阵列基板及其显示驱动方法、制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及显示技术领域，具体设及一种阵列基板及其显示驱动方法、制作方法、 显示装置。
【背景技术】
[0002] 现有的内嵌式（In Cell)触控面板当中，通常将公共电极(Common 口0)既作为液 晶驱动电容的一极，又作为触摸感测器(Touch Sensor)的一部分来使用。从而，功能复用的 公共电极会被分割成块状或者条状W适应触摸感测电路的布局。然而，整面制作的公共电 极原本也是用来屏蔽底部的TFT(化in Film Transistor,薄膜晶体管）电路处的电场的，因 而公共电极在分割后留出的间隙会加大TFT电路对液晶层和触控电极的噪声干扰，而引发 各种显示类和触控类的不良。
【发明内容】
[0003] 针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种阵列基板及其显示驱动方法、制作方法、 显示装置，可W在实现内嵌式触控的情况下保障公共电极的电屏蔽特性。
[0004] 第一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括位于衬底上的晶体管器件层，其特征 在于，还包括依次层叠的第一透明导电层、第一绝缘层、第二透明导电层、第二绝缘层和第 Ξ透明导电层；
[0005] 所述第一透明导电层在显示区域内覆盖所述晶体管器件层;所述第二透明导电层 包括触控电极的图形;所述第Ξ透明导电层包括像素电极的图形；
[0006] 所述显示区域中的任一像素区域内，所述像素电极通过设置在所述第一绝缘层和 所述第二绝缘层中的过孔连接所述晶体管器件层的像素电极连接端;所述第一透明导电层 在所述过孔处设有开口。
[0007] 可选地，所述显示区域中的任一像素区域内，所述像素电极与所述第一透明导电 层交叠形成该像素区域内的第一存储电容，所述像素电极与所述触控电极交叠形成该像素 区域内的第二存储电容。
[000引可选地，所述晶体管器件层包括依次形成的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间介 质层、源漏金属层和纯化层;所述显示区域中的任一像素区域内，所述纯化层的开口暴露部 分所述源漏金属层，W形成所述像素电极连接端。
[0009] 第二方面，本发明还提供了一种上述任意一种的阵列基板的显示驱动方法，包括：
[0010] 在显示阶段内，向所述第二透明导电层中的触控电极和所述第一透明导电层施加 公共电压；
[0011] 在触控阶段内，向所述第二透明导电层中的触控电极施加触控电压信号，或者接 收来自所述第二透明导电层中的触控电极的触摸感测信号；
[0012] 其中，每一帖内的所述显示阶段与所述触控阶段在时间上分开。
[0013] 可选地，所述显示驱动方法还包括：
[0014] 在所述触控阶段内，向所述第一透明导电层施加公共电压。
[0015] 可选地，所述显示驱动方法还包括：
[0016] 在所述触控阶段内，将所述第Ξ透明导电层中的像素电极置为浮接状态。
[0017] 第Ξ方面，本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
[0018] 形成在显示区域内覆盖所述晶体管器件层的第一透明导电层;所述第一透明导电 层在用于连接所述晶体管器件层的像素电极连接端的过孔处设有开口；
[0019] 形成覆盖所述第一透明导电层的第一绝缘层；
[0020] 在所述第一绝缘层上形成包括触控电极的图形的第二透明导电层；
[0021] 形成覆盖所述第二透明导电层和所述第一绝缘层的第二绝缘层；
[0022] 在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中形成所述过孔；
[0023] 形成包括像素电极的图形的第Ξ透明导电层;在所述显示区域中的任一像素区域 内，所述像素电极通过所述过孔连接所述晶体管器件层的像素电极连接端。
[0024] 可选地，所述显示区域中的任一像素区域内，所述像素电极与所述第一透明导电 层交叠形成该像素区域内的第一存储电容，所述像素电极与所述触控电极交叠形成该像素 区域内的第二存储电容。
[0025] 可选地，所述在衬底上形成晶体管器件层的步骤，具体包括：
[0026] 依次形成有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间介质层、源漏金属层和纯化层；
[0027] 其中，所述显示区域中的任一像素区域内，所述纯化层的开口暴露部分所述源漏 金属层，W形成所述像素电极连接端。
[0028] 第四方面，本发明还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述任意一种的阵列 基板。
[0029] 由上述技术方案可知，本发明基于阵列基板中Ξ个透明导电层的设置，可W在显 示时将第二透明导电层中的触控电极作为公共电极使用、在触控时将板状的第一透明导电 层作为屏蔽层使用，因而可W在实现内嵌式触控的情况下保障公共电极的电屏蔽特性。进 一步地，相对于现有技术，本发明能够减少由TFT电路干扰而引发各种显示类和触控类的不 良，有利于产品良率和产品性能的提升。
【附图说明】
[0030] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作一简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发 明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可W根 据运些附图获得其他的附图。
[0031] 图1是本发明一个实施例中一种阵列基板的局部剖面结构示意图；
[0032] 图2是本发明一个实施例中一种像素区域内的存储电容的结构示意图；
[0033] 图3是本发明一个实施例中一种的阵列基板的显示驱动方法的步骤流程示意图；
[0034] 图4是本发明一个实施例中一种阵列基板的制作方法的步骤流程示意图。
【具体实施方式】
[0035] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例 中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是 本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员 在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0036] 图1是本发明一个实施例中一种阵列基板的局部剖面结构示意图。参见图1，该阵 列基板包括位于衬底11上的晶体管器件层12,还包括依次层叠的第一透明导电层13、第一 绝缘层14、第二透明导电层15、第二绝缘层16和第Ξ透明导电层17。其中，衬底11可W是例 如玻璃或者聚酷亚胺等材料形成的板状结构，主要用于提供阵列基板中其他结构所需要的 制作表面和结构支撑;晶体管器件层12是阵列基板中主要用于在外部信号的驱动下为像素 电极提供数据电压信号的层结构，其可W包含有若干个晶体管（比如薄膜晶体管)并具有一 定的内部电路连接关系。此外，上述第一透明导电层13、第二透明导电层15和第Ξ透明导电 层17均是由透明导电材料形成的层结构，并均可W由图案化工艺而具有至少一种的图形。 具体来说，上述第二透明导电层15包括触控电极的图形(比如在电容式触控模式下，该触控 电极可W是两种延伸方向相互交叉的线状电极中的一种），第Ξ透明导电层17包括像素电 极的图形（比如在水平转换模式IPS的液晶显示下，分别在每一像素区域内设置的条状电 极）。而且可W理解的是，第一绝缘层14设置在第一透明导电层13与第二透明导电层14之 间，其形成材料所具有的电绝缘特性可W保持第一透明导电层13与第二透明导电层14之间 的电绝缘;第二绝缘层16设置在第二透明导电层15与第Ξ透明导电层17之间，其形成材料 所具有的电绝缘特性可W保持第二透明导电层15与第Ξ透明导电层17之间的电绝缘。
[0037] 而未在图中示出的是，用于显示装置的阵列基板在主平面上分为显示区域(排布 有若干个像素区域的一整片区域，即AA--Ative Area,有效显示区域)和非显示区域（显 示区域W外的区域），且通常情况下显示区域的边界呈一封闭图形，而非显示区域围绕着显 示区域设置。本发明实施例中，上述第一透明导电层13在阵列基板的显示区域内覆盖晶体 管器件层12。而且在显示区域中的任一像素区域内，包含于上述第Ξ透明导电层17的像素 电极通过设置在第一绝缘层14和第二绝缘层16中的过孔H1连接晶体管器件层12的像素电 极连接端P1，同时第一透明导电层13在该过孔H1处也设有开口 W保持与第Ξ透明导电层17 之间的电绝缘。可W理解的是，本发明实施例中晶体管器件层12上暴露有用于连接像素电 极的开口（即像素电极连接端P1)，而第一绝缘层14和第二绝缘层16中也设有将第Ξ透明导 电层17中的像