硬掩膜蚀刻和介电蚀刻与通孔和金属层的介电蚀刻察觉重迭的制作方法

本发明关于半导体器具的蚀刻模型化(etch modeling)。本发明特别是应用于在半导体器具中形成通孔。

背景技术：

微影制造方法和光学接近校正(OPC)轮廓无法准确地预测金属层(Mx)的硬式掩膜轮廓。微影制造方法和OPC轮廓也无法准确地预测通孔层(Vx)的介电蚀刻。因此，很困难准确地预测Mx+1和Vx层(例如，V0、M1、V1、M2、V2、和M3)之间的重迭，特别是对于在先沟槽再通孔(trench first via last)程序中具有自我对准通孔(selfaligned via)的后段制造方法(back-end-of-line)。图1示意地例示Mx+1和Vx层的背景堆层(background layering)。举例来说，Vx层101(例如，V0)可形成在接触层103和Mx+1层105(例如，M1)之间。接着，Vx+1层107(例如，V1)可形成在该Mx+1层105和该Mx+2层109(例如，分别为M1和M2)之间。之后，Vx+2层111(例如，V2)可形成在该Mx+2层109和该Mx+3层113(例如，分别为M2和M3)之间。

目前，在硬式掩膜开口程序(hard mask open process)之后，在该假定沟槽CD 201和该真正沟槽CD 203之间有间隙或偏移，如图2A中所绘示的。在该假定通孔CD 205和该真正通孔CD 207之间也有间隙或偏移，如图2B中所绘示的。因此，该连接通孔207和该真正沟槽203的该真正重迭(由该线条209所绘示的)，远小于该假定通孔205和该假定沟槽201的该假定重迭，如该线条211所绘示的。

因此，有需要存在致能偏移补偿的方法论(methodology)，以将金属和连接通孔层之间的连接区域予以最大化。

技术实现要素：

本发明的态样是一种方法，其产生Vx层的最终介电蚀刻补偿表格和Mx+1层的硬式掩膜蚀刻补偿表格，用于OPC程序流程或掩膜程序校正(MPC)程序流程。

本发明的另一态样是一种装置，其产生Vx层的最终介电蚀刻补偿表格和Mx+1层的硬式掩膜蚀刻补偿表格，用于OPC程序流程或MPC程序流程。

本发明的额外态样和其它特征将在接下来的描述中提出，并且，对于本领域中具有通常技术者而言，在检验过下文后，将部分成为明显，或可从本发明的的实践中习得。本发明的优点可如附随的权利要求所特别指出的而予以了解和获得。

依据本发明，一些技术效果可部分由一种方法加以完成，该方法包含：在晶圆上实施重迭图案分类；依据该图案分类，校准介电蚀刻偏移或硬式掩膜蚀刻偏移；依据该校准对照标准，将通孔层和上部连接金属层的顶部临界尺寸(CD)重迭与该通孔层和下部连接金属层的底部CD重迭相比较、或将该上部连接金属层和上部连接通孔层的顶部CD重迭与该上部连接金属层和该通孔层的底部CD重迭相比较；依据该比较，将该通孔层的最终介电蚀刻补偿表格或该上部连接金属层的最终硬式蚀刻补偿表格输出至光学接近校正(OPC)程序流程或掩膜程序校正(MPC)程序流程；以及对剩下的该通孔层或该上部金属层，重复该校准、比较和输出步骤.

本发明的态样包含：相关于彼此，对照该标准，实施将该通孔层和该上部连接金属层的该顶部CD重迭与该通孔层和该下部连接金属层的该底部CD重迭、以及该上部连接金属层和该上部连接通孔层的该顶部CD重迭与该上部连接金属层和该通孔层的该底部CD重迭相比较的步骤。其它态样包含：还分别依据预设介电蚀刻补偿表格和介电蚀刻偏移三角CD及预设硬式掩膜蚀刻表格和硬式掩膜蚀刻偏移三角CD，校准该介电蚀刻偏移或该硬式掩膜蚀刻偏移。进一步态样包含判断该晶圆上的可用空间是否使得桥接限制没有违反，如果该通孔层和该上部连接金属层的该顶部CD重迭与该通孔层和该下部连接金属层的该底部CD重迭、或如果该上部连接金属层和该上部连接通孔层的该顶部CD重迭与该上部连接金属层和该通孔层的该底部CD重迭没有在该标准内。额外的态样包含分别输出该最终介电蚀刻补偿表格或该最终硬式掩膜补偿表格，如果该通孔层和该顶部CD重迭的该顶部CD重迭与该通孔层和该下部连接金属层的该底部CD重迭在该标准内、如果该上部连接金属层和该上部连接通孔层的该顶部CD重迭与该上部连接金属层和该通孔层的该底部CD重迭在该标准内、或如果该晶圆上的该可用空间使得该桥接限制有违反。另一个态样包含如果该通孔层和该上部连接金属层的该顶部CD重迭与该通孔层和该下部连接金属层的该底部CD重迭没有在该标准内、并且如果该晶圆上的该可用空间使得该桥接限制没有违反，调整该介电蚀刻偏移；依据该调整，更新该介电蚀刻偏移三角CD；以及重复将该通孔层和该上部连接金属层的该顶部CD重迭与该通孔层和该下部连接金属层的该底部CD重迭相比较的步骤，直到该通孔层和该上部连接金属层的该顶部CD重迭与该通孔层和该下部连接金属层的该底部CD重迭在该标准内为止。

其它态样包含如果该上部连接金属层和该上部连接通孔层的该顶部CD重迭与该上部连接金属层和该下部连接通孔层的该底部CD重迭在该标准内、并且如果该晶圆上的该可用空间使得该桥接限制没有违反，调整该硬式掩膜蚀刻偏移；依据该调整，更新该硬式掩膜蚀刻偏移三角CD；以及重复将该上部连接金属层和该上部连接通孔层的该顶部CD重迭与该上部连接金属层和该下部连接通孔层的该底部CD重迭相比较的步骤，直到该上部连接金属层和该上部连接通孔层的该顶部CD重迭与该上部连接金属层和该通孔层的该底部CD重迭在该标准为止。进一步态样包含如果该通孔层的最终介电蚀刻补偿表格和该上部连接金属层的该最终硬式蚀刻补偿表格是输出至该OPC程序流程，对该最终介电蚀刻补偿表格和该硬式掩膜蚀刻补偿表格实施OPC；依据该OPC，产生图形数据系统输出(GDSout)文件；以及发送该GDSout文件至掩膜房，以用于光罩处理。额外态样包含如果该通孔层的最终介电蚀刻补偿表格和该上部连接金属层的该最终硬式蚀刻补偿表格是输出至该MPC程序流程，在OPC后，依据该最终介电蚀刻补偿表格和该硬式掩膜蚀刻补偿表格，产生GDSout文件；最终化该产生的GDSout文件；以及发送该GDSout文件至外部掩膜房或内部掩膜房，以用于光罩处理。

本发明的另一态样是一种装置，其包含：处理器；以及内存，包含用于一个或多个程序的计算机程序代码，该内存和该计算机程序代码组构成以该处理器造成该装置实施下列，在晶圆上实施重迭图案分类；依据该图案分类，校准介电蚀刻偏移或硬式掩膜蚀刻偏移；依据该校准对照标准，将通孔层和上部连接金属层的顶部临界尺寸(CD)重迭与该通孔层和下部连接金属层的底部CD重迭相比较、或将该上部连接金属层和上部连接通孔层的顶部CD重迭与该上部连接金属层和该通孔层的底部CD重迭相比较；依据该比较，将该通孔层的最终介电蚀刻补偿表格或该上部连接金属层的最终硬式蚀刻补偿表格输出至(OPC)程序流程或掩膜程序校正(MPC)程序流程；以及对剩下的该通孔层或该上部金属层，重复该校准、比较和输出步骤。

该装置的态样包含该装置还被造成：相关于彼此，对照该标准，实施将该通孔层和该上部连接金属层的该顶部CD重迭与该通孔层和该下部连接金属层的该底部CD重迭、以及该上部连接金属层和该上部连接通孔层的该顶部CD重迭与该上部连接金属层和该通孔层的该底部CD重迭相比较的步骤。其它态样包含该装置被造成：还分别依据预设介电蚀刻补偿表格和介电蚀刻偏移三角CD及预设硬式掩膜蚀刻表格和硬式掩膜蚀刻偏移三角CD，校准该介电蚀刻偏移或该硬式掩膜蚀刻偏移。进一步态样包含如果该通孔层和该上部连接金属层的该顶部CD重迭与该通孔层和该下部连接金属层的该底部CD重迭、或如果该上部连接金属层和该上部连接通孔层的该顶部CD重迭与该上部连接金属层和该通孔层的该底部CD重迭没有在该标准内，则该装置还被造成：判断该晶圆上的可用空间是否使得桥接限制没有违反。额外态样包含如果该通孔层和该上部连接金属层的该顶部CD重迭与该通孔层和该下部连接金属层的该底部CD重迭在该标准内、如果该上部连接金属层和该上部连接通孔层的该顶部CD重迭与该上部连接金属层和该通孔层的该底部CD重迭在该标准内、或如果该晶圆上的该可用空间使得该桥接限制有违反，则该装置还被造成：分别输出该最终介电蚀刻补偿表格或该最终硬式掩膜补偿表格。另一态样包含如果该通孔层和该上部连接金属层的该顶部CD重迭与该通孔层和该下部连接金属层的该底部CD重迭没有在该标准内、并且如果该晶圆上的该可用空间使得该桥接限制没有违反，则该装置还被造成：调整该介电蚀刻偏移；依据该调整，更新该介电蚀刻偏移三角CD；以及重复将该通孔层和该上部连接金属层的该顶部CD重迭与该通孔层和该下部连接金属层的该底部CD重迭相比较的步骤，直到该通孔层和该上部连接金属层的该顶部CD重迭与该通孔层和该下部连接金属层的该底部CD重迭在该标准内为止。

其它态样包含如果该金属层和该上部连接通孔层的该顶部CD重迭与该金属层和该下部连接通孔层的该底部CD重迭在该标准内、并且如果该晶圆上的该可用空间使得该桥接限制没有违反，则该装置还被造成：调整该硬式掩膜蚀刻偏移；依据该调整，更新该硬式掩膜蚀刻偏移三角CD；以及重复将该上部连接金属层和该上部连接通孔层的该顶部CD重迭与该上部连接金属层和该下部连接通孔层的该底部CD重迭相比较的步骤，直到该上部连接金属层和该上部连接通孔层的该顶部CD重迭与该上部连接金属层和该通孔层的该底部CD重迭在该标准为止。进一步态样如果该通孔层的最终介电蚀刻补偿表格和该上部连接金属层的该最终硬式蚀刻补偿表格被输出至该OPC程序流程，则该装置还被造成：对该最终介电蚀刻补偿表格和该硬式掩膜蚀刻补偿表格实施OPC；依据该OPC，产生图形数据系统输出(GDSout)文件；以及发送该GDSout文件至掩膜房，以用于光罩处理。额外态样包含如果该通孔层的最终介电蚀刻补偿表格和该上部连接金属层的该最终硬式蚀刻补偿表格是输出至该MPC程序流程，则该装置还被造成：在OPC后，依据该最终介电蚀刻补偿表格和该硬式掩膜蚀刻补偿表格，产生GDSout文件；最终化该产生的GDSout文件；以及发送该GDSout文件至外部掩膜房或内部掩膜房，以用于光罩处理。

本发明的进一步态样是一种方法，其包含：在晶圆上实施重迭图案分类；依据该图案分类，校准介电蚀刻偏移，该介电蚀刻偏移还依据预设介电蚀刻补偿表格和介电蚀刻偏移三角临界尺寸(CD)；依据该介电蚀刻偏移校准对照标准，将通孔层和上部连接金属层的顶部CD重迭与该通孔层和下部连接金属层的底部CD重迭相比较；依据该通孔层比较，调整该介电蚀刻偏移；依据该介电蚀刻偏移调整，更新该介电蚀刻偏移三角CD；重复与该通孔层相关的该比较、调整和更新步骤，直到该通孔层和该上部连接金属层的该顶部CD重迭与该通孔层和该下部连接金属层的该底部CD重迭在该标准内为止；依据该通孔层比较，输出该通孔层的最终介电蚀刻补偿表格至光学接近校正(OPC)程序流程或掩膜程序校正(MPC)程序流程；依据该图案分类，校准硬式掩膜蚀刻偏移，该硬式掩膜蚀刻偏移还依据预设硬式掩膜蚀刻表格和硬式掩膜蚀刻偏移三角CD；依据该硬式掩膜蚀刻偏移校准对照该标准，将该上部连接金属层和上部连接通孔层的顶部CD重迭与该上部连接金属层和该通孔层的底部CD重迭相比较；依据该上部连接金属层比较，调整该硬式掩膜蚀刻偏移；依据该硬式掩膜蚀刻偏移调整，更新该硬式掩膜蚀刻偏移三角CD；重复与该上部连接金属层相关的该比较、调整和更新步骤，直到该上部连接金属层和该上部连接通孔层的该顶部CD重迭与该上部连接金属层和该通孔层的该底部CD重迭在该标准内为止；以及依据该金属层比较，输出该上部连接金属层的最终硬式蚀刻补偿表格至OPC程序流程或MPC程序流程。

本发明的态样包含如果该通孔层和该上部连接金属层的该顶部CD重迭与该通孔层和该下部连接金属层的该底部CD重迭、或如果该上部连接金属层和该上部连接通孔层的该顶部CD重迭与该上部连接金属层和该通孔层的该底部CD重迭不在该标准内，在分别调整该介电蚀刻偏移及/或该硬式掩膜蚀刻偏移前，判断该晶圆上的可用空间是否使得桥接限制没有违反；以及如果该晶圆上的该可用空间使得该桥接限制有违反，则分别输出该最终介电蚀刻补偿表格或该最终硬式掩膜补偿表格。

从接下来的详细描述，本发明的额外态样和技术效果对于本领域的熟习技术者而言，将变得明显，其中，本发明的实施例仅通过设想用来实践本发明的最佳模式的例示，来加以描述。将了解到，本发明可有不同的实施例，并且，其数个细节也可在各种显而易知方法加以修饰，均不会背离本发明。因此，图式和描述在本质上应视为例示、而非限制。

附图说明

本发明是通过伴随的图式的附图中的范例、而非限制，来加以例示，在图式中，相同的参考编号是指类似的组件，并且，其中，

图1示意地例示Mx+1和Vx层的背景堆层；

图2A示意地例示Mx层的背景硬式掩膜蚀刻偏移；

图2B示意地例示Vx层的背景介电蚀刻偏移及Vx层和Mx+1层的假定重迭和真正重迭的比较；

图3依据范例实施例示意地例示OPC程序流程，其包含通孔层(例如，Vx)和上部连接金属层(例如，Mx+1)的硬式掩膜蚀刻偏移、介电蚀刻偏移、以及重迭核对表格；

图4A和4B依据范例实施例示意地例示分别对该介电蚀刻偏移和该硬式掩膜蚀刻偏移的范例调整；以及

图5依据范例实施例示意地例示MPC程序流程，其包含通孔层(例如，Vx)和上部连接金属层(例如，Mx+1)的硬式掩膜蚀刻偏移、介电蚀刻偏移、以及重迭核对表格，用于通过第三方掩膜房或机构内掩膜房的光罩处理。

具体实施方式

在接下来的描述中，为了解释的目的，提出多个特定细节，以为了提供范例实施例的彻底了解。然而，应该很明显，范例实施例没有这些特定细节、或以均等配置，也可实践。在其它例子中，公知的结构和器具是显示在方块图中，以为了避免不必要地模糊范例实施例。此外，除非另外指明，否则在说明书和权利要求中所使用的成分、反应条件等的表示数量、比例和数值性质的所有数字，均应了解可在所有例子中通过“大约”这个用语加以修饰。

本发明针对和解决目前问题，亦即在半导体器具中形成通孔时无法准确地预测通孔层(例如，Vx)与上部连接金属层(例如，Mx+1)之间的重迭。

依据本发明的实施例的方法论包含在晶圆上实施重迭图案分类。介电蚀刻偏移或硬式掩膜蚀刻偏移是依据该图案分类予以校准。依据该校准对照标准，将通孔层和上部连接金属层的顶部CD重迭与该通孔层和下部连接金属层的底部CD重迭、或将该上部连接金属层和上部连接通孔层的顶部CD重迭与该上部连接金属层和该通孔层的底部CD重迭相比较。依据该比较，该通孔层的最终介电蚀刻补偿表格或该上部连接金属层的最终硬式蚀刻补偿表格，被输出至OPC程序流程或MPC程序流程，并且对该剩余的通孔层或该上部连接金属层，重复该校准、比较和输出步骤。

从接下来的详细描述，其它态样、特征和技术效果对于本领域的熟习技术者而言，将变得明显，其中，较佳实施例仅通过设想到的最佳模式加以显示和描述。该揭露可有其它不同的实施例，并且其数个细节可在不同的显示易知方面加以修饰。因此，图式和描述在本质上应视为例示、而非限制。

图3依据范例实施例绘示OPC程序流程，其包含通孔层(例如，Vx)和上部连接金属层(例如，Mx+1)的硬式掩膜蚀刻偏移、介电蚀刻偏移、及重迭核对表格。在步骤301中，在晶圆上实施重迭图案分类。举例来说，该图案可相关于Mx+1或Vx层，例如，V0、M1、V1、M2、V2、或M3。在步骤303中，判断该图案是对应于上部连接金属(例如，Mx+1)或连接通孔(Vx)层。如果该图案对应于Vx层(例如，V1)，则在步骤305中，介电蚀刻偏移可依据预设介电蚀刻补偿表格(蚀刻偏移)，而初始地或粗略地校准。在步骤307中，该介电蚀刻偏移可接着依据介电蚀刻偏移三角CD微调(fine-tuned)。

在步骤309中，该通孔层(例如，V1)和上部连接金属层(例如，M2)的顶部CD重迭与该通孔层和下部连接金属层(例如，M1)的底部CD重迭，如在步骤305和307中所校准的，对照标准而相比较，以判定该通孔层的该顶部CD重迭和该底部CD重迭是否在该标准内。如果该顶部CD重迭和该底部CD重迭不在该标准内，则与所假定的相比较小重迭将可能在该通孔层(例如，V1)与该上部连接金属层(例如，Mx+2)之间产生，其可造成更多聚合物(例如，碳钛氟化物(carbon titanium fluorine(CxTiFy)))被喷溅在通孔底部，造成该通孔具有较高深宽比(aspect ratio)。高深宽比可使它更难以抽出(pump out)副产物，以清空该通孔，以备后续电性连接。对照之下，如果该顶部CD重迭和该底部CD重迭在该标准内，则可在该通孔层(例如，V1)与该上部连接金属层(例如，Mx+2)之间产生较大重迭，其可造成较少聚合物(例如，CxTiFy)，被喷溅至通孔底部，造成通孔具有较低深宽比，其接着会使它容易抽出副产物，以清空该通孔，以备后续电性连接。

在步骤311中，如果该Vx层(例如，V1)的该顶部CD重迭和该底部CD重迭在该标准内，则该Vx层的最终介电蚀刻补偿表格(蚀刻偏移)可产生、并输出至OPC程序流程。在步骤313中，如果该顶部CD重迭该底部CD重迭不在该标准内，则该晶圆可被检验，以判定该晶圆上是有可用空间(例如，用来调整该介电蚀刻偏移)、以及判定任何这种可用空间是否大于桥接限制。如果没有可用空间或该可用空间使得该桥接限制有违反，则该Vx层(例如，V1)的最终介电蚀刻补偿表格(蚀刻偏移)可产生、并在步骤311中输出至OPC程序流程。

举例来说，转至图4A，对照该标准，将通孔403和该上部连接金属层405的该顶部CD重迭401与该通孔403和该下部连接金属层407的该底部CD重迭相比较。在此范例中，该顶部CD重迭401经判定不在该标准内。在步骤315中，如果有可用空间，并且该空间使得该桥接限制没有违反，则该介电蚀刻偏移可加以调整。举例来说，可通过移动或偏移该通孔层(例如，V1)，如箭头409所绘示的，或通过放大该通孔层的该通孔，如虚线圆圈411所绘示的，来调整该介电蚀刻偏移。在此范例中，有可用空间在该偏移的通孔403和该通孔413之间，如该箭头415所绘示的，并且该可用空间经判定使得该桥接限制没有违反。在调整该介电蚀刻偏移时，必须一并考虑通过该通孔层(例如，V1)连接金属层(例如，M1和M2)。

一旦该介电蚀刻偏移在在步骤315被调整，步骤307的该介电蚀刻偏移三角CD可予以更新，该比较步骤309可予以重复，直到该通孔层(例如，V1)和该上部连接金属层(例如，M2)的该顶部CD重迭与该通孔层和该下部连接金属层(例如，M1)的该底部CD重迭在该标准内为止。一旦该顶部CD重迭和该底部CD重迭在该标准内，则该Vx层(例如，V1)的最终介电蚀刻补偿表格(蚀刻偏移)可产生、并输出至OPC程序流程在步骤311。由于Mx和连接Vx层之间的关系、晶圆经常费用(waferoverhead)、及/或器具相关设计规则，该Mx和连接Vx层彼此相关调整，如通过步骤317的“握手”(handshaking)所绘示的。因此，虽然该通孔层的该介电蚀刻偏移在该程序流程的此阶段可适当地校准，但OPC程序还没开始运行。

在步骤319中，硬式掩膜蚀刻偏移可依据预设硬式掩膜蚀刻表格(蚀刻偏移)，而初始地或粗略地校准。在步骤321中，该硬式掩膜偏移可接着依据硬式掩膜蚀刻偏移三角CD，而加以微调。在步骤323中，对照标准，将该上部连接金属层(例如，M2)和上部连接通孔层(例如，V2)的顶部CD重迭与该上部连接金属层(例如，M2)和下部连接通孔层(例如，V1)的底部CD重迭相比较，如步骤319和321中所校准的，以判定该顶部CD重迭和该底部CD重迭是否在该标准。如果该Mx+1层的该顶部CD重迭和该底部CD重迭不在该标准内，则与所假定的相比较小的重迭将有可能在该Vx、Mx+1、和Vx+1层(例如，分别为V1、M2、和V2)之间产生，以最小化该通孔与该连接金属层之间的该连接区域。

在步骤325中，如果对应于Mx+1层(例如，M2)的该顶部CD重迭和该底部CD重迭在该标准内，则该Mx+1层的最终硬式蚀刻补偿表格(蚀刻偏移)可产生、并输出至该OPC程序流程。在步骤327中，如果该顶部CD重迭和该底部CD重迭不在该标准内，则该晶圆可予以检验，以判定该晶圆上是否有可用空间，例如，用来调整该硬式掩膜蚀刻偏移，并且判定任何这种可用空间是否大于桥接限制。如果没有可用空间或该可用空间使得该桥接限制有违反，则该Mx+1层(例如，M2)的最终硬式蚀刻补偿表格(蚀刻偏移)产生、并且在在步骤325中输出至该OPC程序流程。

举例来说，转至图4B，对照该标准，将该上部连接金属层405(例如，M2)和上部连接通孔层417(例如，V2)的顶部CD重迭与该上部连接金属层405(例如，M2)和下部连接通孔层(为了例示方便，故没有显示)(例如，V1)相比较，如步骤319和321中所校准的。在此范例中，该顶部CD重迭419经判定不在该标准内。在步骤327中，如果有可用空间，并且该空间使得该桥接限制没有违反，则可调整该硬式掩膜蚀刻偏移。对比于该介电蚀刻偏移，该硬式掩膜蚀刻偏移可仅通过放大该层(如该箭头421所绘示的)、而没有通过偏移该层，来加以调整。在此范例中，有可用空间在该放大的上部连接金属层405’和该上部连接金属层423之间，如箭头425所绘示的，并且该可用空间经判定使得该桥接限制没有违反。在调整该硬式掩膜蚀刻偏移时，必须一并考虑该连接Vx层(例如，V1和V2)。一旦该硬式掩膜偏移在步骤327中调整，步骤321的该硬式掩膜偏移三角CD可予以更新，并且该比较步骤323可予以重复，直到该上部连接金属层(例如，M2)和该上部连接通孔层(例如，V2)的该顶部CD重迭与该上部连接金属层和该下部连接通孔层(例如，V1)的底部CD重迭在该标准内为止。一旦该Mx+1层(例如，M2)的该顶部CD重迭和该底部CD重迭在该标准内，则该Mx+1层(例如，M2)的最终硬式蚀刻补偿表格(蚀刻偏移)可产生、并在步骤325中输出至该OPC程序流程。

在步骤331中，Mx和Vx层布局及/或原图(artwork)文件可进入GDS系统，以在步骤333中形成GDS输入(GDSin)文件。在步骤335中，该GDSin文件可致能隔离和巢状图案(isolation and nested patterns)的全局(global)偏离(或目标再描准)。在步骤337中，可产生辅助特征和仿真图案(基于规则的)。在步骤339中，输入器具和灾变表格数据可进入该OPC程序流程。在步骤341中，使用该Vx层(例如，V1)的步骤311的该最终介电蚀刻补偿表格和该Mx+1层(例如，M2)的步骤325的该最终硬式蚀刻补偿表格，运行该OPC程序使用。一旦步骤341的该OPC完成，该GDSout文件可在步骤343中产生，并且在步骤345中发送至掩膜房，用于光罩处理。方块345外的步骤331至343在本领域为已知的。

图5绘示的MPC程序流程，其包含Vx和Mx+1层的硬式掩膜蚀刻偏移、介电蚀刻偏移、和重迭核对表格，用于通过第三方掩膜房(third-party mask house)或机构内掩膜房(in-house mask house)的光罩处理。图3的步骤301至325在图5中重复。然而，在步骤501中GDSout文件(在OPC后)是依据该Vx层(例如，V1)的步骤311的该最终蚀刻补偿表格和该Mx+1层(例如，M2)的步骤325的该最终硬式蚀刻补偿表格而产生。步骤501的该产生的GDSout文件可接着在步骤503予以最终化或抛光，并且在步骤505被发送至外部或第三方掩膜房、或内部或机构内掩膜房，用于光罩处理。方块507外的步骤503和505在本领域为已知。

本发明的实施例可达成数个技术效果，包含重迭图案分类，以产生最大化通孔与连接金属层之间的该连接区域所需的该偏移补偿；输出最终介电蚀刻补偿表格至OPC或MPC程序流程；以及增加通孔与连接金属层之间的重迭。本发明的实施例可在各种工业应用中利用，举例来说，微处理器、智能电话、移动电话、峰巢式话机、机顶盒、DVD记录器和播放器、游戏系统、和数字相机。本发明因此可在任何类型的包含通孔的高度集积化半导体器享有工业应用。

在先前的描述中，本发明是参照其特定的范例实施例加以描述。然而，将会很明显的，可作出各种修饰和变化，而不致于背离如本发明在权利要求中所提出的较广精神和范围。因此，说明书和图式应视为例示、而为限制。可了解到，本发明可使用各种其它组合和实施例，并且可在此处所表明的本发明概念的范围内有任何变化或修饰。