半导体装置的制作方法

技术总结
本发明提供一种半导体装置。为了使半导体装置高耐压化，优选扩展电极端子与其它金属部分的爬电距离和空间距离。所述半导体装置具备半导体元件；壳体部，其收纳半导体元件；以及外部端子，其设置于壳体部的正面，在壳体部的正面形成有从正面突出的壁部和设置于被壁部包围的区域，且相对于正面凹陷的凹部，外部端子配置于凹部的底面。

技术研发人员：堀元人;池田良成
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
文档号码：201610560742
技术研发日：2016.07.15
技术公布日：2017.03.22