本发明涉及电子元件制备技术领域，特别是一种压敏电阻的固液结合式制备方法。
背景技术：
压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。其最大特点是当加在它上面的电压低于它的阀值时，流过它的电流极小，相当于一只关死的阀门，当电压超过时，它的阻值变小，这样就使得流过它的电流激增而对其他电路的影响变化不大从而减小过电压对后续敏感电路的影响。利用这一功能，可以抑制电路中经常出现的异常过电压，保护电路免受过电压的损害。
压敏电阻的制备多采用固相煅烧或液相胶体的方法进行制备，但是两类方法各有缺陷，固相煅烧的稳定性不够好，而液相方法在实际生产中实现性较差。
技术实现要素：
本发明的目的是为解决现有技术中的问题，公开了一种压敏电阻的固液结合式制备方法。
为实现上述目的，本发明公开了一种压敏电阻的固液结合式制备方法，按质量百分比取54%的ZnO、35%的TiO2、3.7% 的Sb2O3 、3.3%的ZrO2、2.8% MnO2、1.2%的SiC，其具体制备步骤为：
（1）将ZnO和TiO2混合，加入等质量的纯水后搅拌3-5分钟，再置入搅拌研磨设备中研磨2-3小时后，置入真空烘箱中烘干10-15分钟后得到混合料1；
（2）将Sb2O3 、ZrO2、MnO2和SiC混合，用混合物质量两倍的46%浓度的聚乙二醇溶液溶解，密闭超声10-15分钟后，再加入37%浓度的醋酸溶液并充分搅拌20-30分钟，再静置12-15小时，得到湿凝胶，再将湿凝胶置入真空烘箱中烘干15-20分钟后得到干胶2；
（3）将混合料1和干胶2混合置入球磨机中研磨18-24小时，设定筒体转速为20-30rpm，研磨完成后置入压型机中压制成30×30mm的方片，再置入烧结窑中进行烧结。
本发明的优点和积极效果是：
本发明方法结合固相和液相的制备方法，兼具了两种方法的优点，制备出的压敏电阻不仅稳定性好，而且其制备工艺过程也能满足工业生产要求。
具体实施方式
具体实施例一：
一种压敏电阻的固液结合式制备方法，按质量百分比取54%的ZnO、35%的TiO2、3.7% 的Sb2O3 、3.3%的ZrO2、2.8% MnO2、1.2%的SiC，其具体制备步骤为：
（1）将ZnO和TiO2混合，加入等质量的纯水后搅拌3分钟，再置入搅拌研磨设备中研磨2小时后，置入真空烘箱中烘干10分钟后得到混合料1；
（2）将Sb2O3 、ZrO2、MnO2和SiC混合，用混合物质量两倍的46%浓度的聚乙二醇溶液溶解，密闭超声10分钟后，再加入37%浓度的醋酸溶液并充分搅拌20分钟，再静置12小时，得到湿凝胶，再将湿凝胶置入真空烘箱中烘干15分钟后得到干胶2；
（3）将混合料1和干胶2混合置入球磨机中研磨18小时，设定筒体转速为20rpm，研磨完成后置入压型机中压制成30×30mm的方片，再置入烧结窑中进行烧结。
具体实施例二：
一种压敏电阻的固液结合式制备方法，按质量百分比取54%的ZnO、35%的TiO2、3.7% 的Sb2O3 、3.3%的ZrO2、2.8% MnO2、1.2%的SiC，其具体制备步骤为：
（1）将ZnO和TiO2混合，加入等质量的纯水后搅拌5分钟，再置入搅拌研磨设备中研磨3小时后，置入真空烘箱中烘干15分钟后得到混合料1；
（2）将Sb2O3 、ZrO2、MnO2和SiC混合，用混合物质量两倍的46%浓度的聚乙二醇溶液溶解，密闭超声15分钟后，再加入37%浓度的醋酸溶液并充分搅拌30分钟，再静置15小时，得到湿凝胶，再将湿凝胶置入真空烘箱中烘干20分钟后得到干胶2；
（3）将混合料1和干胶2混合置入球磨机中研磨24小时，设定筒体转速为30rpm，研磨完成后置入压型机中压制成30×30mm的方片，再置入烧结窑中进行烧结。
具体实施例三：
一种压敏电阻的固液结合式制备方法，按质量百分比取54%的ZnO、35%的TiO2、3.7% 的Sb2O3 、3.3%的ZrO2、2.8% MnO2、1.2%的SiC，其具体制备步骤为：
（1）将ZnO和TiO2混合，加入等质量的纯水后搅拌4分钟，再置入搅拌研磨设备中研磨2.5小时后，置入真空烘箱中烘干13分钟后得到混合料1；
（2）将Sb2O3 、ZrO2、MnO2和SiC混合，用混合物质量两倍的46%浓度的聚乙二醇溶液溶解，密闭超声13分钟后，再加入37%浓度的醋酸溶液并充分搅拌25分钟，再静置14小时，得到湿凝胶，再将湿凝胶置入真空烘箱中烘干18分钟后得到干胶2；
（3）将混合料1和干胶2混合置入球磨机中研磨21小时，设定筒体转速为25rpm，研磨完成后置入压型机中压制成30×30mm的方片，再置入烧结窑中进行烧结。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。