一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置的制作方法

本发明涉及一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置，属于半导体设备制造技术领域。

背景技术：

现有的半导体镀膜设备，尤其是12英寸半导体镀膜设备中，铝制加热盘因其热效率高、成本低等优势仍然在当前半导体镀膜设备中担任重要的角色。单一的铝制加热盘虽然可以满足晶圆承载及加热的要求，但由于设备上各部分之间存在大小不同的电位差，容易出现打火现象，会在晶圆上产生大小不同的彩虹圈，导致工艺结果异常。为解决铝制加热盘容易出现打火而影响设备产能及增加使用成本的问题，我们在现有的铝制加热盘外缘镶嵌一陶瓷环，来改善工艺过程中铝制加热盘、晶圆及喷淋板相互之间不同程度的打火现象。其具体结构是：在铝制加热盘中心设有一个凸台，凸台上镶嵌有一内侧具有带凹台阶的陶瓷环，共同组成新型的铝制晶圆加热盘。但由于加热盘和陶瓷环所用材料不同，在加热盘和陶瓷环之间存在电位差，容易在加热盘和陶瓷环间隙发生打火，从而导致整个工艺结果失败及腔体硬件损伤。

技术实现要素：

本发明以解决上述现有问题为目的，提供了一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置，本发明采用了内径减小的陶瓷环，减小 了陶瓷环内周壁与加热盘凸台侧壁之间的间隙，主要解决半导体反应腔室内打火问题。

为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：

一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置，该装置包括加热盘，陶瓷环，所述加热盘中心设有一个凸台，凸台上镶嵌有一内侧具有带凹台阶的陶瓷环。

所述陶瓷环内周壁与加热盘凸台侧壁之间的间隙小于0.7mm。

所述陶瓷环内径减小0.6mm。

本发明的有益效果是：

半导体镀膜设备反应腔室内设置有加热盘和陶瓷环，加热盘用于承载晶圆，在加热盘中心设有一个凸台，凸台上镶嵌有一内侧具有带凹台阶的陶瓷环，通过控制陶瓷环内周壁与加热盘凸台侧壁之间的间隙可以达到防止反应腔室内发生打火的目的。本发明将陶瓷环内周壁的内径减小，缩小了陶瓷环内周壁与加热盘凸台侧壁之间的间隙，避免了反应腔室内发生打火，从而可以提高反应腔室内工艺的稳定性，避免反应腔室内硬件损伤。

附图说明

图1为本发明的结构示意图；

图2为图1的为陶瓷环和加热盘间隙的局部放大图。

具体实施方式

下面结合实施例进一步对本发明进行详细说明，但发明保护内容不局限于所述实施例：

实施例1

一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置，它包括加热盘1，陶瓷环2，所述加热盘1中心设有一个凸台3，凸台3上镶嵌有一内侧具有带凹台阶4的陶瓷环2。

所述陶瓷环内径减小0.6mm。

所述陶瓷环2内周壁与加热盘1凸台3侧壁之间的间隙小于0.7mm。

晶圆放在陶瓷环2的凹槽内，工艺时，工艺气体从晶圆上方喷下，并形成等离子体，反应物沉积在晶圆表面，其他副产物和带电粒子逐渐向四周移动，最终被排除腔体。等离子体在这个过程中会富集在陶瓷环2上，由于加热盘1和陶瓷环2所用材料不同，在加热盘1和陶瓷环2之间存在电位差，容易在加热盘1和陶瓷环间隙2发生打火，所以，使陶瓷环2内周壁和加热盘1凸台3侧壁的间隙小于0.7mm，另外，在原有陶瓷环2内径为293mm的基础上，使陶瓷环2内径减小0.6mm，可有效避免半导体设备反应腔室内打火的情况。