20的电子系统中的端接阻抗电路130。在某些实施例中，可实施图17a的端接阻抗电路140'来代替图20的电子系统中的端接阻抗电路140。根据另一些实施例，可以实施其他合适的端接阻抗电路，诸如图25b所示的端接阻抗电路，来代替图20的电子系统中的端接阻抗电路140。图20的电子系统还包括控制电路58″和存储器125。存储器125可以如参照图16a描述的那样。存储器可实现参考图18论述的特征的任何组合。控制电路58″可实现本文论述的控制电路58和58'的特征的任何组合。控制电路58"也可为开关网络200提供控制信号。开关网络200可将端接阻抗电路130选择性地电连接到多段式耦合线路的选定段。如图所示，开关网络200包括开关202、204和206。这些开关中的每个可响应于由控制电路58″提供的相应控制信号而接通和断开。如图20所示，开关204将端接阻抗电路130电连接到多段式耦合线路的第二段87。下面的表9总结了在各种状态中，所示开关中的哪些开关接通，哪些开关断开。图20对应于状态2，其中rf耦合器配置为以中等耦合系数提供正向功率指示。下面的表10提供了对这些状态的简要描述。在一些实施例中，可以实施这些状态的附加状态和/或子组合。诸如解码器之类的任何合适的控制电路58″可使开关接通和/或断开以实现这些状态。端接阻抗电路130可配置成下表9中的状态1至3中的任何一种中的任何合适的配置，以提供期望的端接阻抗。端接阻抗电路140可配置成下表9中的状态5至7中的任何一种中的任何合适的配置，以提供期望的端接阻抗。表9图20的rf耦合器的开关状态状态909192931201222022042061断开断开接通断开接通断开接通断开断开2接通断开接通断开接通断开断开接通断开3接通接通接通断开接通断开断开断开接通4断开断开断开断开断开断开断开断开断开5断开断开断开接通断开接通接通断开断开6接通断开断开接通断开接通断开接通断开7接通接通断开接通断开接通断开断开接通表10图20的rf耦合器的状态和描述图21是根据另一实施例的包括射频耦合器的电子系统示意图，射频耦合器具有多段式耦合线路、端接阻抗电路130和140、以及配置为将端接阻抗电路140选择性地电连接到多段式耦合线路的选择段的开关网络。除了图20的开关网络200被开关网络210替代之外，图21的电子系统类似于图20的电子系统。所示开关网络210包括开关212、214、216和218。开关网络210可将端接阻抗电路140选择性地电连接到多段式耦合线路的选定段85、87或89。开关网络210还配置为将多段式耦合线路中的每个段与端接阻抗电路130和140电解耦。例如，开关网络210包括开关218，其可断开以将段89与端接阻抗电路130电隔离。图22a是根据另一实施例的包括射频耦合器的电子系统的示意图，射频耦合器具有多段式耦合线路、端接阻抗电路130和140、以及配置为将端接阻抗电路中的选定端接阻抗电路选择性电连接到多段式耦合线路的选定段的开关。除了实施开关网络220代替开关网络200/210，以及在多段式耦合线路的相邻段之间串联有附加开关之外，图22a的电子系统类似于图20和21的电子系统。代替图20和21中的开关90和91，开关90a、90b、91a和91b被包括在图22a的电子系统中。所示开关网络220包括开关221、222、223、224、225、226和227。开关网络220可将端接阻抗电路130选择性电连接到多段式耦合线路的选定段85、87或89。开关网络220还可将端接阻抗电路140选择性电连接到多段式耦合线路的选定段85、87或89。相对于开关网络200和210，开关网络220提供更多选项，以将端接阻抗电路130和140选择性电连接到rf耦合器的多段式耦合线路的选定段。开关网络200与耦合系数开关90a、90b、91a和91b一起还可提供用于将多段式耦合线路的段电连接到rf耦合器的耦合端口的额外选项。如图22a所示，rf耦合器配置为提供正向功率的指示，耦合线路的第二段87被接入，而第一段85和第三段89被断开。如图22a所示，开关网络220与其他所示开关一起将第二段87的一端电连接到正向耦合输出，将段87的另一端电连接到端接阻抗电路130。下面的表11总结了在各种状态中，所示开关中的哪些开关接通，哪些开关断开。图22a对应于表中的状态2。下面的表12提供了对这些状态的简要描述。在一些实施例中，可以实施这些状态的附加状态和/或子组合。诸如解码器之类的任何合适的控制电路58″可使开关接通和/或断开以实现这些状态。端接阻抗电路130可配置为下表11中的任何状态1至7中的任何合适的状态，以提供期望的端接阻抗。端接阻抗电路140可配置为下表11中的任何状态9至15中的任何合适的状态，以提供期望的端接阻抗。表11图22a的rf耦合器的开关状态状态90a90b91a91b92931201222212222232242252262271接通断开断开断开接通断开接通断开接通接通断开断开断开接通接通2断开接通接通断开接通断开接通断开断开接通接通断开接通断开接通3断开断开断开接通接通断开接通断开断开断开接通接通接通接通断开4接通接通接通断开接通断开接通断开接通断开接通断开断开断开接通5接通断开断开接通接通断开接通断开接通接通接通接通断开接通断开6断开接通接通接通接通断开接通断开断开接通断开接通接通断开断开7接通接通接通接通接通断开接通断开接通断开断开接通断开断开断开8断开断开断开断开断开断开断开断开断开断开断开断开断开断开断开9接通断开断开断开断开接通断开接通接通接通断开断开断开接通接通10断开接通接通断开断开接通断开接通断开接通接通断开接通断开接通11断开断开断开接通断开接通断开接通断开断开接通接通接通接通断开12接通接通接通断开断开接通断开接通接通断开接通断开断开断开接通13接通断开断开接通断开接通断开接通接通接通接通接通断开接通断开14断开接通接通接通断开接通断开接通断开接通断开接通接通断开断开15接通接通接通接通断开接通断开接通接通断开断开接通断开断开断开表12图22a的rf耦合器的状态和描述图22b是根据另一实施例的包括射频耦合器的电子系统的示意图，射频耦合器具有多段式耦合线路、端接阻抗电路130'和140'、以及配置为将端接阻抗电路中的选定端接阻抗电路选择性电连接到多段式耦合线路的选定段的开关。除了实施端接阻抗电路130'和140'代替端接阻抗电路130和140之外，图22b的电子系统类似于图22a的电子系统。在一实施例中，可实施图22a的一个端接阻抗电路(例如，端接阻抗电路130)，并且可实施图22b的一个端接阻抗电路(例如，端接阻抗电路140')。在各种实施例中可实施其他合适的端接阻抗电路。图22c是根据另一实施例的包括射频耦合器的电子系统的示意图，射频耦合器具有多段式耦合线路、端接阻抗电路130和140、以及配置为将端接阻抗电路选择性电连接到多段式耦合线路的选定段的开关。除了实施开关网络220'代替开关网络220，以及在多段式耦合线路的相邻段之间串联有更少的开关之外，图22c的电子系统类似于图22a的电子系统。特别地，在图22c的电子系统中，实施开关90、91、222a、222b、223a和223b代替图22a的开关90a、90b、91a、92b、222和223。在各种实施例中可实施其他合适的开关网络。图23a是根据另一实施例的包括射频耦合器的电子系统的示意图，射频耦合器具有两段式耦合线路、端接阻抗电路130和140、以及配置为将端接阻抗电路中的选定端接阻抗电路选择性电连接到多段式耦合线路的选定段的开关网络230。如图所示，开关网络230包括开关221、222、224、225和227。开关网络230可将段85、段87、或者段85和87二者接入。开关网络230可将端接阻抗电路130或140之一选择性电连接到段85或段87。开关网络230也可将段85和87与端接阻抗电路130和140两者解耦。可关于开关网络230实施其他合适的端接阻抗电路。如图23a所示，开关网络230将第二段87的第一端电连接到正向耦合输出，将第二段87的第二端电连接到端接阻抗电路130。在图23a所示的状态中，第一段85不会对所示rf耦合器的耦合系数有显著贡献。因此，在图23a所示的状态中，第一段85的长度不视为电连接到耦合端口的耦合线路的有效长度的一部分。图23b是根据另一实施例的包括射频耦合器的电子系统的示意图，射频耦合器具有两段式耦合线路、端接阻抗电路130和140、以及配置为将端接阻抗电路中的选定端接阻抗电路选择性电连接到多段式耦合线路的选定段的开关网络230。除了图23b的电子系统还包括串联在段85和87之间的开关90a和90b之外，图23b的电子系统类似于图23a的电子系统。图24是根据另一实施例的包括射频耦合器的电子系统的示意图，射频耦合器具有多段式耦合线路、共享端接阻抗电路190、以及开关网络220。开关网络220以及隔离开关180和182一起配置为将共享端接阻抗电路190选择性电连接到多段式耦合线路的选定段。除了图24的电子系统包括多段式耦合线路和开关网络220之外，图24所示的电子系统类似于图19a所示的电子系统。如图所示，开关网络220可将共享端接阻抗电路190选择性电连接到多段式耦合线路的选定段。开关网络220可将共享端接阻抗电路190选择性电连接到选定段的任一端。虽然图24示出了三段式耦合线路，但是图24的实施例的原理和优点可结合两段式耦合线路或具有四段或更多段的耦合线路来应用。虽然为了说明的目的而示出了共享端接阻抗电路190，但是替代地可以实施具有本文论述的任何端接电路的一个或多个特征的共享端接阻抗电路。图25a是根据一实施例的包括射频耦合器的电子系统的示意图，射频耦合器具有多段式耦合线路、多个端接阻抗电路250a至250d、及开关网络240。在图25a中，开关网络240包括开关251、252、253、254、255和256。开关网络240可从控制电路58″接收一个或多个控制信号，并且可将选定的端接阻抗电路250a、250b、250c或250d选择性电连接到多段式耦合线路的段85或87的选定端。例如，开关252可响应于由控制电路58″提供的控制信号而将第一端接阻抗电路250a选择性电连接到第一段85的第一端。作为另一示例，开关253可响应于由控制电路58″提供的控制信号而将第二端接阻抗电路250b选择性电连接到第一段85的第二端。开关网络240可在解耦状态中将全部端接阻抗电路250a、250b、250c和250d与第一段85和第二段87电解耦。开关网络240的开关251和255以及耦合系数开关90a和90b可将段85或87的选定端电连接到功率输出端口powerout。耦合系数开关90a和90b可被视为也包括开关网络240的开关网络的一部分。在图25a中，提供了单个功率输出端口powerout以提供正向功率指示或反向功率指示。可以通过包括附加开关和/或改变其他实施例的开关网络来结合本文论述的任何其他实施例实施单个输出端口。在某些实施例中，可实施具有可调端接阻抗的单独端接阻抗电路以用于多段式耦合线路的两个或更多段中的每一个。根据一些实施例，可实施分别的端接阻抗电路以用于多段式耦合线路的段的每端。如图25a所示，第一端接阻抗电路250a电连接到耦合线路的第一段85的第一端，第二端接阻抗电路250b电连接到耦合线路的第一段85的第二端，第三端接阻抗电路250c电连接到耦合线路的第二段87的第一端，第四端接阻抗电路250d电连接到耦合线路的第二段87的第二端。在图25a中，端接阻抗电路250a、250b、250c和250d中的每个包括具有可调端接阻抗的rlc电路。控制电路58″可提供一个或多个控制信号以调节端接阻抗电路250a、250b、250c和/或250d的端接阻抗。虽然为了说明的目的将参照图25b论述示例性端接阻抗电路250a，但是应理解，本文论述的与端接阻抗电路相关的任何原理和优点可被替代地实施。此外，在某些实施例中，端接阻抗电路250b、250c或250d中的一个或多个可与端接阻抗电路250a基本相同。根据一些实施例，端接阻抗电路250b、250c或250d中的一个或多个可不同于端接阻抗电路250a。图25b示出根据一实施例的图25a的示例端接阻抗电路250a。端接阻抗电路250a的任何原理和优点可结合本文论述的任何其他实施例来实施，包括具有多段式耦合线路的实施例和具有连续耦合线路的实施例。如图所示，端接阻抗电路250a是可调rlc电路。端接阻抗电路250a可包括固定阻抗部分和可调阻抗部分。固定阻抗部分可包括一个或多个电阻器、一个或多个电容器、一个或多个电感器、或其任何合适的串联和/或并联组合。例如，固定阻抗部分可包括并联rc电路。固定阻抗部分可包括串联rl电路。固定阻抗部分可包括串联lc电路。如图25b所示，端接阻抗电路250a的固定阻抗部分包括并联rc电路，其包括与电感器c25并联、与电感器l25串联的电阻器r25。可调阻抗部分可包括多个无源阻抗元件和多个开关。替代地或附加地，可调阻抗部分可包括变容二极管和/或其他可变阻抗元件。例如，可调阻抗部分可包括一个或多个电容器以及一个或多个对应的开关，其配置为选择性地接入和断开相应电容器的阻抗。作为另一示例，可调阻抗部分可包括一个或多个电阻器以及一个或多个对应的开关，其配置为选择性接入和断开相应电阻器的阻抗。如图25b所示，端接阻抗电路250a包括开关257a、257b、258a1、258a2、258a3、258a4、258b1、258b2、258b3和258b4，电容器c25a1、c25a2、c25b1和c25b2，以及电阻器r25a1、r25a2、r25b1和r25b2。所示开关可接收来自诸如图25a的控制电路58c之类的控制电路的信号，并且将相应的无源阻抗元件选择性地电耦接在地和多段式耦合线路的段之间。图示开关中的零个、一个或多个可同时接通。为了避免比期望更多的开关耦接到特定节点，开关可分支，以使得不超过一定数量的开关(例如，如图所示的4个)直接连接到特定节点。如图所示，开关257a和257b可将相应开关组选择性电连接到rf耦合器的端口。开关组的开关258a1、258a2、258a3、258a4、258b1、258b2、258b3和258b4可选择性地接入和断开与并联rc电路并联的相应无源阻抗元件的阻抗，并联rc电路包括与电容器c25并联的电阻器r25。所示可调阻抗部分的电阻器和电容器可具有用于特定应用的任何合适的阻抗值。端接阻抗电路250包括串联耦接在开关和地之间的无源阻抗元件，其中开关耦接在rf耦合器的端口和串联无源阻抗元件之间。如图所示，串联的无源阻抗元件可包括电感器和电阻器以及电感器和电容器。更一般地，串联的无源阻抗元件可包括电阻器和另一类型的无源阻抗元件、电容器和另一类型的无源阻抗元件、或电感器和另一类型的无源阻抗元件。本文描述的射频耦合器可实施在各种不同的模块中，包括例如独立的射频耦合器、天线开关模块、组合射频耦合器和天线开关模块的模块、阻抗匹配模块、天线调谐模块等。图26a至26c示出了可包括本文所讨论的任何射频耦合器的示例模块。这些示例模块可包括与射频耦合器、端接阻抗电路、开关网络和/或开关电路等相关联的特征的任何组合。图26a是包括射频耦合器的封装模块260的框图。封装模块260包括包封rf耦合器20的封装262。封装模块260可包括对应于rf耦合器20的每个端口的触点，例如管脚、插孔、焊球、焊面(land)等。在一些实施例中，封装模块260可包括对应于功率输入端口的第一触点、对应于功率输出端口的第二触点、对应于正向耦合输出的第三触点、以及对应于反向耦合输出的第四触点。根据另一实施例，根据封装模块260中的开关的状态，封装模块260可包括用于与正向功率或反向功率对应的输出功率的单个触点。根据这里讨论的任何原理和优点的端接阻抗电路和/或开关可被包括在图26a至26c所示的任何示例模块的封装262内。图26b是包括射频耦合器20和天线开关模块40的封装模块265的框图。在图26b中，封装262包封rf耦合器20和天线开关模块40二者。图26c是封装模块267的框图，其包括射频耦合器20、天线开关模块40、以及功率放大器10。封装模块267包括在公共封装262内的这些元件。图27示出可包括具有本文所讨论的一个或多个特征的一个或多个射频耦合器的示例无线设备270。例如，示例无线设备270可包括根据参考图3a、4、5a、7a、8a、9a、10a、13a、14、15、6a、17a、19a或20至25a中的任何rf耦合器讨论的任何原理和优点的rf耦合器。示例无线设备270可以是诸如智能电话的移动电话。示例无线设备270可包括在图27中未示出的元件和/或所示元件的子组合。图27所示的示例无线设备270可表示多频带和/或多模式设备，例如多频带/多模式移动电话。作为示例，无线设备270可根据长期演进(lte)进行通信。在该示例中，无线设备可配置为在由lte标准定义的一个或多个频带上操作。无线设备270可替代地或附加地配置为根据一个或多个其他通信标准进行通信，包括但不限于wi-fi标准、蓝牙标准、3g标准、4g标准或高级lte标准中的一个或多个。如图所示，无线设备270可包括收发机273、天线开关模块40、rf耦合器20、天线30、功率放大器10、控制部件278、计算机可读存储介质279、处理器280和电池271。收发机273可产生用于经由天线30发射的rf信号。此外，收发机273可接收来自天线30的传入rf信号。应理解，与rf信号的发射和接收相关联的各种功能可通过在图27中统称为收发机273的一个或多个部件来实现。例如，单个部件可配置为提供发射和接收功能。在另一示例中，发射和接收功能可由分别的部件提供。在图27中，来自收发机273的一个或多个输出信号被描绘为经由一个或多个传输路径275提供给天线30。在所示的示例中，不同的传输路径275可表示与不同频率带(例如，高频带和低频带)和/或不同功率输出相关联的输出路径。一个或多个传输路径275可与不同传输模式相关联。所示传输路径275中的一个可以是激活的，而一个或多个其他传输路径275是非激活的。其他传输路径275可与不同功率模式(例如，高功率模式和低功率模式)相关联和/或路径与不同发射频率带相关联。发射路径275可包括一个或多个功率放大器10，以帮助将具有相对较低功率的rf信号提升到适于发射的较高功率。如图所示，功率放大器10a和10b可包括上述功率放大器10。无线设备270可被修改以包括任何合适数量的传输路径275。在图27中，来自天线30的一个或多个信号被描绘为经由一个或多个接收路径277提供给收发机273。在所示的示例中，不同的接收路径277可表示与不同的信令模式和/或不同的接收频率带相关联的路径。无线设备270可被修改以包括任何合适数量的接收路径277。为了便于在接收和/或发送路径之间切换，可包括天线开关模块40且其可用于将天线30选择性电连接到选定的发送或接收路径。因此，天线开关模块40可提供与无线设备270的操作相关联的多种开关功能。天线开关模块40可包括多掷开关，其配置为提供与例如不同频带之间的切换、不同模式之间的切换、发射和接收模式之间切换、或其任何组合相关联的功能。rf耦合器20可设置在天线开关模块40和天线30之间。rf耦合器20可提供提供给天线30的正向功率的指示和/或从天线30反射的反向功率的指示。例如，可以使用正向和反向功率的指示来计算反射功率比，例如回波损耗、反射系数、或电压驻波比(vswr)。图27所示的rf耦合器20可实施本文所讨论的rf耦合器的任何原理和优点。图27示出了在某些实施例中，可提供控制部件278以用于控制与天线开关模块40和/或其他操作部件的操作相关联的各种控制功能。例如，控制部件278可帮助向天线开关模块40提供控制信号，以便选择特定的发送或接收路径。作为另一示例，控制部件278可提供控制信号以根据本文讨论的任何原理和优点来配置rf耦合器20和/或相关联的端接阻抗电路和/或相关联的开关网络。在某些实施例中，处理器280可配置为便于在无线设备270上实施各种过程。处理器280可以是例如通用处理器或专用处理器。在某些实施方式中，无线设备270可包括非暂时性计算机可读介质279，例如存储器，其可以存储可提供给处理器280并由处理器280运行的计算机程序指令。电池271可以是在无线设备270中使用的任何合适的电池，包括例如锂离子电池。上述一些实施例提供了与功率放大器和/或移动设备相关的示例。然而，实施例的原理和优点可用于任何其他系统或装置，例如任何上行链路蜂窝设备，其可受益于本文所述的任何电路。本文讨论的任何原理和优点可在需要检测和/或监视与诸如正向rf功率和/或反向rf功率之类的rf信号相关联的功率电平的电子系统中实现。本文讨论的任何开关网络和/或开关电路可以替代地或附加地由任何其他合适的逻辑等效和/或功能等效的开关网络来实现。本文的教导适用于各种功率放大器系统，包括具有多个功率放大器的系统，包括例如多频带和/或多模式功率放大器系统。本文讨论的功率放大器晶体管可以是例如砷化镓(gaas)、互补金属氧化物半导体(cmos)或硅锗(sige)晶体管。此外，本文讨论的功率放大器可由fet和/或诸如异质结双极晶体管之类的双极晶体管来实现。本公开的各方面可在各种电子设备中实现。电子设备的示例可以包括但不限于消费电子产品、消费电子产品的部件、电子测试设备、诸如基站之类的蜂窝通信基础设施等。电子设备的示例可以包括但是不限于例如智能电话的移动电话、电话、电视机、计算机显示器、计算机、调制解调器、手持计算机、膝上型计算机、平板计算机、电子书阅读器、例如智能手表的可穿戴式计算机、个人数字助理(pda)、微波炉、冰箱、立体声系统、dvd播放器、cd播放器、例如mp3播放器的数字音乐播放器、收音机、摄像机、照相机、数码相机、便携式存储器芯片、健康护理监视设备、例如汽车电子系统或航空电子系统的车载电子系统、洗衣机、干衣机、洗衣机/干衣机、周边设备、腕表、时钟等。此外，电子设备可以包括未完成的产品。除非上下文清楚地另有要求，否则贯穿说明书和权利要求书，要按照与排他性或穷尽性的意义相反的包括性的意义，也就是说，按照“包括但不限于”的意义来阐释词语“包括(comprise)”、“包含(comprising)”等。当在本文中一般使用时，词语“电耦接”是指两个或更多元件可以直接地电连接、或者借助于一个或多个中间元件来电连接。类似地，当在本文中一般使用时，词语“连接”是指两个或更多元件可以直接地连接、或者借助于一个或多个中间元件来连接。另外，当在本申请中使用时，词语“本文”、“上面”、“下面”和相似含义的词语应该是指作为整体的本申请，而不是本申请的任何具体部分。在上下文允许时，使用单数或复数的以上某些实施例的详细描述中的词语也可以分别包括复数或单数。提及两个或更多项目的列表时的词语“或”，在上下文允许时，这个词语涵盖该词语的以下解释中的全部：列表中的任何项目、列表中的所有项目、和列表中各项目的任何组合。此外，除非另有明确说明，或在所使用的上下文中被另外理解，否则本文中使用的条件语言，诸如“可以(can)”、“可(could)”、“可能”、“可以”、“例如”、“比如”、“诸如”等，通常旨在表达某些实施例包括某些特征、元素和/或状态，而其他实施例不包括这些特征、元素和/或状态。因此，这样的条件语言通常不旨在暗示：特征、元素和/或状态以任何方式被一个或多个实施例所必需；或者一个或多个实施例必须包括以下逻辑，该逻辑用于在有或没有作者输入或提示的情况下，判断这些特征、元素和/或状态是否包括在任何特定实施例中或将要在任何特定实施例中被执行。尽管已经描述了某些实施例，但是这些实施例仅已借助于示例来呈现，并不意欲限制本申请的范围。实际上，本文描述的新颖装置、方法、和系统可以以各种其他形式实施；此外，在不脱离本申请的精神的情况下，可以进行本文所描述的方法和系统在形式上的各种省略、替换和改变。例如，尽管块以给定的设置呈现，但是备选实施例可以利用不同的部件和/或电路拓扑结构来执行类似的功能，并且一些块可以被删除、移动、添加、细分，组合、和/或修改。这些块中的每一个可以以各种不同的方式来实现。上述各种实施例的元件和动作的任何合适的组合可以被组合以提供另外的实施例。所附权利要求及其等同物旨在覆盖落入本申请的范围和精神内的这些形式或修改。当前第1页12