技术特征：
技术总结
本发明实施例提供一种具有垂直结构的氮化镓场效应晶体管器件的制作方法，该方法首先通过生长所述氮化镓场效应晶体管的外延层，所述外延层包括第一N型GaN层以及依次生长在所述第一N型GaN层表面上的第二N型GaN层和P型GaN层；并采用刻蚀工艺对预设的第一区域下的所述P型GaN层和部分的所述第二N型GaN层进行刻蚀，形成沟道孔；再通过在所述沟道孔内以及所述P型GaN层的表面上生长所述第二N型GaN层和AlGaN层；最后通过完成所述氮化镓场效应晶体管的源极、栅极以及漏极的制作，以完成所述氮化镓场效应晶体管的制作。通过本发明实施例提供的方法制作获得的氮化镓场效应晶体管器件具有垂直的器件结构，能够增强器件的耐压性能，解决器件的电流崩塌问题。
技术研发人员：刘美华;孙辉;林信南;陈建国
受保护的技术使用者：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.03.25
技术公布日：2017.10.03