1.一种化合物半导体的腐蚀方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)在化合物半导体上覆盖图案化的掩膜层；所述化合物半导体为二元和/或多元III-V族化合物半导体；
(2)采用高密度等离子体源产生的高密度氧等离子体对暴露的化合物半导体进行氧化处理，得到氧化层，其中掩膜层不与高密度氧等离子体反应；
(3)去除氧化层；
(4)去除图案化的掩膜层，得到腐蚀后的化合物半导体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述化合物半导体为GaN、AlGaN、InP、AlN或InGaN中的任意一种或至少两种的组合。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述AlGaN和/或GaN为外延片上的AlGaN层和/或GaN层；
优选地，所述外延片由下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、二维电子气层、AlGaN阻挡层和GaN覆盖层；
优选地，所述衬底选自GaN、蓝宝石、碳化硅或硅中的任意一种；
优选地，AlGaN层中Al的含量可调。
4.根据权利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述图案化的掩膜层通过如下方法制备得到：在化合物半导体表面依次覆盖掩膜层和光刻胶层，利用光刻工艺得到图案化的光刻胶层，再利用湿法腐蚀和/或干法腐蚀得到图案化的掩膜层；
优选地，所述干法腐蚀包括等离子体刻蚀。
5.根据权利要求1-4之一所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述掩膜层的材质选自氧化硅、氮化硅、铝或金中的任意一种；
优选地，步骤(1)采用掩膜层腐蚀液将掩膜层去除，所述掩膜层腐蚀液不与所述化合物半导体反应。
6.根据权利要求1-5之一所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述高密度等离子发生源选自感应耦合等离子体-反应离子刻蚀系统、电子回旋共振、双等离子体源或磁增强反应离子刻蚀中的任意一种；
优选地，步骤(2)中高密度氧等离子体的源气体包括氧气和/或臭氧。
7.根据权利要求1-6之一所述的方法，其特征在于，步骤(2)通过配合高密度等离子源的RF功率和等离子体诱发功率控制所述氧化处理的速度和精度。
8.根据权利要求1-7之一所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述氧化处理的时间越长，氧化深度越大。
9.根据权利要求1-8之一所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)所述去除氧化层之后的产品返回步骤(2)，直至得到预期腐蚀深度的化合物半导体；
优选地，步骤(4)采用氧化层腐蚀液将氧化层去除，所述氧化层腐蚀液包括盐酸和/或BOE。
10.根据权利要求1-9之一所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)在化合物半导体上覆盖图案化的掩膜层，所述化合物半导体为二元和/或多元III-V族化合物半导体；
(2)利用高密度等离子源产生的高密度氧等离子体对暴露的化合物半导体进行氧化处理，并控制高密度等离子源的RF功率和等离子体诱发功率，得到氧化层，其中掩膜层不与高密度氧等离子体反应；
(3)去除氧化层，返回至步骤(2)直至得到预期的腐蚀深度；
(4)去除图案化的掩膜层，得到腐蚀后的化合物半导体。