线圈组件的制作方法

文档序号:18059937发布日期:2019-07-03 03:00阅读:125来源:国知局
线圈组件的制作方法

技术领域

本公开涉及一种能够衰减多个频带内的共模噪声的线圈组件以及具有所述线圈组件的板。



背景技术:

根据近来对薄、轻和性能改进的需求,电子装置已被要求执行各种功能,并且具有显著减小的尺寸。

在这些电子装置中,可以设置共模滤波器(CMF)来去除共模噪声。例如,在被构造为根据差分传输方案接收高速信号的液晶显示器(LCD)连接器中,可使用共模滤波器(CMF)来去除共模噪声。

此外,多层陶瓷电容器(MLCC)可用于阻隔DC。这样的电容器可以与共模滤波器(CMF)串联连接,作为用于差分传输的滤波器。

根据现有技术的共模滤波器(CMF)具有两个线圈,这两个线圈通过设置在这两个线圈之上和之下的磁体而彼此磁耦合,以形成闭合磁路。

通常,在共模滤波器(CMF)中,两个垂直堆叠的滤波器部件彼此串联连接,屏蔽电极形成在滤波器之间,以防止滤波器之间的磁耦合。

然而,在该结构中的屏蔽电极的面积小的情况下,会难以防止滤波器之间的磁通耦合。此外,在屏蔽电极的面积大的情况下,屏蔽电极会阻碍滤波器之间的磁通,从而降低电感。

因此,存在对能够解决上述问题且能够去除多个频带内的噪声的共模滤波器(CMF)的需求。



技术实现要素:

本公开的一方面提供一种能够衰减多个频带内的共模噪声的线圈组件。

根据本公开的一方面,一种线圈组件可包括具有设置在基板上且在厚度方向上彼此分开的多个滤波器部件的主体。多个输入端子和多个输出端子设置在主体的外表面上。所述多个滤波器部件中的每个包括设置在主体中且在厚度方向上彼此分开的上部线圈和下部线圈,一个滤波器部件的上部线圈和下部线圈的匝数与相邻于所述一个滤波器部件的另一滤波器部件的上部线圈和下部线圈的匝数不同。

根据本公开的另一方面,一种线圈组件可包括具有设置在基板上且在厚度方向上彼此分开的多个滤波器部件的主体。多个输入端子和多个输出端子设置在主体的外表面上。所述多个滤波器部件中的每个包括设置在主体中且在厚度方向上彼此分开的上部线圈和下部线圈,一个滤波器部件的上部线圈和下部线圈的匝数与相邻于所述一个滤波器部件的另一滤波器部件的上部线圈和下部线圈的匝数相同,并且所述一个滤波器部件的电容与相邻于所述一个滤波器部件的另一滤波器部件的电容不同。

根据本公开的另一方面,一种线圈组件包括具有第一滤波器部件和第二滤波器部件的主体,所述第一滤波器和第二滤波器彼此覆盖且覆盖基板的主表面,并且在与基板的主表面正交的厚度方向上彼此分开。所述第一滤波器部件和第二滤波器部件中的每个包括彼此覆盖且在厚度方向上彼此分开地设置在主体中的上部线圈和下部线圈,第一滤波器部件的上部线圈和下部线圈中的一个与第二滤波器部件的上部线圈和下部下圈中的一个串联电连接。此外,第一滤波器部件的上部线圈和下部线圈中的另一个与第二滤波器部件的上部线圈和下部线圈中的另一个串联电连接。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述,本公开的以上和其它方面、特点和优点将更易于理解,在附图中:

图1是示出根据示例性实施例的线圈组件的内部的投影后的透视图;

图2是沿图1的方向A投影的示出线圈组件的内部的主视图;

图3是根据第一示例性实施例的沿图1的线X-X’截取的线圈组件的剖视图;

图4是示出根据另一示例性实施例的线圈组件的内部的投影透视图;

图5是根据第二示例性实施例的沿图4的线Y-Y’截取的线圈组件的剖视图;

图6是根据第三示例性实施例的沿图4的线Y-Y’截取的线圈组件的剖视图;

图7是根据第四示例性实施例的沿图4的线Y-Y’截取的线圈组件的剖视图;

图8是示出根据示例性实施例的基于线圈组件中的滤波器部件之间的垂直距离衰减特性的曲线图。

具体实施方式

在下文中,将参照附图在下面详细描述本发明构思的实施例。

然而,本发明构思可按照不同的形式实施,并且不应被解释为局限于在此阐述的特定实施例。更确切地说,提供这些实施例,以使本公开将是彻底的和完整的,并且将把本公开的范围充分地传达给本领域的技术人员。

在整个说明书中,将理解的是,当诸如层、区域或晶圆(基板)的元件被称为“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时,所述元件可直接“位于”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件,或者可存在介于它们之间的其它元件。相比之下,当元件被称为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时,可不存在介于它们之间的元件或层。相同的标号始终指示相同的元件。如在此使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关联的所列项目中的任何以及全部组合。

将明显的是,虽然可在此使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分,但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此,在不脱离示例性实施例的教导的情况下,下面论述的第一构件、组件、区域、层或部分可称作第二构件、组件、区域、层或部分。

为了描述的方便,可在此使用与空间相关的术语(例如,“在……之上”、“上方”、“在……之下”和“下方”等),以描述如图中示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是,除了图中示出的方位之外,空间相关术语意于包括装置在使用或操作时的不同方位。例如,如果图中的装置被翻转,则被描述为“在”其它元件或特征“之上”或“上方”的元件将被定位为“在”所述其它元件或特征“之下”或“下方”。因此,术语“在……之上”可根据附图的特定方向而包含“在……之上”和“在……之下”的两种方位。装置可被另外定位(旋转90度或处于其它方位),并可对在此使用的空间相对描述符做出相应解释。

在此使用的术语仅用于描述特定实施例,并且无意限制本发明构思。除非上下文中另外清楚地指明,否则如在此使用的单数形式也意于包括复数形式。还将理解的是,在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时,列举存在所述的特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组合,而不排除存在或增加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组合。

在下文中,将参照示出本发明构思的实施例的示意性示图来描述本发明构思的实施例。在附图中,示出了具有理想形状的组件。然而,来自于这些形状的变型(例如,由于制造技术和/或公差的变型)也落在本公开的范围内。因此,本发明构思的实施例不应局限于在此示出的区域的特定形状或区域,而应更概括地理解为包括由于制造方法和工艺导致的形状的变化。以下的实施例也可由一个或它们的组合而构成。

下面描述的本发明构思可按照不同的构造来实现,下面的描述仅描述一些示意性构造。然而,本领域的技术人员将理解的是,本发明构思不限于在此示出的特定构造,而是还扩展为其它构造。

线圈组件

图1是示出根据示例性实施例的线圈组件的内部的投影透视图。

图2是沿图1的方向A投影的示出线圈组件的内部的主视图。

参照图1和图2,根据示例性实施例,线圈组件可包括主体(例如,磁体10),主体包括设置在基板11上的多个滤波器部件(20和40)。滤波器部件20和滤波器部件40在厚度方向上彼此分开(例如,使它们彼此重叠且基本平行地彼此堆叠)地设置在基板11上。多个输入端子(31和32)和多个输出端子(33和34)设置在磁体10的外表面上。此外,滤波器部件20可由上部线圈21和下部线圈22组成,上部线圈21和下部线圈22设置在磁体10中并在厚度方向上彼此分开,滤波器部件40可由上部线圈23和下部线圈24组成,上部线圈23和下部线圈24设置在磁体10中并在厚度方向上相对于彼此堆叠,一个滤波器部件20的线圈21和22的匝数不同于与其相邻的另一滤波器部件40的线圈23和24的匝数。此外,第一滤波器部件20的上部线圈21与下部线圈22之间的距离可以与第二滤波器部件40的上部线圈23与下部线圈24之间的距离相同。

如在此所使用的,术语“第一”至“第四”用来区分对象,并且不限于所述顺序。

磁体10可以是六面体,“L方向”可以指“长度方向”,“W方向”可以指“宽度方向”,“T方向”可以指“厚度方向”。

磁体10可包括基板11和设置在基板11上的多个滤波器部件(20和40),其中,多个滤波器部件(20和40)在磁体中沿厚度方向彼此分开。

如图1和图2所示,多个滤波器部件可包括可以为第一滤波器部件和第二滤波器部件的两个滤波器部件20和40,这两个滤波器部件如图1和图2所示设置。然而,更通常地,多个滤波器部件可包括不同数量或布置的滤波器部件。

根据示例性实施例的线圈组件可包括第一外电极31和第二外电极32以及第三外电极33和第四外电极34,第一外电极31和第二外电极32为形成在磁体10的一个表面上的输入端子,第三外电极33和第四外电极34为形成在磁体10的与磁体10的所述一个表面相对的另一表面上的输出端子。

在下文中,将参照图1和图2描述设置在第一滤波器部件20中的两个线圈21和22以及设置在第二滤波器部件40中的两个线圈23和24(在下文中分别称为“第一线圈”至“第四线圈”)。此外,将参照图1和图2描述为输入端子的第一外电极31和第二外电极32以及为输出端子的第三外电极33和第四外电极34。

第一线圈21和第二线圈22可作为一个集合构成第一滤波器部件20,第三线圈23和第四线圈24可作为另一集合构成第二滤波器部件40。

由第三线圈23和第四线圈24组成的第二滤波器部件40可设置在基板11上,由第一线圈21和第二线圈22组成的第一滤波器部件20可被设置为在磁体10中沿厚度方向与第二滤波器部件40分开。

也就是说,第二滤波器部件20可由分别为设置在磁体10中且沿厚度方向彼此分开的上部线圈和下部线圈的第一线圈21和第二线圈22组成。第二滤波器部件40可由分别为均被设置为与第一滤波器部件20分开的上部线圈和下部线圈的第三线圈23和第四线圈24组成。

在这种情况下,构成第一滤波器部件20的第一线圈21和第二线圈22可具有彼此相同(或几乎相同)的匝数,构成第二滤波器部件40的第三线圈23和第四线圈24也可具有彼此相同(或几乎相同)的匝数。

如上所述,由多个滤波器部件(20和40)组成且能够衰减多个频率范围(region)内的共模噪声的线圈组件(尤其是共模滤波器)可具有如下结构:多个滤波器部件(20和40)彼此串联连接,并沿厚度方向(例如,沿与其上设置有第二滤波器部件40的基板11的主表面正交的方向)堆叠在磁体中。

因此,多个滤波器部件(20和40)可在垂直保护区域上具有彼此重叠的区域。例如,滤波器部件20和滤波器部件40可具有彼此垂直地重叠的区域(垂直方向与厚度方向一致,所述厚度方向与其上设置有第二滤波器部件40的基板11的主表面正交)。

根据示例性实施例,线圈组件可具有如下结构:一个滤波器部件20中的线圈21和22的匝数不同于与其相邻的另一滤波器部件40的线圈23和24的匝数。

也就是说,构成第一滤波器部件20的第一线圈21和第二线圈22的匝数可以与构成第二滤波器部件40的第三线圈23和第四线圈24的匝数不同。

如上所述,构成第一滤波器部件20的线圈21和22以及构成第二滤波器部件40的线圈23和24可形成为具有不同的匝数,因此,每个滤波器部件的电感和寄生电容可彼此不同。

可调节第一滤波器部件20和第二滤波器部件40中的每个,以具有不同的电感和寄生电容(如上所述),因此可调节每个滤波器部件的谐振频率,并且可衰减多个频带内的共模噪声。

也就是说,在第一滤波器部件20的电感和寄生电容与第二滤波器部件40的电感和寄生电容不同的情况下,可扩宽衰减共模噪声的频带。

根据示例性实施例,通过使构成第一滤波器部件20的线圈和构成第二滤波器部件40的线圈形成为具有不同的匝数,可以使第一滤波器部件20和第二滤波器部件40具有彼此不同的电感和寄生电容,因此第一滤波器部件20和第二滤波器部件40可具有彼此不同的谐振频率,但不限于此。

也就是说,通过允许多个滤波器部件(例如,20、40)中的每个的电感和电容中的至少一个彼此不同,可以使多个滤波器部件的谐振频率彼此不同。

第一线圈21至第四线圈24可分别在彼此分开的位置处暴露于磁体10的一个表面或另一表面。

第一线圈21至第四线圈24可分别在彼此分开的位置处曝露于磁体10的一个表面或另一表面。例如,如图1所示,第一线圈21至第四线圈24可分别接触或连接到第一外电极31至第四外电极34中相应的一个。

更具体地,第一线圈21可曝露于磁体10的第一表面,从而接触且连接到第一外电极31。

此外,第二线圈22可曝露于磁体10的第一表面,从而接触且连接到第二外电极32。

此外,第三线圈23可曝露于磁体10的第二表面,从而接触且连接到第三外电极33。

第四线圈24可曝露于磁体10的第二表面,从而接触且连接到第四外电极34。

第一外电极31和第二外电极32可以是输入端子,第三外电极33和第四外电极34可以是输出端子,但第一外电极31至第四外电极34不限于此。

同时,第一线圈21和第三线圈23可通过过孔(via)41彼此连接(例如,串联)。

类似地,第二线圈22和第四线圈24还可通过过孔42彼此连接(例如,串联)。

因此,电流可在通过第一线圈21、过孔41和第三线圈23的同时从为输入端子的第一外电极31流动到为输出端子的第三外电极33。

类似地,电流可在通过第二线圈22、过孔42和第四线圈24的同时从为输入端子的第二外电极32流动到为输出端子的第四外电极34。

第一线圈21至第四线圈24可包含从由金、银、铂、铜、镍、钯和它们的合金组成的组选择的至少一种。

在一些示例中,第一线圈21至第四线圈24可由任意材料形成,只要该材料可使线圈具有导电性即可。在这样的示例中,第一线圈21至第四线圈24的材料不限于上述金属。

此外,第一线圈21至第四线圈24可具有多边形形状(例如,如图1所示的长方形形状)、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状,但形状不受具体限制。此外,第一线圈21至第四线圈24可均具有彼此基本相同的形状。

第一线圈21至第四线圈24可通过引线端子(未示出)分别连接到第一外电极31至第四外电极34中相应的一个。

第一外电极31至第四外电极34可在磁体10的厚度方向(“T方向”)上延伸。例如,第一外电极31至第四外电极34可沿着磁体10的整个厚度方向延伸,如图1所示。

第一外电极31至第四外电极34可被设置为彼此分开,从而彼此电分离且绝缘。

第一外电极31至第四外电极34可延伸至磁体10的上表面和下表面的部分。

在第一外电极31至第四外电极34延伸至磁体10的上表面和下表面的实施例中,第一外电极31至第四外电极34与磁体10之间的粘附力会由于第一外电极31至第四外电极34与磁体10之间的结合部分具有呈角度的形状而得以提高。在这样的实施例中,线圈组件可在耐受外部冲击等方面展现出提高的性能。

第一外电极31至第四外电极34中所使用的金属不受具体限制,只要该金属使第一外电极31至第四外电极34具有导电性即可。

更具体地,第一外电极31至第四外电极34可包含从由金、银、铂、铜、镍、钯和它们的合金组成的组选择的至少一种或更多种。

金、银、铂和钯昂贵但优点在于它们稳定,铜和镍便宜但缺点在于它们在烧结期间会被氧化,从而导致导电性降低。

根据示例性实施例的线圈组件的磁体10的厚度可以为1.2mm或更小,但不限于此。磁体10可被制造为具有各种厚度。

基板11可以是磁性基板,并且基板11的磁性材料可包含镍-锌-铜铁氧体。

图3是根据第一示例性实施例的沿图1的线X-X’截取的线圈组件的剖视图。

参照图3,一个滤波器部件20的线圈21和22中流动的电流的方向可以与相邻于其的另一滤波器部件40的线圈23和24中流动的电流的方向相反。

也就是说,当一个滤波器部件20的线圈21和22中流动的电流的方向与相邻于其的另一滤波器部件40的线圈23和24中流动的电流的方向彼此相反时,从线圈产生的磁通的方向会变为彼此相反,因此两个滤波器之间可以不产生磁耦合。

即使不存在磁通耦合防止结构,也可通过将线圈中的电流的方向调节为彼此相反(如上所述)来使谐振频率彼此不同,可获得两个不同的频率范围的插入损耗特性和衰减特性。

通过允许第一滤波器部件20的线圈21和22的缠绕方向以及第二滤波器部件40的线圈23和24的缠绕方向彼此相反,可使第一滤波器部件20的线圈21和22中流动的电流的方向与第二滤波器部件40的线圈23和24中流动的电流的方向相反(如上所述)。

根据示例性实施例,多个滤波器部件(20和40)可彼此串联连接。

根据示例性实施例,滤波器部件20与滤波器部件40之间的距离d可以为10μm至200μm。

通过将滤波器部件20与滤波器部件40之间的距离d调节为10μm至200μm,可以增大衰减量并可减小将被衰减的谐振频率的失真。

如上所述的衰减量增大并且将被衰减的谐振频率的失真减小的原因在于随着第一滤波器20与第二滤波器40之间的距离d增大,在彼此相反的方向上产生的磁通之间的抵消作用降低。

在滤波器部件20与滤波器部件40之间的距离d小于10μm的情况下,衰减量会减小,谐振频率的失真也会增大。

在滤波器部件20与滤波器部件40之间的距离d大于200μm的情况下,第二滤波器部件40的衰减量会减小,谐振频率的失真也会增大。

原因如下:当衰减效应由于第一滤波器部件20与第二滤波器部件40之间的距离d增大而消失时,第一滤波器部件20的磁通过强,因此第一滤波器部件20的衰减量会增大,但磁通会对第二滤波器部件40的磁通的形成有影响,从而使衰减量减小并且使谐振频率的失真增大。

图4是示出根据另一示例性实施例的线圈组件的内部的投影透视图。

根据另一示例性实施例,线圈组件可包括磁体110,磁体110包括设置在基板111上的多个滤波器部件(200和400)。滤波器部件200和滤波器部件400在厚度方向上彼此分开。多个输入端子(131和132)和多个输出端子(133和134)设置在磁体110的外表面上。滤波器部件200由设置在磁体110中并且沿厚度方向(例如,与其上设置有滤波器部件400的基板111的主表面正交的方向)相对于彼此堆叠的上部线圈121和下部线圈122组成。滤波器部件400由设置在磁体110中并且沿厚度方向相对于彼此而堆叠的上部线圈123和下部线圈124组成。一个滤波器部件200的线圈121和122的匝数与相邻于其的另一滤波器400的线圈123和124的匝数相同。然而,一个滤波器部件200的电容与相邻于其的另一滤波器部件400的电容不同。

磁体110可包括基板111以及第一滤波器部件200和第二滤波器部件400,并且包围基板111以及第一滤波器部件200和第二滤波器部件400。多个滤波器部件(200和400)设置在基板111上,并且在磁体110中沿厚度方向彼此分开。

在下文中,将描述根据图4的示例性实施例的线圈组件,但是将省略与以上关于图1至图3描述的示例性实施例的描述相同的描述,以避免重复描述。

为一个滤波器部件的第一滤波器部件200的第一线圈121和第二线圈122的匝数可以与相邻于其的为另一滤波器部件的第二滤波器部件400的第三线圈123和第四线圈124的匝数相同。

由于第一滤波器部件200的第一线圈121和第二线圈122的匝数与相邻于其的第二滤波器部件400的第三线圈123和第四线圈124的匝数相同,因此第一滤波器部件200和第二滤波器部件400可具有彼此相同(或基本相同)的电感。

这里,第一滤波器部件200和第二滤波器部件400具有彼此相同或基本相同的电感,这可被理解为包括第一滤波器部件200与第二滤波器部件400之间的电感值因工艺偏差而存在小差别的组件,以及第一滤波器部件200和第二滤波器部件400的电感值彼此精确地相等的组件。

在根据图4的另一示例性实施例的线圈组件中,为一个滤波器部件的第一滤波器部件200的电容和相邻于其的为另一滤波器部件的第二滤波器部件400的电容可彼此不同。

如上所述,根据关于图1至图3描述的示例性实施例,通过将构成第一滤波器部件200的线圈和构成第二滤波器部件400的线圈形成为具有不同的匝数,可以使各个滤波器部件的电感和寄生电容彼此不同。

根据关于图4描述的另一示例性实施例,通过将第一滤波器部件200的线圈和第二滤波器部件400的线圈形成为具有相同的匝数但是允许各个线圈被不同地设置,可将第一滤波器部件200和第二滤波器部件400调节为具有彼此相同(或基本相同)的电感以及具有彼此不同的电容。

如上所述,可将第一滤波器部件200和第二滤波器部件400调节为具有彼此不同的寄生电容,因此可调节每个滤波器部件的谐振频率,每个滤波器部件的谐振频率可以彼此不同,并且可以衰减多个频带内的共模噪声。

也就是说,在第一滤波器部件200的寄生电容与第二滤波器部件400的寄生电容不同的情况下,可以扩展衰减共模噪声的频带。

在下文中,将描述第一滤波器部件200的寄生电容与第二滤波器部件400的寄生电容不同的各个示例性实施例。

图5是根据第二示例性实施例的沿图4的线Y-Y’截取的线圈组件的剖视图。

参照图5,在根据第二示例性实施例的线圈组件中,第一线圈121和第二线圈122之间在厚度方向(例如,第一线圈121和第二线圈122彼此堆叠的方向)上的间隔或间距可以小于第三线圈123和第四线圈124之间在厚度方向上的间隔或间距。

在该实施例中,第一滤波器部件200和第二滤波器部件400可具有彼此不同的寄生电容,所述寄生电容可通过将第一线圈121和第二线圈122之间的间隔或间距调节为小于第三线圈123和第四线圈124之间的间隔(如上所述)来改变。

因此,第一滤波器部件200和第二滤波器部件400的谐振频率可彼此不同。

图6是根据第三示例性实施例的沿图4的线Y-Y’截取的线圈组件的剖视图。

参照图6,第一线圈121和第二线圈122的内部截面面积可大于第三线圈123和第四线圈124的内部截面面积。例如,在线圈为圆形的实施例中,第一线圈121和第二线圈122可具有比第三线圈123和第四线圈124的直径大的直径。

通过将第一线圈121和第二线圈122的内部截面面积调节为大于第三线圈123和第四线圈124的内部截面面积,可以使第一滤波器部件200和第二滤波器部件400具有彼此不同的寄生电容,例如,如图6所示。

因此,第一滤波器部件200和第二滤波器部件400的谐振频率可以彼此不同。

图7是根据第四示例性实施例的沿图4的线Y-Y’截取的线圈组件的剖视图。

参照图7,为一个滤波器部件的第一滤波器部件200的第一线圈121和第二线圈122中的每个内的线圈绕组之间的距离可以小于为另一滤波器部件的第二滤波器部件400的第三线圈123和第四线圈124中的每个内的线圈绕组之间的距离。

如上所述,通过将第一滤波器部件200的第一线圈121和第二线圈122中的每个中的线圈绕组之间的距离调节为小于第二滤波器部件400的第三线圈123和第四线圈124中的每个中的线圈绕组之间的距离(如图7所示),可以使第一滤波器部件200和第二滤波器部件400具有彼此不同的寄生电容。

因此,第一滤波器部件200和第二滤波器部件400的谐振频率可以彼此不同。

根据另一示例性实施例,当在第一滤波器部件200的线圈121和122中流动的电流的方向与在第二滤波器部件400的线圈123和124中流动的电流的方向彼此相反(例如,线圈121和122中的电流流向为顺时针,线圈123和124中的电流流向为逆时针)时,从线圈产生的磁通的方向会变为彼此相反,因此两个滤波器之间可以不产生磁耦合。

即使不存在磁通耦合防止结构,也可通过将线圈中的电流的方向调节为彼此相反来使谐振频率彼此不同,并且可获得两个频率范围的插入损耗和衰减特性。

通过允许第一滤波器部件200的线圈121和122的缠绕方向与第二滤波器部件400的线圈123和124的缠绕方向彼此相反,可以使第一滤波器部件200的线圈121和122中流动的电流的方向与第二滤波器部件400的线圈123和124中流动的电流的方向相反。

下面的表1示出了通过对衰减特性进行分析而获得的不期望的结果,所述衰减特性依据根据在此示出并描述的示例性实施例的线圈组件中的第一滤波器部件和第二滤波器部件之间的垂直距离(例如,距离d)。

[表1]

参照表1,在根据示例性实施例的线圈组件中,通过将第一滤波器部件与第二滤波器部件之间的距离d调节为10μm至200μm,可以使衰减量增大,并且可以使将被衰减的谐振频率的失真减小。

当第一滤波器部件与第二滤波器部件之间的距离增大时衰减量增大并且将被衰减的谐振频率的失真减小的原因在于:随着距离增大,在彼此相反的方向上产生的磁通之间的抵消作用减小。

另一方面,在第一滤波器部件与第二滤波器部件之间的距离d为5μm(小于10μm)的情况下,衰减量减小,将被衰减的谐振频率的失真也增大,如表1中记录的不期望的结果所示。

此外,在第一滤波器部件与第二滤波器部件之间的距离d为250μm(大于200μm)的情况下,第二滤波器部件的衰减量减小,将被衰减的谐振频率的失真也增大。

原因如下:当衰减效应由于第一滤波器部件与第二滤波器部件之间的距离增大而消失时,第一滤波器部件的磁通过强,因此第一滤波器部件的衰减量会增大。另外,磁通会对第二滤波器部件的磁通的形成有影响,从而使衰减量减小并且使谐振频率的失真增大。

图8是示出针对根据示例性实施例的线圈组件中的滤波器部件之间的垂直距离的不同值的衰减特性的曲线图。

参照图8,在根据示例性实施例的线圈组件中,可以领会:通过将第一滤波器部件与第二滤波器部件之间的距离调节为10μm至200μm,可以使衰减量增大,并且可以使将被衰减的谐振频率的失真减小。

如上所述,在根据示例性实施例的线圈组件中,通过允许构成两个滤波器部件的线圈的设置条件彼此不同,可将两个滤波器部件的电感和电容调节为彼此不同。因此,例如通过控制滤波器部件之间的垂直距离,可扩宽在频带中衰减的共模噪声,并且可改善衰减特性。

虽然以上已示出并且描述了示例性实施例,但是本领域的技术人员将明显的是,在不脱离由权利要求限定的本发明的范围的情况下,可做出修改和变型。

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