一种半导体基片成膜工艺后降低颗粒的工艺方法及装置与流程

本发明涉及一种半导体基片成膜工艺后降低颗粒的工艺方法及装置，属于半导体制造技术领域。

背景技术：

现代半导体行业的飞速发展，器件向更微小型化发展，典型的特征尺寸已缩小至14nm，在器件尺寸的持续小型化的必然趋势下，如何提高产品性能和成品率的关键因素—颗粒更成为行业需要解决的问题之一，颗粒主要来源于两个方面：一是环境中的颗粒包括设备环境和设备以外的环境产生的颗粒，一是工艺过程中产生的颗粒。环境中产生的颗粒可以通过采用更洁净的材料更合理的设计以及更高等级的无尘室等方法得到解决，工艺过程中产生的颗粒可以通过合理的工艺方法进行改进和降低。本工艺方法就是基于此目的通过成膜后增加气体purge来降低颗粒的，提高器件的成品率，以适应半导体行业对颗粒越来越严格的要求。

技术实现要素：

本发明以解决上述问题为目的，提供一种半导体基片成膜工艺后降低颗粒的工艺方法及装置，该工艺方法是在半导体基片成膜工艺后增加气体吹扫来降低颗粒的方法。所述方法为中低真空腔室内，在基片成膜后的工艺程序中，使载物台位于不同的位置同时进行气体吹扫，从而降低颗粒的工艺方法。

为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：

一种半导体基片成膜工艺后降低颗粒的工艺方法，具体实现步骤如下：半导体基片成膜之后，在中低真空腔室内，对半导体基片的气体吹扫，分为两个阶段，第一阶段将载物台置于工艺位置，向腔室内通入吹扫气体，吹扫5-60s；第二阶段将载物台降到工艺位置之下35-55mm，向腔室内通入吹扫气体，吹扫5-60s；所述吹扫气体为He，O₂，Ar，N₂中的一种或者几种的气体组合，并且上述吹扫气体在气态非等离子体状态下不互相反应。

所述气体吹扫过程中的第一阶段控压2-5Torr，第二阶段控压2-5Torr或者不控压。

所述吹扫气体的流量在2000-10000sccm。

一种半导体基片成膜工艺后降低颗粒的装置，该装置包括载物台，出气孔，回气孔；所述载物台上方安装多个出气孔，环绕载物台外部安装回气孔,半导体基片置于载物台上，气体通过出气孔吹入工艺腔室，通过回气孔流出工艺腔室。

所述载物台上下发生位移，载物台处于回气孔的上方，载物台上方来气吹扫与载物台位移同时发生。

本发明的有益效果是：本工艺方法是在半导体基片成膜工艺后，使载物台在腔体的不同位置分别采用不同的控压模式，利用气体吹扫来降低颗粒的方法。在工艺位置采用控压吹扫的模式可以有效地将成膜后基片表面的颗粒去除。第二阶段将载物台下移一定距离进行可控压或者不控压的模式，利用气体吹扫，此阶段的吹扫可以将工艺过程中产 生的副产物有效的去除，从而达到降低颗粒的目的。实践过程中，实验结果证实此方法可有效地降低基片成膜后表面的颗粒，提高工艺性能和器件的成品率。

附图说明

图1为载物台处于工艺位置气体吹扫的剖面图；

图2为载物台处于低位气体吹扫的剖面图。

具体实施方式

下面结合实施例进一步对本发明进行详细说明，但发明保护内容不局限于所述实施例：

实施例1

参考图1与2，一种半导体成膜工艺后降低颗粒的工艺方法，具体实现步骤如下：半导体基片成膜之后，在中低真空腔室内，对半导体基片的气体吹扫，首先载物台在工艺位置，通入吹扫气体He气4500sccm，O₂气6000sccm，压力2.8torr，进行吹扫10s；第二阶段载物台降到工艺位置之下55mm，通入吹扫气体He气4500sccm，O₂气6000sccm，压力2.8torr，进行吹扫10s，吹扫完成后继续进行后续步骤。颗粒数值改善情况可参见表1，从表1中我们可以看出在半导体基片成膜后增加气体吹扫后颗粒得到了有效的降低，提高工艺性能和器件的成品率。

表1基片成膜后增加气体purge后wafer表面颗粒情况-控压

实施例2

参考附图1与2，一种半导体成膜工艺后降低颗粒的工艺方法，具体实现步骤如下：半导体基片成膜之后，在中低真空腔室内，对半导体基片的气体吹扫，首先载物台在工艺位置，通入吹扫气体He气4500sccm，O₂气6000sccm，压力2.8torr，时间进行吹扫10s；第二阶段载物台降到工艺位置之下35mm，He气4500sccm，O₂气6000sccm，不控压，时间为20s进行吹扫，吹扫完成后继续进行后续步骤。颗粒数值改善情况可参见表2，从表2中我们可以看出在半导体基片成膜后增加气体吹扫后颗粒得到了有效的降低，提高工艺性能和器件的成品率。

表2基片成膜后增加气体purge后wafer表面颗粒情况-不控压

如图1和2所示,一种半导体基片成膜工艺后降低颗粒的装置，该装置包括载物台1，出气孔2，回气孔3；所述载物台1上方安装多个出气孔2，环绕载物台1外部安装回气孔3,半导体基片4置于载物台1上,吹扫气体通过出气孔2吹入工艺腔室，通过回气孔3流出工艺腔室。

所述载物台1上下发生位移，载物台1处于回气孔3的上方，载物台1上方来气吹扫与载物台1位移同时发生。