1.一种方法，其包含：
制造半导体鳍片结构，所述制造包含：
提供在衬底上方延伸的鳍片结构，所述鳍片结构包含第一鳍片部分、配置于所述第一鳍片部分上面的第二鳍片部分、以及在所述第一及所述第二鳍片部分之间的介面，其中所述第一鳍片部分与所述第二鳍片部分在所述鳍片结构内呈晶格失配；以及
部分修改所述鳍片结构以得到改质鳍片结构，所述修改包含：选择性氧化所述介面以在所述改质鳍片结构内形成隔离区，其中所述隔离区电性隔离所述第一鳍片部分与所述第二鳍片部分，同时维持所述改质鳍片结构的结构稳定性。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选择性氧化包含：用使氧化伸入所述第一及所述第二鳍片部分的形成所述隔离区的至少一部分的受控氧化制造方法来选择性氧化所述介面，同时制止所述第一及所述第二鳍片部分的其余部分的氧化。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述选择性氧化包含：使用有助于选择性地氧化所述介面至一所欲厚度的氧化时间来氧化所述鳍片结构，所述氧化时间经选定成制止所述第一及所述第二鳍片部分的其余部分的氧化。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述隔离区具有在约5至15纳米之间的所欲厚度。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述修改包含：配置氧化物层于所述鳍片结构周围以使所述鳍片结构有机械稳定性，其中所述氧化物层有助于所述鳍片结构选择性地在所述介面处氧化，以及有助于制止所述第一鳍片部分或所述第二鳍片部分的所述其余部分氧化。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述修改包含：在没有制造方法氧气下，退火所述鳍片结构以选择性氧化所述介面以得到所述隔离区，其中所述氧化物层提供氧原子以促进所述介面的氧化。
7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述修改包含：在存在制造方法氧气下，进行所述鳍片结构的氧化制造方法以在所述鳍片结构内局部氧化所述介面，以及在所述改质鳍片结构内形成所述隔离区。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二鳍片部分及所述衬底包含硅材料，以及所述第一鳍片部分包含有特定锗/硅原子比配置于其中的本征应变硅锗材料。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述本征应变硅锗材料的所述特定锗/硅原子比约为0.5或更多。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述选择性氧化包含：选择所述本征应变硅锗材料的所述特定锗/硅原子比，其有助于确定使用于所述介面的氧化的氧化时间。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一鳍片部分包含具有第一晶格常数的材料，以及所述第二鳍片部分及所述衬底包含具有第二晶格常数的材料，所述第一晶格常数及所述第二晶格常数为不同的晶格常数，以及具有所述第一晶格常数的所述第一鳍片部分与具有所述第二晶格常数的所述第二鳍片部分在所述第一鳍片部分内诱发本征应变。
12.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述鳍片结构包含：
提供双层结构，所述双层结构包含：
包含第二鳍片层的所述衬底；
配置于所述衬底上面的第一鳍片层；以及
移除所述双层结构的至少一部分以建立所述鳍片结构，所述\t鳍片结构包含所述第一鳍片部分的区域，所述第二鳍片部分配置于所述第二鳍片部分的所述区域上方的区域，以及在所述第一鳍片及所述第二鳍片部分之间的介面。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，提供所述鳍片结构包含：
提供在所述衬底上方延伸的中间鳍片结构，所述中间鳍片结构包含所述第二鳍片部分的材料；
配置氧化物层于所述中间鳍片结构周围；
蚀刻所述中间鳍片结构中邻近所述氧化物层的至少一部分以在所述衬底上方建立凹下鳍片结构；以及
磊晶成长所述第一鳍片部分的材料于所述凹下鳍片结构上面，以及平坦化所述第一鳍片部分的所述材料以与所述氧化物层的表面实质共面，以及由此至少部分界定待改质的所述鳍片结构。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第二鳍片部分的所述材料包含硅材料，以及所述第一鳍片部分的所述材料包含具有特定锗/硅原子比配置于其中的本征应变硅锗材料，所述特定锗/硅原子比约为0.5或更多。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述提供包含：
提供多层结构，所述多层结构包含：
包含第二鳍片层的所述衬底；
在所述衬底上面的牺牲层；
配置于所述牺牲层上面的所述第一鳍片层；
移除所述多层结构的至少一部分以建立所述鳍片结构，所述鳍片结构包含所述第一鳍片部分配置于所述第二鳍片部分的区域上方的区域，以及所述牺牲层有一部分配置于其间；以及
部分修改所述鳍片结构以得到所述改质鳍片结构，所述修改包含氧化所述鳍片结构的所述牺牲层，同时维持结构稳定性，其中经氧化的所述牺牲层提供所述隔离区。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第二鳍片部分包含硅材料，以及其中所述牺牲层及所述第一鳍片层包含有变动的锗/硅原子比配置于其中的本征应变硅锗材料，配置于所述牺牲层内的锗/硅原子比高于配置于所述第一鳍片层内的锗/硅原子比。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，配置于所述牺牲层内的锗/硅原子比约为0.5或更多，以及配置于所述第一鳍片层内的锗/硅原子比在约0.25至0.5的范围内。
18.一种半导体结构，其系包含：
衬底；以及
驻留在所述衬底上面且包含配置于第二鳍片部分上面的第一鳍片部分的鳍片结构，其中所述第一鳍片部分与所述第二鳍片部分呈晶格失配，以及所述第一鳍片部分与所述第二鳍片部分通过配置于其中的隔离区而隔离。
19.根据权利要求18所述的半导体结构，其中，所述衬底及所述第二鳍片部分包含硅材料，以及所述第一鳍片部分包含本征应变硅锗材料。
20.根据权利要求18所述的半导体结构，其中，所述隔离区包含氧化物材料。