1.一种半导体装置，其特征在于具备：
场效晶体管，具有衬底、设置在所述衬底之上的氮化物半导体层、设置在所述氮化物半导体层之上的漏极电极及源极电极、以及隔在所述漏极电极与所述源极电极之间的栅极电极；
开关，能够将所述衬底的电位切换为多个电位；及
控制部，根据所述漏极电极的输入而以成为所述多个电位中的任一电位的方式控制所述开关。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述开关能够切换为：第一状态，是使所述衬底电性连接在所述源极电极；第二状态，是使所述衬底电性连接在所述漏极电极；第三状态，是使所述衬底电性连接在所述栅极电极；及第四状态，是使所述衬底在电性上成为开路。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述控制部存储有将对应于所述多个电位的任一者的所述开关的状态与所述漏极电极的输入值建立关联的数据，且使用该数据控制所述开关。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还具备电流感测器，该电流感测器根据所述控制部的控制而测量在所述多个电位的各者的所述漏极电极的输入电流，且
所述控制部以成为利用所述电流感测器测量的输入电流为最小的电位的方式控制所述开关。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
所述开关也能够将所述衬底切换为电性连接在恒定电压源的第五状态。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述开关连接在所述衬底的背面。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述氮化物半导体层包含：第一氮化物半导体层；及第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层之上，且带隙较所述第一氮化物半导体层大。
8.一种驱动控制装置，其特征在于：其是场效晶体管的驱动控制装置，该场效晶体管具有衬底、设置在所述衬底之上的氮化物半导体层、设置在所述氮化物半导体层之上的漏极电极及源极电极、以及隔在所述漏极电极与所述源极电极之间的栅极电极，且该驱动控制装置具备：
开关，能够将所述衬底的电位切换为多个电位；及
控制部，根据所述漏极电极的输入而以成为所述多个电位中的任一电位的方式控制所述开关。
9.根据权利要求8所述的驱动控制装置，其特征在于：
所述开关能够切换为：第一状态，是使所述衬底电性连接在所述源极电极；第二状态，是使所述衬底电性连接在所述漏极电极；第三状态，是使所述衬底电性连接在所述栅极电极；及第四状态，是使所述衬底在电性上成为开路。
10.根据权利要求8所述的驱动控制装置，其特征在于：
所述控制部存储有将对应于所述多个电位的任一者的所述开关的状态与所述漏极电极的输入值建立关联的数据，且使用该数据而控制所述开关。
11.根据权利要求9所述的驱动控制装置，其特征在于：
所述开关也能够将所述衬底切换为电性连接在恒定电压源的第五状态。
12.一种驱动控制方法，其特征在于：其是场效晶体管的驱动控制方法，该场效晶体管具有衬底、设置在所述衬底之上的氮化物半导体层、设置在所述氮化物半导体层之上的漏极电极及源极电极、以及隔在所述漏极电极与所述源极电极之间的栅极电极，且该驱动控制方法具有：
选择步骤，根据所述漏极电极的输入而选择能够将所述衬底的电位切换为多个电位的开关的状态；及
控制步骤，以成为在所述选择步骤中所选择的状态的方式控制所述开关。