技术总结
本发明涉及硬掩膜蚀刻和介电蚀刻与通孔和金属层的介电蚀刻察觉重迭，提供方法和装置，其产生最终介电蚀刻补偿表格和最终硬式蚀刻补偿表格，用于OPC或MPC程序流程。实施例包含：在晶圆上实施重迭图案分类；依据该图案分类，校准介电蚀刻偏移或硬式掩膜蚀刻偏移；对照标准，将通孔层和金属层的CD重迭与该通孔层和下部连接金属层的CD重迭、或将该金属层和上部连接通孔层的CD重迭与该金属层和该通孔层的CD重迭相比较；输出最终介电蚀刻补偿和硬式掩膜蚀刻补偿表格至OPC或程序流程；以及对剩下的该通孔层或金属层重复该校准、比较和输出步骤。
技术研发人员：宁国祥;任玉平;D·帕沃尔;L·史奥克恩;林振忠;保罗·W·阿克曼;胡项
受保护的技术使用者：格罗方德半导体公司
文档号码：201610797046
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2017.03.08