1.一种可调控制栅增加ILD填充窗口的工艺方法，其特征在于，包括：
步骤S1：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一单元存储区域和外围器件区域；
步骤S2：在半导体基底表面沉积第一多晶硅栅层；
步骤S3：在第一多晶硅栅层表面生长一层氧化硅阻挡层；
步骤S4：在氧化硅阻挡层表面进行光刻胶涂布和显影，露出外围器件区域，仅刻蚀去除外围器件区域的氧化硅阻挡层，去除剩余的光刻胶；
步骤S5：在单元存储区域的氧化硅阻挡层和外围器件区域的第一多晶硅栅层表面沉积第二多晶硅栅层；
步骤S6：在第二多晶硅栅层表面进行光刻胶涂布和显影，露出单元存储区域，刻蚀去除仅单元存储区域的第二多晶硅栅层，去除剩余的光刻胶；
步骤S7：刻蚀去除剩余的氧化硅阻挡层；
步骤S8：在单元存储区域和外围器件区域的多晶硅栅表面进行光刻胶涂布和显影，经过干法刻蚀形成最终的双多晶硅栅结构。
2.根据权利要求1所述的可调控制栅增加ILD填充窗口的工艺方法，其特征在于，所述步骤2中形成的第一多晶硅栅层厚度，取决于单元存储区域的控制栅的厚度，取值范围为100埃～2500埃。
3.根据权利要求1所述的可调控制栅增加ILD填充窗口的工艺方法，其特征在于，所述步骤2中采用炉管工艺在半导体基底表面沉积第一多晶硅栅层。
4.根据权利要求1所述的可调控制栅增加ILD填充窗口的工艺方法，其特征在于，所述步骤3中形成的氧化硅阻挡层厚度在50埃～500埃。
5.根据权利要求1所述的可调控制栅增加ILD填充窗口的工艺方法，其特征在于，所述氧化硅阻挡层作为去除所述单元存储区域多晶硅栅层的阻挡层，其生长的工艺方法为ISSG、炉管、RTO或CVD。
6.根据权利要求1所述的可调控制栅增加ILD填充窗口的工艺方法，其特征在于，所述步骤4中采用的光刻胶为负胶或者正胶，去除所述外围炉管区域氧化硅阻挡层的工艺为湿法刻蚀工艺。
7.根据权利要求1所述的可调控制栅增加ILD填充窗口的工艺方法，其特征在于，步骤5中的所述在单元存储区域的氧化硅阻挡层和外围器件区域的第一多晶硅栅层表面沉积第二多晶硅栅层的厚度取决于所述第一多晶硅栅层的厚度及所述外围器件区域多晶硅栅层的厚度需求，取值范围为100埃～2500埃。
8.根据权利要求1所述的可调控制栅增加ILD填充窗口的工艺方法，其特征在于，所述步骤5中采用炉管工艺在单元存储区域的氧化硅阻挡层和外围器件区域的第一多晶硅栅层表面沉积第二多晶硅栅层。
9.根据权利要求1所述的可调控制栅增加ILD填充窗口的工艺方法，其特征在于，所述步骤6中采用的光刻胶为负胶或者正胶，所述单元存储区域的第二多晶硅栅层采用干法刻蚀工艺去除。
10.根据权利要求1所述的可调控制栅增加ILD填充窗口的工艺方法，其特征在于，在所述步骤7中，采用湿法刻蚀工艺去除剩余氧化硅阻挡层。