技术特征：
技术总结
本发明提供一种Y‑Sb‑Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Y‑Sb‑Te相变材料为包括钇、锑及碲三种元素的化合物，所述Y‑Sb‑Te相变材料的化学式为Y100‑x‑ySbxTey，其中0<100‑x‑y<50，0.1≤ x/y ≤ 4。本发明的用于相变存储器的YSbTe系列相变材料具有较快的结晶速度及较高的沉积态稳定性，其在电脉冲作用下可以实现可逆相变，相变前后有电阻高低差异之分，差值较大，可以分辨出“0”、“1”，是一种理想的相变材料，可用于制备相变存储器单元。所述YSbTe系列相变材料可采用多种方法制备，其中磁控溅射法比较灵活，可以方便制得组分可调、质量较高的Y100‑x‑ySbxTey复合薄膜。
技术研发人员：王勇;饶峰;宋志棠;吴良才;丁科元;李涛
受保护的技术使用者：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
技术研发日：2016.08.22
技术公布日：2018.03.06