1.一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置，其特征在于，该装置包括加热盘，陶瓷环，所述加热盘中心设有一个凸台，凸台上镶嵌有一内侧具有带凹台阶的陶瓷环。
2.如权利要求1所述的一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置，其特征在于，所述陶瓷环内周壁与加热盘凸台侧壁之间的间隙小于0.7mm。
3.如权利要求1所述的一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置，其特征在于，所述陶瓷环内径减小0.6mm。