本发明属于电子元器件的加工工艺领域，更具体地说，本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器的TFT加工工艺。
背景技术：
：液晶的制造工艺可以分为前工序工艺和后工序工艺两部分。前工序工艺包括薄膜场效应晶体管阵列玻璃基板和彩色滤光玻璃基板的制作工艺，然后是灌注液晶并且封口；后工序工艺首先要检测液晶盒，随后组装背光源、光学元件和驱动电子元件，最后进行包装。目前薄膜晶体管液晶显示器的TFT加工工艺存在着生产效率低的问题。技术实现要素：本发明所要解决的问题是提供一种薄膜晶体管液晶显示器的TFT加工工艺。为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种薄膜晶体管液晶显示器的TFT加工工艺，包括如下步骤：（1）玻璃基板的清洗首先将玻璃基板用甲苯和油脂清洗，接着用丙酮清洗残余油脂和甲苯，然后再用乙醇溶解玻璃基板；表面的丙酮，最后用水清洗玻璃基板；（2）烘干清洗完毕后要将玻璃基板；置于净化烘箱中进行加热，所述净化烘箱的温度为110-120℃，所述烘干的时间为1-3h；（3）覆光刻胶接着调整光刻胶的粘度，然后通过胶辊将调整粘度的光刻胶均匀的涂在玻璃基板上；（4）再烘干接着将玻璃基板用红外线照射，照射的范围为从玻璃交界面开始到两侧，所述烘干的时间为20-40min；（5）曝光将光刻板放置于版框上通过显微镜初对位，光刻板两侧标记与显微镜十字叉丝重合后锁紧定版夹，初调好的版框图形面向下放在曝光机框，接着在框架上取烘干后玻璃基板，脚面朝上放在曝光平台，用定位销定位；（6）显影将曝光后的玻璃基板置于显影槽中，显影液通过摇摆的喷头喷洒上去，显现图形后，接着玻璃基板通过水洗将显影液冲洗干净；（7）刻蚀用酸液将ITO膜腐蚀掉，得到相应的ITO电极图形，接着通过丝印、取向膜的印刷和喷洒垫料后形成TFT。优选的，所述步骤（1）中水清洗后再用超声波清洗，所述超声波清洗的时间为10-20min。优选的，所述步骤（3）中覆光刻胶时的温度为19-25℃，所述覆光刻胶时的湿度为60-70%。优选的，所述步骤（5）中曝光前先打开曝光机的紫外线预热稳定。优选的，所述预热稳定的时间为10-30min。优选的，所述步骤（7）中酸液为HCl、HNO3和水的混合液。优选的，所述步骤（7）中刻蚀的温度为40-60℃，所述刻蚀的时间为10-20min。优选的，所述刻蚀后进行去膜和清洗，方法是用碱液冲洗并刷擦玻璃表面，将玻璃表面的残余的光刻胶除掉。有益效果：本发明提供了一种薄膜晶体管液晶显示器的TFT加工工艺，所述水清洗后再用超声波清洗，可以除掉玻璃表面的杂质和油污，所述覆光刻胶时的温度以及湿度的确定，可以使胶与玻璃表面黏附良好，减少其脱落现象和出现图形缺陷的问题，所述曝光前先打开曝光机的紫外线预热稳定，可以增加其曝光效率，所述酸液为HCl、HNO3和水的混合液，可以起到腐蚀掉ITO膜，但不损坏玻璃和光刻胶的作用，所述刻蚀的温度和时间的确定，可以提高刻蚀效果。采用此种加工工艺加工出来的薄膜晶体管液晶显示器的TFT具有生产效率好和开口率高的优点，市场潜力巨大，前景广阔。具体实施方式实施例1：一种薄膜晶体管液晶显示器的TFT加工工艺，包括如下步骤：（1）玻璃基板的清洗首先将玻璃基板用甲苯和油脂清洗，接着用丙酮清洗残余油脂和甲苯，然后再用乙醇溶解玻璃基板；表面的丙酮，最后用水清洗玻璃基板，水清洗后再用超声波清洗，所述超声波清洗的时间为10min；（2）烘干清洗完毕后要将玻璃基板；置于净化烘箱中进行加热，所述净化烘箱的温度为110℃，所述烘干的时间为1h；（3）覆光刻胶接着调整光刻胶的粘度，然后通过胶辊将调整粘度的光刻胶均匀的涂在玻璃基板上，覆光刻胶时的温度为19℃，所述覆光刻胶时的湿度为60%；（4）再烘干接着将玻璃基板用红外线照射，照射的范围为从玻璃交界面开始到两侧，所述烘干的时间为20min；（5）曝光曝光前先打开曝光机的紫外线预热稳定，所述预热稳定的时间为10min，接着将光刻板放置于版框上通过显微镜初对位，光刻板两侧标记与显微镜十字叉丝重合后锁紧定版夹，初调好的版框图形面向下放在曝光机框，接着在框架上取烘干后玻璃基板，脚面朝上放在曝光平台，用定位销定位；（6）显影将曝光后的玻璃基板置于显影槽中，显影液通过摇摆的喷头喷洒上去，显现图形后，接着玻璃基板通过水洗将显影液冲洗干净；（7）刻蚀用酸液将ITO膜腐蚀掉，所述酸液为HCl、HNO3和水的混合液，得到相应的ITO电极图形，所述刻蚀的温度为40-60℃，所述刻蚀的时间为10min，刻蚀后进行去膜和清洗，方法是碱液冲洗并刷擦玻璃表面，将玻璃表面的残余的光刻胶除掉，接着通过丝印、取向膜的印刷和喷洒垫料后形成TFT。实施例2：一种薄膜晶体管液晶显示器的TFT加工工艺，包括如下步骤：（1）玻璃基板的清洗首先将玻璃基板用甲苯和油脂清洗，接着用丙酮清洗残余油脂和甲苯，然后再用乙醇溶解玻璃基板；表面的丙酮，最后用水清洗玻璃基板，水清洗后再用超声波清洗，所述超声波清洗的时间为15min；（2）烘干清洗完毕后要将玻璃基板；置于净化烘箱中进行加热，所述净化烘箱的温度为115℃，所述烘干的时间为2h；（3）覆光刻胶接着调整光刻胶的粘度，然后通过胶辊将调整粘度的光刻胶均匀的涂在玻璃基板上，覆光刻胶时的温度为22℃，所述覆光刻胶时的湿度为65%；（4）再烘干接着将玻璃基板用红外线照射，照射的范围为从玻璃交界面开始到两侧，所述烘干的时间为30min；（5）曝光曝光前先打开曝光机的紫外线预热稳定，所述预热稳定的时间为20min，接着将光刻板放置于版框上通过显微镜初对位，光刻板两侧标记与显微镜十字叉丝重合后锁紧定版夹，初调好的版框图形面向下放在曝光机框，接着在框架上取烘干后玻璃基板，脚面朝上放在曝光平台，用定位销定位；（6）显影将曝光后的玻璃基板置于显影槽中，显影液通过摇摆的喷头喷洒上去，显现图形后，接着玻璃基板通过水洗将显影液冲洗干净；（7）刻蚀用酸液将ITO膜腐蚀掉，所述酸液为HCl、HNO3和水的混合液，得到相应的ITO电极图形，所述刻蚀的温度为50℃，所述刻蚀的时间为15min，刻蚀后进行去膜和清洗，方法是用碱液冲洗并刷擦玻璃表面，将玻璃表面的残余的光刻胶除掉，接着通过丝印、取向膜的印刷和喷洒垫料后形成TFT。实施例3一种薄膜晶体管液晶显示器的TFT加工工艺，包括如下步骤：（1）玻璃基板的清洗首先将玻璃基板用甲苯和油脂清洗，接着用丙酮清洗残余油脂和甲苯，然后再用乙醇溶解玻璃基板；表面的丙酮，最后用水清洗玻璃基板，水清洗后再用超声波清洗，所述超声波清洗的时间为20min；（2）烘干清洗完毕后要将玻璃基板；置于净化烘箱中进行加热，所述净化烘箱的温度为120℃，所述烘干的时间为3h；（3）覆光刻胶接着调整光刻胶的粘度，然后通过胶辊将调整粘度的光刻胶均匀的涂在玻璃基板上，覆光刻胶时的温度为25℃，所述覆光刻胶时的湿度为70%；（4）再烘干接着将玻璃基板用红外线照射，照射的范围为从玻璃交界面开始到两侧，所述烘干的时间为40min；（5）曝光曝光前先打开曝光机的紫外线预热稳定，所述预热稳定的时间为30min，接着将光刻板放置于版框上通过显微镜初对位，光刻板两侧标记与显微镜十字叉丝重合后锁紧定版夹，初调好的版框图形面向下放在曝光机框，接着在框架上取烘干后玻璃基板，脚面朝上放在曝光平台，用定位销定位；（6）显影将曝光后的玻璃基板置于显影槽中，显影液通过摇摆的喷头喷洒上去，显现图形后，接着玻璃基板通过水洗将显影液冲洗干净；（7）刻蚀用酸液将ITO膜腐蚀掉，所述酸液为HCl、HNO3和水的混合液，得到相应的ITO电极图形，所述刻蚀的温度为60℃，所述刻蚀的时间为20min，刻蚀后进行去膜和清洗，方法是用碱液冲洗并刷擦玻璃表面，将玻璃表面的残余的光刻胶除掉，接着通过丝印、取向膜的印刷和喷洒垫料后形成TFT。经过以上方法后，分别取出样品，测量结果如下：检测项目实施例1实施例2实施例3现有指标灰度级数（万色）22262418开口率（%）86878580响应时间（ms）4357根据上述表格数据可以得出，当实施例2参数时加工后的薄膜晶体管液晶显示器的TFT比现有技术加工后的薄膜晶体管液晶显示器的灰度级数高，且开口率有所增加和响应时间也有所减少，此时更有利于薄膜晶体管液晶显示器的TFT的加工。本发明提供了一种薄膜晶体管液晶显示器的TFT加工工艺，所述水清洗后再用超声波清洗，可以除掉玻璃表面的杂质和油污，所述覆光刻胶时的温度以及湿度的确定，可以使胶与玻璃表面黏附良好，减少其脱落现象和出现图形缺陷的问题，所述曝光前先打开曝光机的紫外线预热稳定，可以增加其曝光效率，所述酸液为HCl、HNO3和水的混合液，可以起到腐蚀掉ITO膜，但不损坏玻璃和光刻胶的作用，所述刻蚀的温度和时间的确定，可以提高刻蚀效果。采用此种加工工艺加工出来的薄膜晶体管液晶显示器的TFT具有生产效率好和开口率高的优点，市场潜力巨大，前景广阔。以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
技术领域：
，均同理包括在本发明的专利保护范围内。当前第1页1 2 3