微型发光二极管装置的制作方法

技术特征：

1.一种微型发光二极管装置，其特征在于，所述微型发光二极管装置包含：

接收基板；以及

微型发光二极管，其包含：

第一型半导体层；

第二型半导体层，其连接所述第一型半导体层；

电流控制层，其与所述第一型半导体层以及所述第二型半导体层其中一个连接，其中所述电流控制层具有至少一个开口；

至少一个反射层，其电性耦接所述第一型半导体层；以及

至少一个第一电极，其设置于所述反射层的表面上，其中所述表面朝向所述接收基板；

其中所述第一电极与所述接收基板形成粘着接合系统。

2.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述粘着接合系统的接合温度低于所述反射层的熔点。

3.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述接收基板包含接合电极，所述接合电极与所述第一电极形成所述粘着接合系统。

4.如权利要求3所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述粘着接合系统为由所述接合电极与所述第一电极形成的共晶系统、焊接接面、过渡性液相烧结系统或导电粘着接合系统，且所述粘着接合系统的接合温度为所述共晶系统的共晶点、所述焊接接面的焊接点、所述过渡性液相烧结系统的烧结点或所述导电粘着接合系统的导电粘着接合温度。

5.如权利要求3所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述第一型半导体层通过所述电流控制层的所述开口电性耦接所述第一电极，且所述第一电极与所述接合电极的接触面积大于所述开口的尺寸。

6.如权利要求3所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述接合电极是金属层、透明导电层或导电粘着层。

7.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述第一电极是金属层或导电粘着层。

8.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，多个所述反射层共同堆叠。

9.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，多个所述第一电极共同堆叠。

10.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述电流控制层为介电层。

11.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述微型发光二极管包含第二电极，其电性耦接所述第二型半导体层，且所述第一型半导体层与所述第二型半导体层其中一个通过所述电流控制层的所述开口对应地电性耦接所述第一电极与所述第二电极其中一个。

12.如权利要求11所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述第一型半导体层与所述第二型半导体层其中一个具有电阻率ρ_s与厚度t_s，所述第一型半导体层与所述第二型半导体层的另一个具有电阻率ρ_o与厚度t_o，且

13.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述反射层由金属形成。

14.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述微型发光二极管包含：

主动层，其设置于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间，其中所述电流控制层设置于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层其中一个的至少一部分与所述主动层之间。

15.如权利要求14所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述电流控制层与所述主动层接触。

16.如权利要求14所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述电流控制层设置于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层其中一个内且不与所述主动层接触。

17.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述微型发光二极管包含：

额外的电流控制层，其与所述第一型半导体层与所述第二型半导体层的另一个连接且具有至少一个开口。

18.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述微型发光二极管包含欧姆接触层，其设置于所述第一型半导体层与所述反射层之间。

19.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述微型发光二极管包含第二电极以及欧姆接触层，其中所述第二电极电性连接所述第二型半导体层，所述欧姆接触层设置于所述第二电极与所述第二型半导体层之间。

20.一种微型发光二极管，其特征在于，所述微型发光二极管包含：

第一型半导体层；

第二型半导体层，其连接所述第一型半导体层；

电流控制层，其与所述第一型半导体层以及所述第二型半导体层其中一个连接，其中所述电流控制层具有至少一个开口；

至少一个反射层，其电性耦接所述第一型半导体层；以及

至少一个第一电极，其设置于所述反射层的表面上，其中所述表面朝向接收基板；

其中所述第一电极与所述接收基板形成粘着接合系统。

21.如权利要求20所述的微型发光二极管，其特征在于，所述粘着接合系统的接合温度低于所述反射层的熔点。

22.如权利要求21所述的微型发光二极管，其特征在于，所述粘着接合系统为共晶系统、焊接接面、过渡性液相烧结系统或导电粘着接合系统，且所述粘着接合系统的接合温度为所述共晶系统的共晶点、所述焊接接面的焊接点、所述过渡性液相烧结系统的烧结点或所述导电粘着接合系统的导电粘着接合温度。