柔性显示器及其制造方法与流程

技术领域

描述的技术总体涉及一种柔性显示器及其制造方法，更具体地，涉及一种具有弯曲区域的柔性显示装置。

背景技术：

因为有机发光二极管(OLED)显示器是自发光的，所以与液晶显示器(LCD)相比，它们不需要单独的光源。这可以实现制造与LCD相比相对薄且质轻的OLED显示器。另外，OLED显示器具有诸如低功耗、高亮度、快响应速度等的其他高品质的特性。

OLED显示器包括基板、形成在基板上的薄膜晶体管、由薄膜晶体管控制的OLED和形成在薄膜晶体管的电极之间的多个绝缘层。最近，已经开发了包括其中形成有弯曲区域的柔性基板的柔性OLED显示器。

在此背景技术部分公开的上述信息仅意图促进对描述的技术的背景的理解，因此它可能包含不形成对于本领域普通技术人员来说在本国已经知道的现有技术的信息。

技术实现要素：

一个发明构思是一种可以抑制由于柔性显示器沿弯曲区域的弯曲导致的绝缘层中的破裂和破裂蔓延的柔性显示器及其制造方法。

另一方面是一种柔性显示装置，所述柔性显示装置包括：柔性基板，包括弯曲区域；绝缘层，设置在柔性基板上；槽，位于弯曲区域内的绝缘层中；应力缓和层，设置在槽上；以及多条布线，设置在绝缘层和应力缓和层上。

柔性基板还可以包括显示区域，弯曲区域可以位于显示区域的外部。柔性显示装置还可以包括位于显示区域中的显示单元。多条布线可以电连接到显示单元。应力缓和层可以接触柔性基板。

弯曲区域可以基于弯曲轴弯曲，绝缘层的槽可以沿平行于弯曲轴的方向延伸。绝缘层的槽可以形成为多个，并且多个槽可以沿多条布线的长度方向彼此分隔开。

应力缓和层的顶表面和绝缘层的顶表面可以位于距离柔性基板的表面相同的高度处。绝缘层可以包括堆叠在柔性基板上的多个无机层，绝缘层的槽可以位于包括多个无机层的最顶部的无机层的至少一个无机层中。

多个无机层可以包括阻挡层、缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层中的至少两个。多条布线可以被有机层覆盖。应力缓和层可以包括有机绝缘材料。

另一方面是一种柔性显示装置，所述柔性显示装置包括柔性基板、无机绝缘层、槽、有机绝缘层和多条布线。柔性基板可以包括显示单元位于其中的显示区域和位于显示区域外部的弯曲区域。无机绝缘层可以设置在柔性基板上。槽可以位于弯曲区域内的无机绝缘层中。有机绝缘层可以设置在槽上。多条布线可以电连接到显示单元，并且可以分别包括设置在无机绝缘层的顶表面上的第一部分和设置在有机绝缘层的顶表面上的第二部分。

第一部分和第二部分可以位于距离柔性基板的表面相同的高度处。弯曲区域可以基于弯曲轴弯曲，无机绝缘层的槽可以沿平行于弯曲轴的方向延伸。

有机绝缘层可以接触柔性基板。无机绝缘层可以包括顺序地堆叠在柔性基板上的阻挡层、缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层。无机绝缘层的槽可以位于阻挡层、缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层中的至少一个中。

另一方面是柔性显示装置的制造方法，所述方法包括：在柔性基板的显示区域和非显示区域中形成绝缘层；在非显示区域内的绝缘层中形成槽；通过将有机绝缘材料填充到槽中来形成应力缓和层；在非显示区域内的绝缘层和应力缓和层上形成多条布线；以及通过使非显示区域的至少一部分弯曲来形成弯曲区域。

可以基于弯曲轴使弯曲区域弯曲，并且绝缘层的槽可以沿平行于弯曲轴的方向延伸。

应力缓和层的顶表面和绝缘层的顶表面可以位于距离柔性基板的表面相同的高度处。绝缘层可以包括堆叠在柔性基板上的多个无机层，绝缘层的槽可以位于包括多个无机层的最顶部的无机层的至少一个无机层中。

根据至少一个实施例，能够通过减小柔性显示装置的弯曲区域上的应力来减少或防止柔性显示装置的绝缘层中的破裂和破裂的蔓延。此外，能够通过使用应力缓和层提供布线形成在其上的平坦表面来防止台阶形状发生在布线中，从而可以防止布线之间的短路。

附图说明

图1示出根据示例性实施例的柔性显示器的示意性透视图。

图2示出根据示例性实施例的柔性显示器的示意性剖视图。

图3示出处于展开构造的图1中示出的柔性显示器的示意性透视图。

图4示出图2中示出的柔性显示器的示例性变化的剖视图。

图5A示出图3中示出的柔性显示器的显示单元的放大剖视图。

图5B、图5C和图5D分别示出图5A的示例性变化。

图6示出图3中示出的柔性显示器的弯曲区域的放大剖视图。

图7A示出图6中示出的弯曲区域的第一示例性变化的放大剖视图。

图7B示出图6中示出的弯曲区域的第二示例性变化的放大剖视图。

图7C示出图6中示出的弯曲区域的第三示例性变化的放大剖视图。

图7D示出图6中示出的弯曲区域的第四示例性变化的放大剖视图。

图8示出与对比示例对应的柔性显示器的弯曲区域的放大剖视图。

图9示出根据示例性实施例的柔性显示器的制造方法的流程图。

图10A示出处于图9中示出的第一步骤的柔性显示器的示意性剖视图。

图10B示出处于图9中示出的第二步骤的柔性显示器的示意性剖视图。

图10C示出处于图9中示出的第三步骤的柔性显示器的示意性剖视图。

图10D示出处于图9中示出的第四步骤的柔性显示器的示意性剖视图。

图10E示出处于图9中示出的第五步骤的柔性显示器的示意性剖视图。

具体实施方式

在下文中将参照示出本公开的示例性实施例的附图更充分地描述本公开。如本领域技术人员将认识到的，在全部不脱离本公开的精神或范围的情况下，描述的实施例可以以各种不同的方式修改。

在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接地在其他元件上或者也可以存在中间元件。此外，词语“在……上”意味着位于物体上或下方，并且不必意味着基于物体的相对于重力方向的方向位于物体的上侧上。

在整个说明书中，除非明确地描述为相反，否则词语“包括”将理解为意味着包括陈述的元件，但不排除任何其他元件。在附图中，为了清楚的目的，可以夸大各个元件的尺寸和厚度，本公开不必限制于如此描述的尺寸和厚度。

图1和图2分别示出根据示例性实施例的柔性显示器的示意性透视图和示意性剖视图。图3示出处于展开构造的图1中示出的柔性显示器的示意性透视图。

参照图1至图3，柔性显示器100包括柔性基板110、显示单元120、绝缘层130、应力缓和层140和设置在柔性基板110上的多条布线150。此外，柔性显示器100还可以包括覆晶薄膜(chip on film，COF)160(或柔性印刷电路(FPC))和印刷电路板(PCB)170。

柔性基板110可以由包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚丙烯酸酯中的至少一种的有机材料形成。柔性基板110可以是可弯曲的并且可以是透光的。

柔性基板110包括显示单元120内的显示区域(DA)。显示单元120包括多个像素，并且可以通过从像素PX发射的光的组合显示图像。每个像素PX包括像素电路和有机发光二极管(OLED)。像素电路包括至少两个薄膜晶体管和至少一个存储电容器，并且可以控制从OLED的光的发射。将在下面描述显示单元120的详细结构。

柔性基板110包括弯曲区域(BA)。柔性基板110包括围绕显示区域(DA)的非显示区域(NDA)，弯曲区域(BA)可以被包括在非显示区域中。例如，弯曲区域(BA)可以是包括在非显示区域中的焊盘区域。

多个焊盘电极180在焊盘区域中设置在柔性基板110的边缘上。多条布线150设置在焊盘区域上，并且布线150将分别位于显示单元120中的多条信号线(例如，扫描线、数据线、驱动电压线等)电连接到多个焊盘电极180。

焊盘电极180连接到覆晶薄膜160的输出布线部分161，覆晶薄膜160的输入布线部分162连接到印刷电路板(PCB)170的输出布线部分171。在图2中，附图标记163表示安装在覆晶薄膜160上的驱动芯片。印刷电路板(PCB)170将用于控制驱动芯片163的控制信号输出到覆晶薄膜160。覆晶薄膜160将各种信号和功率输出到焊盘电极180，以显示图像。

当焊盘区域布置为与显示区域(DA)平行(参照图3)时，显示单元120外部的无效空间增大。本示例性实施例的柔性显示器100的焊盘区域可以被弯曲以形成弯曲区域(BA)。然后，因为柔性基板110的焊盘电极180位于其上的边缘在显示区域(DA)的背侧处与显示区域(DA)叠置，所以可以使显示单元120外部的无效空间减小或最小化。

弯曲区域(BA)相对于弯曲轴(BX)弯曲(参照图2)。弯曲区域(BA)的曲率的中心位于弯曲轴(BX)处。参照图1和图2，弯曲轴(BX)平行于y轴。

绝缘层(或无机绝缘层)130设置在整个柔性基板110上，布线150设置在绝缘层130上。绝缘层130设置在包括在显示单元120中的电极之间，以使电极彼此电绝缘。绝缘层130可以包括诸如阻挡层、缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层等的多个层，并且可以包括诸如氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiN_x)的无机材料。布线150包括金属。

绝缘层130与布线150相比可以具有相当小的柔性，并且会是脆性的，导致当被施以外力时绝缘层130易被损坏。因此，弯曲区域(BA)的绝缘层130会被由弯曲引起的拉伸力损坏，从而会形成裂纹，最初发生的裂纹会蔓延到绝缘层130的其他区域。绝缘层130中的裂纹会导致布线150中的断路，这导致了柔性显示器100中的显示缺陷。

在至少一个示例性实施例的柔性显示器100中，绝缘层130包括位于弯曲区域(BA)中的槽(GR)，应力缓和层(或有机绝缘层)140设置在绝缘层130的槽(GR)上。槽(GR)和应力缓和层140可以沿平行于弯曲轴(BX)的方向(y轴方向)延伸。图2示出了一个槽(GR)和一个应力缓和层140位于绝缘层130中的示例性实施例。

图4示出了图2中示出的柔性显示器的示例性变化的剖视图。在图4中，绝缘层130包括沿布线150的长度方向分别彼此分隔开的多个槽(GR)和多个应力缓和层140。槽(GR)和应力缓和层140分别沿平行于弯曲轴(BX)的方向(y轴方向)延伸。

尽管在图4中示例性地示出了两个槽(GR)和两个应力缓和层140，但是槽(GR)和应力缓和层140的数目和位置不限于图4中示出的那些。

参照图1至图4，应力缓和层140被定位为填充绝缘层130的槽(GR)，布线150设置在绝缘层130和应力缓和层140上。应力缓和层140的厚度基本等于槽(GR)的深度。因此，应力缓和层140的顶表面和绝缘层130的顶表面位于距离柔性基板110的表面基本相同的高度处，布线150在绝缘层130与应力缓和层140之间的边界处不具有高度台阶。

例如，布线150设置为从接触显示单元120的电极的一侧到接触焊盘电极180的另一侧是平坦的而不是弯曲的。这里，“弯曲”意味着在柔性基板110的厚度方向(z轴方向)上弯曲。

应力缓和层140包括与绝缘层130相比脆性较小且柔性较大的材料。例如，应力缓和层140可以包括有机绝材料，并且可以包括聚酰亚胺、丙烯酸酯和环氧树脂中的至少一种。应力缓和层140可以填充整个槽(GR)，并且紧紧地接触槽(GR)的侧壁，从而在绝缘层130与槽(GR)之间没有形成间隙。

本示例性实施例的柔性显示器100可以通过弯曲区域(BA)的绝缘层130中的槽(GR)减少或防止由于弯曲应力导致的绝缘层130中的破裂的发生。另外，可以通过绝缘层130的槽(GR)中的应力缓和层140防止穿过弯曲区域(BA)的布线150发生台阶。

当在不存在应力缓和层时在绝缘层130中形成槽(GR)之后设置布线150时，布线150被定位为沿柔性基板110的厚度方向(z轴方向)具有大的台阶。在这种情况下，当通过沉积金属层然后通过诸如光刻的方法将金属层图案化来形成布线150时，金属层会留在不期望的区域中，因此导致布线150之间的短路。

在至少一个示例性实施例的柔性显示器100中，应力缓和层140可以填充绝缘层130的槽(GR)以形成基本平坦的表面。因此，当通过沉积金属层然后将金属层图案化来形成布线150时，因为能够准确地执行图案化，所以可以防止布线150之间的短路。作为参考，布线150形成在平坦的焊盘区域中，然后对于将要形成的弯曲区域(BA)弯曲焊盘区域。

图5A和图6分别示出图3中示出的柔性显示器的显示单元和弯曲区域的放大剖视图。

参照图5A和图6，阻挡层131可以设置在柔性基板110上。阻挡层131用于阻挡湿气和/或氧渗透穿过柔性基板110，并且可以用其中氧化硅(SiO₂)和氮化硅(SiN_x)交替地和重复地彼此堆叠的多个层形成。缓冲层132可以设置在阻挡层131上。缓冲层132提供用于形成像素电路的平坦表面，并且可以包括氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiN_x)。

半导体层121设置在缓冲层132上。半导体层121可以包括多晶硅或氧化物半导体，包括氧化物半导体的半导体层121可以由单独的钝化层(未示出)覆盖。半导体层121包括未用杂质掺杂的沟道区以及位于沟道区的相对侧处并且用杂质掺杂的源区和漏区。

栅极绝缘层133设置在半导体层121上。栅极绝缘层133可以形成为氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO₂)的单层或者氮化硅(SiN_x)和氧化硅(SiO₂)的堆叠层。栅电极122和第一电容器板125a设置在栅极绝缘层133上。栅电极122与半导体层121的沟道区叠置。

第一层间绝缘层134可以设置在栅电极122和第一电容器板125a上，第二电容器板126a设置在第一层间绝缘层134上。第二电容器板126a与第一电容器板125a叠置，第一电容器板125a和第二电容器板126a使用第一层间绝缘层134作为介电材料来形成存储电容器202a。栅电极122以及第一电容器板125a和第二电容器板126a可以包括Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo等中的一种或更多种。

第二层间绝缘层135可以设置在第二电容器板126a上，源电极123和漏电极124设置在第二层间绝缘层135上。第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135可以形成为氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiN_x)的单层或者氧化硅(SiO₂)和氮化硅(SiN_x)的堆叠层。

源电极123和漏电极124分别通过形成在第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135以及栅极绝缘层133中的通孔连接到半导体层121的源区和漏区。源电极123和漏电极124可以形成为诸如Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti的金属多层。另一方面，第二电容器板126a可以包括与源电极123和漏电极124相同的材料，在这种情况下，设置一个层间绝缘层。

像素电路包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管201和存储电容器202a，但是为了有助于理解像素电路和为了方便起见，在图5A中省略开关薄膜晶体管。此外，驱动薄膜晶体管201和存储电容器202a的结构不限于图5A的那些。

图5B、图5C和图5D分别示出存储电容器的其他示例。

参照图5B，第一电容器板125b可以包括与缓冲层132上的半导体层121相同的材料，第二电容器板126b可以包括与栅极绝缘层133上的栅电极122相同的材料。在此实施例中，第一电容器板125b和第二电容器板126b使用栅极绝缘层133作为介电材料形成存储电容器202b。

参照图5C，第一电容器板125c可以包括与缓冲层132上的半导体层121相同的材料，第二电容器板126c可以包括与第二层间绝缘层135上的源电极123和漏电极124相同的材料。在此实施例中，第一电容器板125c和第二电容器板126c使用栅极绝缘层133、第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135作为介电材料形成存储电容器202c。

参照图5D，存储电容器202d可以包括第一电容器板125d、第二电容器板126d和第三电容器板126e。第一电容器板125d可以包括与缓冲层132上的半导体层121相同的材料，第二电容器板126d可以包括与栅极绝缘层133上的栅电极122相同的材料。第三电容器板126e可以包括与第二层间绝缘层135上的源电极123和漏电极124相同的材料。

存储电容器(202a、202b、202c和202d)的结构不限于图5A至图5D中示出的那些，它们可以以各种方式修改。

返回参照图5A和图6，驱动薄膜晶体管201被平坦化层112覆盖，并且连接到OLED 203以驱动OLED 203。平坦化层112可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料，或者可以由有机绝缘材料和无机绝缘材料的组合形成。OLED203包括像素电极127和发射层128以及共电极129。

像素电极127在平坦化层112上分开地形成在每个像素中，并且通过形成在平坦化层112上的通孔连接到驱动薄膜晶体管201的漏电极124。像素限定层(或分隔壁)113设置在平坦化层112上并且在像素电极127的边缘上。发射层128设置在像素电极127上，共电极129设置在整个显示区域(DA)上，而不考虑像素。

像素电极127和共电极129中的一个将空穴注入到发射层128中，另一个将电子注入到发射层128中。电子和空穴在发射层128中彼此再结合以产生激子，并且通过激子从激发态落回到基态时产生的能量发光。

像素电极127可以包括反射层，共电极129可以包括透明层或半透明层。从发射层128发射的光通过像素电极127反射，并且穿过共电极129以发射到环境。当共电极129包括半透射层时，由像素电极127反射的一些光通过共电极129再次反射，因此像素电极127和共电极129形成共振结构，从而可以改善光提取效率。

OLED 203由包封件或包封层190覆盖。包封件190将OLED 203密封，从而可以减少或防止由环境中包括的湿气和/或氧引起的OLED 203的劣化。包封件190可以包括无机层和有机层堆叠的结构，例如，包封件190可以包括第一无机层191、有机层192和第二无机层193。

在弯曲区域(BA)中，布线150(图6示出一条布线)可以与源电极123和漏电极124位于同一层中，并且可以包括与源电极123和漏电极124相同的材料。布线150可以由有机层(例如，平坦化层112)覆盖。包括多个层的位于布线150下方的绝缘层130可以包括阻挡层131、缓冲层132、栅极绝缘层133以及第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135。

绝缘层130的槽(GR)可以沿柔性基板110的厚度方向(z轴方向)位于整个绝缘层130中。在这种情况下，应力缓和层140接触柔性基板110。此外，绝缘层130的槽(GR)可以位于绝缘层130的子集中，并且可以位于包括形成绝缘层130的无机层(131、132、133、134和135)的最顶部的无机层135的至少一个无机层中。

图7A示出图6中示出的弯曲区域的第一示例性变化的放大剖视图。参照图7A，绝缘层130的槽GR1可以位于第二层间绝缘层135中。图7B示出图6中示出的弯曲区域的第二示例性变化的放大剖视图。参照图7B，绝缘层130的槽GR2可以位于第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135中。

图7C示出图6中示出的弯曲区域的第三示例性变化的放大剖视图。参照图7C，绝缘层130的槽GR3可以位于栅极绝缘层133以及第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135中。图7D示出图6中示出的弯曲区域的第四示例性变化的放大剖视图。参照图7D，绝缘层130的槽GR4可以位于缓冲层132、栅极绝缘层133以及第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135中。

在图6和图7A至图7D中示出的所有示例性实施例中，绝缘层130的槽(GR、GR1、GR2、GR3和GR4)被填充有应力缓和层140，以提供用于定位布线150的基本平坦的表面。

图8示出根据对比示例的柔性显示器的弯曲区域的放大透视图。

参照图8，对比示例的柔性显示器不包括应力缓和层。在这种情况下，布线151沿绝缘层130的顶表面、槽(GR)的侧表面、槽(GR)的底表面(例如，柔性基板110的顶表面)、槽(GR)的侧表面和绝缘层130的顶表面定位，并且具有沿柔性基板110的厚度方向(z轴方向)形成的大台阶。

通常，通过将金属沉积在整个表面上方并且通过诸如光刻的方法将金属层图案化来形成布线151。然而，当金属层形成在具有台阶的非平坦表面上时，金属层在形成台阶的区域中被不适当地图案化，因此金属层会留在不预期的部分或区域中。剩余的金属层可以接触相邻的布线151，从而在布线151之间形成短路。附图标记152表示图8中的不预期的剩余金属层。

然而，在至少一个示例性实施例的柔性显示器100中，因为应力缓和层140填充绝缘层130的槽(GR)，所以用于布线150的金属层设置在平坦的表面上。因此，布线150可以被精确地图案化而没有金属层残留，因此可以防止布线150之间的短路。

图9示出根据示例性实施例的柔性显示器的制造方法的流程图。

参照图9，柔性显示器的制造方法包括：第一步骤S10，在柔性基板的显示区域和非显示区域上形成绝缘层；第二步骤S20，在非显示区域的绝缘层中形成槽；第三步骤S30，通过将有机绝缘材料填充到槽中形成应力缓和层；第四步骤S40，在非显示区域的绝缘层和应力缓和层上形成多条布线；以及第五步骤S50，通过将非显示区域的至少一部分弯曲形成弯曲区域。

图10A示出处于图9中示出的第一步骤的柔性显示器的示意性剖视图。

参照10A，在第一步骤S10中，柔性基板110可以包括有机材料，有机材料包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚对笨二甲酸乙二醇酯和聚丙烯酸酯中的至少一种。柔性基板110可以是可弯曲的并且可以是透光的。

柔性基板110可以被分为显示单元位于其中的显示区域(DA)和显示区域(DA)外部的非显示区域(NDA)。绝缘层130设置在柔性基板110的显示区域(DA)和非显示区域(NDA)两者上。尽管未示出，但是当形成绝缘层130时，用于形成薄膜晶体管的电极和存储电容器位于显示区域(DA)中。

图10B示出处于图9中示出的第二步骤的柔性显示器的示意性剖视图。

参照图10B，在第二步骤S20中，在非显示区域(NDA)的绝缘层130中形成槽(GR)。如图6和图7A至图7D中所示，绝缘层130可以包括堆叠在柔性基板110上的多个无机层(131、132、133、134和135)，绝缘层130的槽(GR)可以位于包括无机层(131、132、133、134和135)的最顶部的无机层135的至少一个无机层中。

图10C示出处于图9中示出的第三步骤的柔性显示器的示意性剖视图。

参照图10C，在第三步骤S30中，应力缓和层140填充形成的绝缘层130的槽(GR)。应力缓和层140可以包括有机绝缘材料，并且应力缓和层140的厚度基本等于槽(GR)的深度。因此，应力缓和层140的顶表面和绝缘层130的顶表面位于距离柔性基板110的表面基本相同的高度处。

图10D示出处于图9示出的第四步骤的柔性显示器的示意性剖视图。

参照图10D，在第四步骤S40中，在非显示区域(NDA)的绝缘层130和应力缓和层140上形成多条布线150(图10示出一条布线)。可以通过在绝缘层130上沉积金属层并且通过公知的光刻工艺将金属层图案化来形成布线150。

尽管未示出，但是用于形成显示区域(DA)中的薄膜晶体管的剩余电极可以在形成布线150的同时形成。在形成布线150之后，可以在显示区域(DA)中形成包括多个OLED的显示单元120和密封显示单元120的包封件190。

此外，可以在非显示区域(NDA)内的柔性基板110的边缘处形成多个焊盘电极(未示出)。布线150可以将在显示单元120中形成的多条信号线连接到焊盘电极。

因为应力缓和层140填充绝缘层130的槽(GR)，所以当沉积金属层以形成布线150时，在金属层中不形成台阶。即，在金属层中沿柔性基板110的厚度方向没有弯曲部分，因此当金属层被图案化时，没有剩余层发生，从而防止布线150之间的短路。

图10E示出处于图9中示出的第五步骤的柔性显示器的示意性剖视图。

参照图10E，在第五步骤S50中，弯曲其中形成有布线150的非显示区域(NDA)的至少一部分，从而形成弯曲区域(BA)。弯曲区域(BA)基于弯曲轴(BX)而弯曲，绝缘层130的槽(GR)可以沿平行于弯曲轴(BX)的方向延伸(参照图1)。通过在弯曲区域(BA)中形成槽(GR)和应力缓和层140，施加到弯曲区域(BA)内的绝缘层130的应力减小，从而减小或防止绝缘层130中的破裂。

尽管已经结合目前被视为实际的示例性实施例的内容描述了本公开，但是将理解的是，本发明不限于公开的实施例，而是相反，意图覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。