本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法。
背景技术：
目前，OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光二极管)显示装置，由于具有自发光、宽视角、响应速度快、可柔化等特点而受到广泛关注。
其中，AMOLED(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode，有源矩阵有机发光二极体面板)是通过TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)驱动OLED发光。
近年来，很多公司也将incelltouch(内嵌式触控)技术开发列为公司技术研究的主要方向，而内嵌式触控技术与AMOLED显示技术结合，则越来越受到面板厂家的青睐。
技术实现要素：
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法，可以将内嵌式触控技术与AMOLED显示技术结合。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种阵列基板，包括多个子像素，每个子像素均设置有显示元件，至少一个子像素构成一个重复单元，位于重复单元中的其中一个子像素还设置有热敏组件；所述热敏组件与控制信号线和读取信号线相连，用于在所述控制信号线的控制下，将热电转换后的电流信号输出至所述读取信号线，以根据所述控制信号线和所述读取信号线确定触控位置。
优选的，所述热敏组件包括第一电极、第二电极及第一晶体管；所述第一晶体管的栅极与控制信号线相连，第一极与所述读取信号线相连，第二极与所述第二电极的一端相连；所述第二电极的另一端与所述第一电极相连；其中，所述第一电极和所述第二电极的材料不同。
优选的，所述显示元件包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、存储电容和发光器件。
所述第二晶体管的栅极与扫描控制线控制线相连，第一极与数据线相连，第二极与第三晶体管的第一极相连。
所述第四晶体管的栅极与发光控制线相连，第一极与第一电压端相连，第二极与所述第三晶体管的第一极相连。
所述第五晶体管的栅极与复位控制线相连，第一极与第二电压端相连，第二极与所述第三晶体管的栅极相连。
所述第六晶体管的栅极与所述扫描控制线相连，第一极与所述第三晶体管的栅极相连，第二极与所述第三晶体管的第二极相连。
所述第七晶体管的栅极与所述发光控制线相连，第一极与所述第三晶体管的第二极相连，第二极与所述发光器件的阳极相连。
所述发光器件的阴极与第三电压端相连。
所述存储电容的一端与所述第三晶体管的栅极相连，另一端与所述第一电压端相连。
进一步优选的，所述控制信号线为所述扫描控制线或所述复位控制线。
进一步优选的，在所述热敏组件包括第一电极、第二电极及第一晶体管的情况下，所述第一电极与所述阴极同层设置。
优选的，一个重复单元为一个像素单元。
第二方面，提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
优选的，所述阵列基板中的显示元件为OLED显示元件；所述显示面板还包括封装盖板。
进一步优选的，所述显示面板为顶发射型显示面板；所述OLED显示元件发白光；所述封装盖板上设置有彩色膜层。
第三方面，提供一种上述的阵列基板的制备方法，所述热敏组件包括第一电极、第二电极及第一晶体管。
所述制备方法包括：在Si衬底基板对应每个子像素的区域，通过C-MOS工艺形成显示元件的第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管以及存储电容，并同步形成扫描控制线、发光控制线、复位控制线以及数据线；在对应每个重复单元的其中一个子像素的区域，还同步形成热敏组件的第一晶体管和第二电极；通过构图工艺形成所述显示元件的发光器件的阳极；通过蒸镀工艺形成所述发光器件的有机材料功能层、阴极以及所述热敏组件的第一电极。
优选的，发光器件的阴极和所述热敏组件的第一电极同步形成；在形成发光器件的阳极之后，通过蒸镀工艺形成阴极以及所述热敏组件的第一极之前，所述制备方法包括：形成像素界定层；在所述像素界定层上形成隔垫物，其中所述隔垫物靠近所述像素界定层一侧的面积小于所述隔垫物远离所述像素界定层的面积；在所述像素界定层和所述隔垫物上形成过孔，所述过孔用于使热敏组件的第一电极和第二电极相连。
进一步优选的，所述隔垫物为负性胶。
第四方面，提供一种上述的显示面板的驱动方法，包括：在每一帧显示元件逐行显示；还包括：在每一帧，控制信号线逐行控制热敏组件开启；所述热敏组件通过热电转换对手指进行识别，并将识别结果通过所述读取信号线输出，以根据所述控制信号线和所述读取信号线确定触控位置。
优选的，所述热敏组件包括第一电极、第二电极及第一晶体管。
控制信号线逐行控制热敏组件开启，所述热敏组件通过热电转换对手指进行识别，并将识别结果通过所述读取信号线输出，包括：所述控制信号线逐行输入信号，使得与当前控制信号线相连的第一晶体管导通；当手指与屏幕接触时，所述第一电极和所述第二电极之间产生温度差，在所述第一电极和所述第二电极上产生热电流，所述热电流通过导通的所述第一晶体管输出至所述读取信号线。
优选的，所述显示元件包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、存储电容和发光器件。
在每一帧显示元件逐行显示包括：在每一帧的重置阶段，复位控制线逐行输入信号，所述第五晶体管导通，第一电压端和第二电压端输入电压，所述第三晶体管导通。
在每一帧的写入阶段，扫描控制线逐行输入信号，所述第二晶体管和所述第六晶体管导通，数据线输入的数据电压通过所述第二晶体管和所述第六晶体管写入所述第三晶体管的栅极。
在每一帧的发光阶段，发光控制线逐行输入信号，所述第四晶体管和所述第七晶体管导通，第一电压端输入的信号通过所述第四晶体管、所述第三晶体管和所述第七晶体管使所述发光器件发光。
优选的，所述控制信号线为所述扫描控制线或所述复位控制线。
本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法，由于阵列基板中设置有热敏组件，当手指进行触摸时，手指可以将热量传递给热敏组件，热敏组件将热量转换为电流信号，在控制信号线的控制下，热敏组件将转换后的电流通过读取信号线输出，这样便可以根据控制信号线和读取信号线便可以确定手指的触控位置。由于本发明实施例中的热敏组件设置在阵列基板的子像素中，因而实现了内嵌式触控技术。在此基础上，当所述阵列基板为AMOLED阵列基板时，可以实现内嵌式触控技术与AMOLED显示技术的结合。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种热敏组件的连接结构示意图一；
图2为本发明实施例提供的一种热敏组件的连接结构示意图二；
图3为本发明实施例提供的一种显示元件的连接结构示意图；
图4为驱动图3中显示元件的各信号线的时序图；
图5(a)为本发明实施例提供的一种阵列基板中显示元件和热敏组件的连接结构示意图一；
图5(b)为本发明实施例提供的一种阵列基板中显示元件和热敏组件的连接结构示意图二；
图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图一；
图7为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图一；
图8为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图二；
图9为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
图10为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图二。
附图标记：
10-热敏组件；101-第一电极；102-第二电极；20-显示元件；201-红色子像素；202-绿色子像素；203-蓝色子像素；30-阳极；40-有机材料功能层；50-阴极；60-封装盖板；70-彩色膜层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种阵列基板，如图1所示，包括多个子像素，每个子像素均设置有显示元件(图1中未示意出)，至少一个子像素构成一个重复单元，位于重复单元中的其中一个子像素还设置有热敏组件10。热敏组件10与控制信号线CL和读取信号线RL相连，用于在控制信号线CL的控制下，将热电转换后的电流信号输出至读取信号线RL，以根据控制信号线CL和读取信号线RL确定触控位置。
此处，如图1所示，优选位于同一行子像素中的热敏组件10连接同一条控制信号线CL，位于同一列子像素中的热敏组件10连接同一条读取信号线RL。控制信号线CL逐行输入信号，当位于某一行的控制信号线CL输入信号时，则与该行控制信号线CL相连的多个热敏组件10开启。
需要说明的是，第一，对于重复单元中子像素的个数不进行限定，可以是一个子像素构成一个重复单元，也可以是两个子像素构成一个重复单元，当然也可以三个或三个以上的多个构成一个重复单元。由于本发明实施例是在重复单元中的其中一个子像素中设置热敏组件10，为了确保手指触控到任一位置，热敏组件10都可以将热电转换后的电流信号输出至读取信号线RL，因而重复单元中子像素的个数也不能太多。
第二，对于热敏组件10的具体结构，以能将热能转换为电能为准，例如热敏组件10可以为热电偶，或者，也可以为热敏传感器等。
本发明实施例提供一种阵列基板，由于阵列基板中设置有热敏组件10，当手指进行触摸时，手指可以将热量传递给热敏组件10，热敏组件10将热量转换为电流信号，在控制信号线CL的控制下，热敏组件10将转换后的电流通过读取信号线RL输出，这样便可以根据控制信号线CL和读取信号线RL便可以确定手指的触控位置。由于本发明实施例中的热敏组件10设置在阵列基板的子像素中，因而实现了内嵌式触控技术。在此基础上，当所述阵列基板为AMOLED阵列基板时，可以实现内嵌式触控技术与AMOLED显示技术的结合。
优选的，如图2所示，热敏组件10包括第一电极101、第二电极102及第一晶体管T1；第一晶体管T1的栅极与控制信号线CL相连，第一极与读取信号线RL相连，第二极与第二电极102的一端相连；第二电极102的另一端与第一电极101相连；其中，第一电极101和第二电极102的材料不同。
此处，需要说明的是，第一电极101作为触控电极，一端与第二电极102相连，另一端悬空，在手指触摸时，用于接收手指的热量，为了确保在手指触摸时，手指的热量可以传递给第一电极101，第一电极101应设置在第二电极102的上方，且尽可能地靠近在阵列基板的上表面。
热敏组件10将热量转换为电流信号的原理为：当手指进行触摸时，手指将热量传递给第一电极101，第一电极101的温度升高，由于第一电极101和第二电极102存在有温度差，且第一电极101和第二电极102的材料不同，因而会在第一电极101和第二电极102上产生热电动势，热电动势则会产生电流。
其中，对于第一电极101和第二电极102的材料不进行限定，第一电极101和第二电极102的材料例如可以选自Fe(铁)、Ni(镍)、Cu(铜)、Pt(铂)等。
本发明实施例，当手指进行触摸时，手指的温度传递给第一电极101时，第一电极101的温度升高，由于第一电极101和第二电极102存在有温度差，因而会产生热电动势。当控制信号线CL控制第一晶体管T1打开时，热电动势产生的电流便会通过第一晶体管T1输出至读取信号线RL。
优选的，如图3所示，显示元件20包括第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、存储电容Cst和发光器件D。
第二晶体管T2的栅极与扫描控制线Gate相连，第一极与数据线Vdate相连，第二极与第三晶体管T3的第一极相连。
第四晶体管T4的栅极与发光控制线EM相连，第一极与第一电压端ELVDD相连，第二极与所述第三晶体管T3的第一极相连。
第五晶体管T5的栅极与复位控制线Reset相连，第一极与第二电压端Vint相连，第二极与所述第三晶体管T3的栅极相连。
第六晶体管T6的栅极与扫描控制线Gate相连，第一极与第三晶体管T3的栅极相连，第二极与第三晶体管T3的第二极相连。
第七晶体管T7的栅极与发光控制线EM相连，第一极与第三晶体管T3的第二极相连，第二极与发光器件D的阳极相连。
发光器件D的阴极与第三电压端ELVSS相连。
存储电容Cst的一端与第三晶体管T3的栅极相连，另一端与第一电压端ELVDD相连。
此处，优选位于同一行子像素中的显示元件20连接同一条扫描控制线Gate、同一条复位控制线Reset、以及同一条发光控制线EM。位于同一列子像素中的显示元件20连接同一条数据线Date。
其中，第三晶体管T3为驱动晶体管，第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7为开关晶体管。
需要说明的是，本发明实施例中的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7可以为P型晶体管，也可以为N型晶体管。本发明实施例中以所有晶体管均为P型晶体管为例进行示意。其中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7的第一极均为源极，第二极均为漏极。或者，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7的第一极均为漏极，第二极均为源极。
发光器件D可以是LED(LightEmittingDiode，发光二极管)或OLED在内的多种电流驱动发光器件。在本发明实施例中，是以OLED为例进行的说明。
此外，在本发明实施例中，第三电压端ELVSS可以是低电压或者是接地端。
以下对显示元件20的工作过程进行详细说明。显示元件20的工作过程具体可以分为三个阶段，分别为：重置阶段、写入阶段以及发光阶段。图3为显示元件20的电路图，图4为图3所示的电路工作过程中各信号线的时序图。如图4所示，t1表示重置阶段，t2表示写入阶段，t3表示发光阶段。
具体的，在重置阶段t1，复位控制线Reset输入低电平信号，第五晶体管T5导通，第二电压端Vint输入的电压通过第五晶体管T5后，可以将第三晶体管T3的栅极和与第五晶体管T5相连接的存储电容Cst的节点a的电压升为Vint+Vth。其中，Vth为第三晶体管T3的阈值电压。当第二电压端Vint输入的电压很低时，或者为零电压时(例如，当第三晶体管T3的阈值电压Vth大于零电压时，可以将第二电压端Vint设置为零电压，以起到节点电压复位的作用)，实际写入节点a的电压为Vth。此时，存储电容Cst两端的电压为Vdd-Vint。
此处，需要说明的是，由于存储电容Cst的一端与第一电压端ELVDD连接，而第一电压端ELVDD一直为存储电容Cst的一端提供第一电压Vdd，根据存储电容Cst的电荷保持原理，存储电容Cst与第三晶体管T3连接的一端会产生一个电压，这样该电压便可以使第三晶体管T3在写入阶段t2和发光阶段t3一直处于导通状态。
在写入阶段t2，扫描控制线Gate输入低电平信号，第二晶体管T2和第六晶体管T6导通，数据线Date输入的数据电压通过第二晶体管T2、第三晶体管T3和第六晶体管T6输入至第三晶体管T3的栅极，第三晶体管T3的栅极电压为Vdate+Vth。
在发光阶段t3，发光控制线EM输入低电平信号，第四晶体管T4和第七晶体管T7导通，第一电压端ELVDD输入电压信号，节点b的电位为Vdd。这时，流过第三晶体管T3的电流驱动发光器件D发光。由于第三晶体管T3处于饱和区，因此，可以根据饱和区晶体管的电流特性，得出流经第三晶体管T3的饱和电流为：
IOLED＝K×(VGS-Vth)2
＝K×[(VG-VS)-Vth]2
＝K×[(Vdate+Vth)-Vdd-Vth]2
＝K×(Vdate-Vdd)2
其中，K为关联于第三晶体管T3的电流常数；VGS为第三晶体管T3的栅极相对于源级的电压，即节点b相对于节点a的电压，Vth为第三晶体管T3的阈值电压。
现有技术中，不同像素单元之间的Vth各不相同，且同一像素中的Vth还有可能随时间发生漂移，这将造成显示亮度差异，由于这种差异与之前显示的图像有关，因此常呈现为残影现象。然而，对于本发明，从上式可以看出，OLED的工作电流IOLED已经不受阈值电压Vth的影响，只与Vdate和Vdd有关。这样便可以避免第三晶体管T3，由于工艺制程和长时间的操作造成的阈值电压Vth漂移的问题，消除了对流过发光器件D的电流所造成的影响，显著改善了发光器件D显示亮度的均匀性，确保发光器件D的正常工作。
需要说明的是，在上述的实施例中，所有晶体管均是以P型晶体管为例进行说明。当晶体管采用N型晶体管时，此时，电路中各信号的时序也应当做相应的调整。其中，数据线Date、复位控制线Reset、扫描控制线Gate、发光控制线EM的时序与图4中所示的相应的信号时序相反(即二者的相位差为180°)。
本发明实施例提供了显示元件20中多个晶体管、存储电容Cst和发光器件D的连接关系，通过多个晶体管和存储电容Cst对电路进行开关和充放电控制，可以使得通过晶体管的用于驱动发光器件D的电流与晶体管的阈值电压无关，补偿了由于晶体管的阈值电压的不一致或偏移所造成的流过发光器件D的电流差异，提高了发光器件D发光亮度的均匀性，显著提升了显示元件20的显示效果。
优选的，如图5(a)和图5(b)所示，控制信号线CL为扫描控制线Gate或复位控制线Reset。
当控制信号线CL为扫描控制线Gate或复位控制线Reset时，热敏组件10可以是如图5(a)所示和扫描控制线Gate相连，或者是，如图5(b)所示和复位控制线Reset相连。当扫描控制线Gate或复位控制线Reset逐行进行开启时，与扫描控制线Gate或复位控制线Reset相连的热敏组件10也逐行开启。
此处，需要说明的是，虽然发光控制线EM也是逐行开启，但是为了确保热敏组件10在手指触摸时的识别精度及发光器件D的正常发光，因而，优选的，手指触摸时的识别和发光器件D的发光是在不同的阶段进行。即，热敏组件10与扫描控制线Gate相连，或者与复位控制线Reset相连，而不与发光控制线EM相连。
进一步地，如图6所示，在热敏组件10包括第一电极101、第二电极102及第一晶体管T1的情况下，第一电极101与发光器件D的阴极50同层设置。
此处，发光器件D的阴极50是通过蒸镀形成，第一电极101与发光器件D的阴极50同层设置，即第一电极101与发光器件D的阴极50可以通过一次蒸镀工艺形成。其中，对于第一电极101与发光器件D的阴极50如何断开不进行限定。
本发明实施例中，由于热敏组件10的第一电极101与发光器件D的阴极50同层设置，因此，可以通过蒸镀工艺同时蒸镀第一电极101与阴极50，简化了阵列基板的制作工艺。
由于仅在重复单元的其中一个子像素中设置热敏组件10，重复单元中子像素的个数越多，手指触摸时，热敏组件10的识别精度将降低，然而，重复单元中包括的子像素的个数越少例如包括一个子像素，则在每个子像素中都设置热敏组件10，这样便会增加工艺难度和成本，因而，本发明实施例优选的，一个重复单元为一个像素单元。
当一个重复单元包括一个像素单元时，如图5(a)所示，像素单元包括三个子像素，三个子像素可以分别为红色子像素201、绿色子像素201以及蓝色子像素203。
在构成上述像素单元的三个子像素分别为红色子像素201、绿色子像素201以及蓝色子像素203情况下，由于当改变蓝色子像素203的开口率时，人眼不易察觉。因此优选的，当像素单元中的一个子像素为蓝色子像素203时，热敏组件10可以设置于蓝色子像素203中。这样一来，即使在蓝色子像素203中设置了热敏组件10造成蓝色子像素203的开口率减小，由于人眼也不易察觉，因此对显示效果的影响较小。
本发明实施例提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
本发明实施例提供一种显示面板，由于显示面板的阵列基板中设置有热敏组件10，当手指进行触摸时，手指可以将热量传递给热敏组件10，在控制信号线CL的控制下，热敏组件10将热量转换为电流信号，并通过读取信号线RL输出，这样便可以根据控制信号线CL和读取信号线RL便可以确定手指的触控位置。由于本发明实施例中的热敏组件10设置在阵列基板的子像素中，因而实现了内嵌式触控技术。在此基础上，当所述阵列基板为AMOLED阵列基板时，可以实现内嵌式触控技术与AMOLED显示技术的结合。
优选的，如图7所示，阵列基板中的显示元件为OLED显示元件；显示面板还包括封装盖板60。
其中，当阵列基板中的显示元件为OLED显示元件时，发光器件D包括阳极30、有机材料功能层40和阴极50。
优选的，如图8所示，显示面板为顶发射型显示面板；OLED显示元件发白光；封装盖板60上设置有彩色膜层70。
其中，封装盖板60上的彩色膜层70与OLED显示元件中的有机材料功能层40对应。
当有机材料功能层40发红光、绿光或蓝光时，有机材料功能层40在蒸镀过程中需采用FMM((FineMetalMask，精密金属掩膜板)进行三次蒸镀，且FMM的蒸镀口有一定的限制，不能太小，否则会造成蒸镀口堵塞。而当OLED显示元件发白光时，有机材料功能层40在蒸镀过程中可以采用OpenMask(大开口掩膜板)进行一次蒸镀，这样有机材料功能层40便可以做的更小，从而可以有效提高OLED显示面板的分辨率。
本发明实施例提供一种如图6所示的阵列基板的制备方法，热敏组件10包括第一电极101、第二电极102及第一晶体管T1。如图9所示，所述制备方法包括：
S100、在Si(硅)衬底基板80对应每个子像素的区域，通过C-MOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺形成显示元件20的第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7以及存储电容Cst，并同步形成扫描控制线Gate、发光控制线EM、复位控制线Reset以及数据线Date。
由于在Si基板上采用C-MOS工艺，不但可以实现显示面板像素的有源寻址矩阵的制作，还可以在硅芯片上实现SRAM(StaticRandomAccessMemory，静态随机存储器)、T-CON(TimerControlRegister，时序控制电路)等多功能的驱动控制电路的制作，大大减少了器件的外部连线，增加可靠性能，实现集成轻量化，因而，本发明实施例通过C-MOS工艺形成显示元件20的第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7以及存储电容Cst，并同步形成扫描控制线Gate、发光控制线EM、复位控制线Reset以及数据线Date。将IC((IntegrateCircuit，集成电路)功能与显示功能集成一体化。
S101、在对应每个重复单元的其中一个子像素的区域，还同步形成热敏组件10的第一晶体管T1和第二电极102。
通过C-MOS工艺还可以在形成显示元件20的第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、存储电容Cst，扫描控制线Gate、发光控制线EM、复位控制线Reset以及数据线Date时，同步形成热敏组件10的第一晶体管T1和第二电极102。
其中，第二电极102的材料例如可以选自Fe、Ni、Cu、Pt等。
S102、通过构图工艺形成显示元件20的发光器件D的阳极30。
对于阳极30，可根据显示元件20的发光方式，其可以为透明或不透明，当为透明时，其材料可以为ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)，当为不透明时，可采用ITO/Ag(银)/ITO的结构。
S103、通过蒸镀工艺形成发光器件D的有机材料功能层40、阴极50以及热敏组件10的第一电极101。
其中，第一电极101的材料例如可以选自Fe、Ni、Cu、Pt等，第一电极101的材料和第二电极102的材料不同。
本发明实施例，利用C-MOS工艺在形成驱动电路(实现IC功能)的同时，形成显示元件20的除发光器件D以外的部分和热敏组件10的第一晶体管T1以及第二电极102，可将IC功能与显示功能集成一体化，同时还可以集成热敏组件10的触控功能(热敏组件10中的第一晶体管和第二电极102)，简化了阵列基板的制作工艺。
优选的，发光器件D的阴极50和热敏组件10的第一电极101同步形成。
在形成发光器件D的阳极30之后，通过蒸镀工艺形成阴极50以及热敏组件10的第一电极101之前，上述制备方法包括：
S200、如图10所示，形成像素界定层90。
其中，在阵列基板上形成像素界定层90是为了将不同的子像素分隔开。
S201、如图10所示，在像素界定层90上形成隔垫物100，其中隔垫物100靠近像素界定层90一侧的面积小于隔垫物100远离像素界定层90的面积。
由于负性胶曝光显影后的图像上宽下窄，因而优选的，隔垫物100的材料为负性胶。
此处，形成的隔垫物100靠近像素界定层90一侧的面积小于隔垫物100远离像素界定层90的面积是为了确保由于隔垫物100和像素界定层90产生的高度差，在同时蒸镀发光器件D的阴极50和热敏组件10的第一电极101时，阴极50和第一电极101可以断开。
S202、在像素界定层90和隔垫物100上形成过孔，过孔用于使热敏组件10的第一电极101和第二电极102相连。
其中，可以通过刻蚀工艺在像素界定层90和隔垫物100上形成过孔。
需要说明的是，在形成过孔后，先形成有机材料功能层40，之后再通过蒸镀工艺形成阴极50以及热敏组件10的第一电极101。
本发明实施例中，第一电极101和阴极50同时蒸镀形成，简化制作工艺。进一步地，在像素界定层90上形成隔垫物100，且隔垫物100靠近像素界定层90一侧的面积小于隔垫物100远离像素界定层90的面积，由于隔垫物100和像素界定层90产生了高度差，因此在同时蒸镀第一电极101和阴极50时，第一电极101和阴极50会断开。
本发明实施例还提供一种显示面板的驱动方法，参考图1所示，包括：在每一帧显示元件20逐行显示；还包括：在每一帧，控制信号线CL逐行控制热敏组件10开启；热敏组件10通过热电转换对手指进行识别，并将识别结果通过读取信号线RL输出，以根据控制信号线CL和读取信号线RL确定触控位置。
其中，在每一帧，显示面板既进行显示元件20的显示，又进行热敏组件10的触控。
需要说明的是，由于控制信号线CL逐行控制热敏组件10开启，则每行中与当前控制信号线CL相连的所有热敏组件10同时开启。
对于热敏组件10的具体结构，以能将热能转换为电能为准，例如热敏组件10可以为热电偶，或者，也可以为热敏传感器等。
本发明实施例提供一种上述显示面板的驱动方法，由于显示面板的阵列基板中设置有热敏组件10，在每一帧，当控制信号线CL逐行控制热敏组件10开启时，若手指对显示面板进行触摸，手指便将热量传递给热敏组件10，热敏组件10将热量转换为电流信号，并通过读取信号线RL输出，这样便可以根据控制信号线CL和读取信号线RL便可以确定手指的触控位置。由于本发明实施例中的热敏组件10设置在阵列基板的子像素中，因而实现了内嵌式触控技术。在此基础上，当所述阵列基板为AMOLED阵列基板时，可以实现内嵌式触控技术与AMOLED显示技术的结合。
优选的，如图2所示，热敏组件10包括第一电极101、第二电极102及第一晶体管T1。
控制信号线CL逐行控制热敏组件10开启，热敏组件10通过热电转换对手指进行识别，并将识别结果通过读取信号线RL输出，包括：控制信号线CL逐行输入信号，使得与当前控制信号线CL相连的第一晶体管T1导通；当手指与屏幕接触时，第一电极101和第二电极102之间产生温度差，在第一电极101和第二电极102上产生热电流，热电流通过导通的第一晶体管T1输出至读取信号线RL。
此处，由于第一电极101作为触控电极，在手指触摸时，用于接收手指的热量，因而第一电极101应设置在第二电极102的上方，且尽可能地靠近在阵列基板的上表面。
对于第一电极101和第二电极102的材料不进行限定，第一电极101和第二电极102的材料例如可以选自Fe、Ni、Cu、Pt等，第一电极101和第二电极102的材料不同。
优选的，如图3所示，显示元件20包括第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、存储电容Cst和发光器件D。
本发明实施例中的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7可以为P型晶体管，也可以为N型晶体管。本发明实施例中以所有晶体管均为P型晶体管为例进行示意。其中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7的第一极均为源极，第二极均为漏极。
此处，每一帧可以包括重置阶段、写入阶段和发光阶段。基于此，在每一帧显示元件20逐行显示包括：
如图4所示，在每一帧的重置阶段t1，复位控制线Reset逐行输入信号，第五晶体管T5导通，第一电压端ELVDD和第二电压端Vint输入电压，第三晶体管T3导通。
其中，第三晶体管T3为驱动晶体管。
具体的，在重置阶段t1，复位控制线Reset输入低电平信号，第五晶体管T5导通，第二电压端Vint输入的电压通过第五晶体管T5后，可以将第三晶体管T3的栅极和与第五晶体管T5相连接的存储电容Cst的节点a的电压升为Vint+Vth。其中，Vth为第三晶体管T3的阈值电压。当第二电压端Vint输入的电压很低时，或者为零电压时(例如，当第三晶体管T3的阈值电压Vth大于零电压时，可以将第二电压端Vint设置为零电压，以起到节点电压复位的作用)，实际写入节点a的电压为Vth。此时，存储电容Cst两端的电压为Vdd-Vint。
此处，需要说明的是，由于存储电容Cst的一端与第一电压端ELVDD连接，第一电压端ELVDD一直为存储电容Cst提供第一电压Vdd，根据存储电容CST的电荷保持原理，因此存储电容Cst与第三晶体管T3连接的一端会产生一个电压，这样该电压便可以使第三晶体管T3在写入阶段t2和发光阶段t3一直处于导通状态。
在每一帧的写入阶段t2，扫描控制线Gate逐行输入信号，第二晶体管T2和第六晶体管T6导通，数据线Date输入的数据电压通过第二晶体管T2和第六晶体管T6写入第三晶体管T3的栅极。
具体的，在写入阶段t2，扫描控制线Gate输入低电平信号，第二晶体管T2和第六晶体管T6导通，数据线Date输入的数据电压通过第二晶体管T2、第三晶体管T3和第六晶体管T6输入至第三晶体管T3的栅极，第三晶体管T3的栅极电压为Vdate+Vth。
在每一帧的发光阶段t3，发光控制线EL逐行输入信号，第四晶体管T4和第七晶体管T7导通，第一电压端ELVDD输入的信号通过第四晶体管T4、第三晶体管T3和第七晶体管T7使发光器件D发光。
具体的，在发光阶段t3，发光控制线EM输入低电平信号，第四晶体管T4和第七晶体管T7导通，第一电压端ELVDD输入电压信号，节点b的电位为Vdd。这时，流过第三晶体管T3的电流驱动发光器件D发光。由于第三晶体管T3处于饱和区，因此，可以根据饱和区晶体管的电流特性，得出流经第三晶体管T3的饱和电流为：
IOLED＝K×(VGS-Vth)2
＝K×[(VG-VS)-Vth]2
＝K×[(Vdate+Vth)-Vdd-Vth]2
＝K×(Vdate-Vdd)2
其中，K为关联于第三晶体管T3的电流常数；VGS为第三晶体管T3的栅极相对于源级的电压，即节点b相对于节点a的电压，Vth为第三晶体管T3的阈值电压。现有技术中，不同像素单元之间的Vth各不相同，且同一像素中的Vth还有可能随时间发生漂移，这将造成显示亮度差异，由于这种差异与之前显示的图像有关，因此常呈现为残影现象。
从上式可以看出，OLED的工作电流IOLED已经不受阈值电压Vth的影响，只与Vdate和Vdd有关。这样便可以避免第三晶体管T3，由于工艺制程和长时间的操作造成的阈值电压Vth漂移的问题，消除了对流过发光器件D的电流所造成的影响，显著改善了发光器件D显示亮度的均匀性，确保发光器件D的正常工作。
本发明实施例通过多个晶体管和存储电容Cst对电路进行开关和充放电控制，可以使得通过晶体管的用于驱动发光器件D的电流与晶体管的阈值电压无关，补偿了由于晶体管的阈值电压的不一致或偏移所造成的流过发光器件D的电流差异，提高了发光器件D发光亮度的均匀性，显著提升了显示元件20的显示效果。
优选的，如图5(a)和图5(b)所示，控制信号线CL为扫描控制线Gate或复位控制线Reset。
当控制信号线CL为扫描控制线Gate或复位控制线Reset时，热敏组件10可以是如图5(a)所示和扫描控制线Gate相连，或者是，如图5(b)所示和复位控制线Reset相连。
其中，由于扫描控制线Gate或复位控制线Reset在每一帧的重置阶段t1或写入阶段t2逐行进行扫描，因此在每一帧的重置阶段t1或写入阶段t2，当手指进行触摸时，热敏组件10可以对手指进行识别。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。