1.一种热处理方法，其特征在于，向基板照射闪光来形成硅化物或锗化物，所述热处理方法包括：
搬入工序，将形成有金属膜的基板搬入腔室内，
减压工序，将所述腔室内的压力减压至比大气压低的第一压力，
恢复压力工序，将所述腔室内的压力从第一压力恢复至比第一压力高的第二压力，
照射工序，一边将所述腔室内的压力维持为第二压力，一边从闪光灯向所述基板的表面照射闪光。
2.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
所述第二压力比所述第一压力高且比大气压低。
3.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
所述第二压力为大气压。
4.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
所述第二压力比大气压高。
5.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
在所述减压工序中，使来自所述腔室供给的排气流量随着时间的推移而增加。
6.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
在所述恢复压力工序中，使向所述腔室的供气流量随着时间的推移而增加。
7.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
在所述照射工序后，将所述腔室内的压力变为大气压，并使非活性气体以50L/min至100L/min的流量流入所述腔室内。
8.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
在所述搬入工序中，一边打开所述腔室的搬送开口部，一边向所述腔室内供给非活性气体。
9.一种热处理方法，其特征在于，向基板照射闪光来形成硅化物或锗化物，所述热处理方法包括：
搬入工序，将形成有金属膜的基板搬入腔室内，
减压工序，将所述腔室内的压力减压至比大气压低的第一压力，
照射工序，一边将所述腔室内的压力维持为第一压力，一边从闪光灯向所述基板的表面照射闪光。
10.一种热处理装置，其特征在于，向基板照射闪光来形成硅化物或锗化物，所述热处理装置具有：
腔室，其容纳形成有金属膜的基板，
闪光灯，其向容纳于所述腔室内的所述基板照射闪光，
排气部，其排出所述腔室内的气体，
气体供给部，其向所述腔室供给规定的处理气体，
控制部，其对所述排气部以及所述气体供给部进行控制，使得在将所述腔室内的压力减压至比大气压低的第一压力后，恢复至比第一压力高的第二压力的状态下，从所述闪光灯向所述基板的表面照射闪光。
11.如权利要求10所述的热处理装置，其特征在于，
所述第二压力比所述第一压力高且比大气压低。
12.如权利要求10所述的热处理装置，其特征在于，
所述第二压力为大气压。
13.如权利要求10所述的热处理装置，其特征在于，
所述第二压力比大气压高。
14.如权利要求10所述的热处理装置，其特征在于，
所述控制部对所述排气部进行控制，使得在将所述腔室内的压力减压至所述第一压力时，来自所述腔室的排气流量随着时间的推移而增加。
15.如权利要求10所述的热处理装置，其特征在于，
所述控制部对所述气体供给部进行控制，使得在将所述腔室内的压力从所述第一压力恢复至所述第二压力时，向所述腔室的供气流量随着时间的推移而增加。
16.如权利要求10所述的热处理装置，其特征在于，
所述控制部对所述排气部以及所述气体供给部进行控制，使得在照射所述闪光后，将所述腔室内变为大气压，并使非活性气体以50L/min至100L/min的流量流入所述腔室内。
17.一种热处理装置，其特征在于，向基板照射闪光来形成硅化物或锗化物，所述热处理装置具有：
腔室，其容纳形成有金属膜的基板，
闪光灯，其向容纳于所述腔室内的所述基板照射闪光，
排气部，其排出所述腔室内的气体，
气体供给部，其向所述腔室供给规定的处理气体，
控制部，其对所述排气部以及所述气体供给部进行控制，使得在将所述腔室内的压力减压至比大气压低的第一压力后，一边维持为第一压力，一边从所述闪光灯向所述基板的表面照射闪光。